【学习笔记/恒gm源】恒跨导源的原理分析和应用

目录

一、恒gm源的原理分析

二、恒gm源的应用

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一、恒gm源的原理分析

       在芯片中经常需要参考源来获得某一个不随pvt变化的参数，例如带隙基准电路可以提供不随pvt变化的电流或电压。有时希望获得稳定的晶体管跨导gm，就需要恒gm源电路。如下图为Thomas H.Lee书中介绍的恒gm源的电路，Razavi的书中也有同样的介绍。

       M1产生一个稳定的gm，通过电流镜复制M1产生的电流，其电流源都具有稳定的gm值。

       假设pmos管尺寸相同，nmos管M2的尺寸是M1的K倍，基于KVL定律，可得：

       即，

       由于M1和M2的电流受理想pmos电流镜调控相等，所以有：

       长沟道器件满足：

       因此可得：

       gm1的值与电阻R2成反比，在部分特殊应用中，可以使用片外电阻获得更高精度的gm。

       下图也是恒gm源的分析过程：

       上述讨论理想化了M1和M2的阈值电压相等，实际上由于衬偏效应（Vds2≠0），二者阈值电压并不相等，因此提出了改进的恒gm源电路如下：

       其中引入了运放，M2基本不相关了，通过精准调控Ibias3电流源的电流值以及M3的尺寸，使得Vgs3=Vth1，则有：

       仍然假设pmos电流镜为理想的，则有：

       即：

       但沟长调制效应会引起电流镜的失配，可以再引入一个运放钳位Vds解决，如下图：

二、恒gm源的应用

       低噪声放大器LNA中常用恒gm源为放大器输入对管提供稳定gm，这是因为LNA作为射频接收系统的第一级，通常需要进行阻抗匹配，下图为源端电感负反馈的窄带LNA：

       其输入阻抗为：

       可见输入阻抗与输入对管的gm直接相关，因此稳定的gm可以保证LNA的输入阻抗稳定。

       有专利CN1260893C提到采用恒跨导源为VCO的尾电流源提供偏置（VPB），以保证负电阻的稳定性，从而保证VCO输出摆幅和相位噪声的稳定，如下图：

       M1和M2形成的交叉对管相当于一个负电阻，以抵消非理想的LC本身的寄生电阻。小信号模型推导如下：

        因此稳定的gm可以保证负阻阻值稳定不变。