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SIC 分类：探化硅肖特基二极管，碳化硅MOSFET

Rds(on)跟温度，Vgs的电压相关，温度越高和Vgs越低，Rds(on)越大

所有的碳化硅MOS管都是双电源驱动。只有极个别是单电源驱动。

衡量一个驱动芯片的驱动能力的指标主要有两个：驱动电流和驱动的上升、下降时间。驱动的上升、下降时间直接影响了功率器件的开通、关断速度。

  由于SIC宽禁带3.26eV,是SI的三倍。导致本征载流子浓度低5*10-10/cm是SI的1/10，需要有更高的温度才能把他从半导体变成导体，因而有着更高的工作节温。击穿电场强度高2.5MV/cm，是硅的10倍，相同耐压下，器件厚度薄，进而单位面积导通电阻小，可知在相同芯片面积下，导通电阻更低，故而可以走大电压大电流；相同导通电阻下芯片面积更小，故而结电容小，开关速度快。

由图可知，SIC MOS跟IGBT对比图，不会因为温度的原因导致他的导通电阻有多大趋势变化

开通时的门极电压高，其损耗会降低，但是对于关断来说不明显。

此图为SIC跟IGBT的对比图，上面的为IGBT的曲线，随着电压升高，开通损耗下降的绝对值相当。但由于SIC器件开通损耗的绝对值小很多，所以减少的比例会大一些。且IGBT是一个双极性器件，开通跟关断损耗相当。

米勒寄生导通，SIC中高温时VTH值是会变低的，这个是MOS的共性。

发现有寄生导通，不用太担心，虽然我们大多时候不希望出现寄生到通过，但是，有的时候可能寄生导通后波形会更加干净，EMI就解决了。

解决米勒导通的方式。这个电路的时序很重要，关断开始先经由关断电阻放电，Clamp 脚检测到门极电压小于2V以后，芯片内部Clamp的还有一个延时，大概几十ns的时间之后mosfet导通，持续呈低阻泄放回路，直至下次逻辑信号开通前。用负压关断效果更好，因为负压是把整体都拉低。

左图的绿色的二极管为芯片自带的快恢复二极管，右图需要外加

一般来说SIC过流保护使用退饱和电压检测，而不使用采样电流的原因是，大功率时过的电流比较大，流过采样电阻上的电流会比较大。

驱动芯片退饱和保护（DESAT）的原理为：首先因为MOS管关断时承受很高的反压，检测不了这个，故一般加一个高压的二极管即为图中的Dhv，正常工作时，如图所画，红色线为电流的流向图，此时，Cblk的电位为流过R上的压降+Dhv的二极管压降，SIC漏源之间的一个不大的压降，当SIC MOS短路时，漏源之间的电压变大，Dhv不导通，那么VDD全部加在CBLK上，导致CBLK电压差比正常时高，将这个电压与设定好的参考电压进行比较，高于的话，就会驱动保护，关断MOS。

如果需要很快相应SIC MOS的过流保护，可使用可配置的desat.

此处的二极管只是用于防反压的。先关断然后在上报给上位机的。