二极管：二极管的基本原理

 

一、认识导体、绝缘体、半导体

什么是导体？

导体 conductor ，是指电阻率很小，且容易传导电流的物质。导体中存在大量可自由移动的带电粒子，也称为载流子。在外电场的作用下，载流子作定向运动，形成电流。

金属就是最常见的导体，因为金属原子最外层的价电子很容易脱离原子核的束缚，形成自由电子。因为金属中自由电子的浓度很大，所以金属的电导率比其他材料要大。

什么是绝缘体？

绝缘体相对于导体，不容易传导电流的物质称为绝缘体。绝缘体有时候也称为电介质。

什么是半导体？

半导体 semiconductor ,因为导体和绝缘体没有明显的界限，那么导电性能介于导体和绝缘体之间的物质就称为半导体。

常见的半导体有硅、锗、砷化镓。

二、认识本征半导体、P型半导体、N型半导体

本征半导体 intrinsic semiconductor

是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。典型的本征半导体有硅、锗、砷化镓。

P型半导体

P型半导体也称为空穴型半导体，主要以带正点的空穴来导电。

在纯硅中掺入微量的3价元素，如硼、铝等，因为3价元素最外层只有3个电子，与硅原子共价结合时缺少一个电子，也就形成了一个空穴。这个空穴相当于带正电的粒子。掺入的杂质越多，空穴的浓度就越高。

N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，主要靠电子来导电。

在纯硅中掺入微量的5价元素，如磷，5价元素的原子与硅原子共价结合时，会多一个电子，就是靠这个多余的电子来导电。

常见几种元素核外电子的分布

硅原子的电子分布：共三层：2, 8, 4；最外层4个电子

硼原子的电子分布： 共2层：2，3；最外层3个电子

 铝原子的电子分布：共3层：2，8，3；最外层3个电子

磷原子的电子分布：共3层：2，8，5 ；最外层5个电子

三、认识PN结

将P型半导体（图示的P-Region）和N型半导体（图示的N-Region） 放在一块，它们的交界线就是PN结（PN Junction）。

P型半导体的空穴（正电荷）多，N型半导体的电子多，在它们的交界线附近，正电荷和负电荷像磁铁一样相互吸引，如下图的运动趋势所示:

N区的自由电子，由于带电，移动到P区，填充了P区的空穴

运动的结果就导致了在P区一部分区域带负电，N区一部分区域带正电，这个区域叫做耗尽区（Depletion Zone），如下图所示

N区的电子不断地填充P区的空穴，导致耗尽区的电荷越来越多，这些电荷多到一定程度，就阻止了其它电荷的继续跑过来。

这可以分两个部分来看：

1、负电荷从N区跑到P区，累计的负电荷多了，就阻止其它的负电荷从N区跑过来；

2、正电荷从P区跑到N区，累计的正电荷多了，就阻止其它的正电荷从P区跑过来；

最终的结果就是耗尽层到一定程度，电子就不能再移动了。这个一定程度就是耗尽层的电压达到了0.7V。有点像那0.7%先富的人阻止其他的人来共同富裕。

四、二极管为什么单向导电

反向偏执 Reverse bias

反向偏执就是N区接正电，P区接负电。二极管的反向偏执就是二极管的正极接电源的负极，二极管的负极接电源的正极。

 电源的负极把P区的正电荷都吸过去了，电源的正极把N区的负电荷都吸过去了，这样的后果就是耗尽区越来越大，也可以理解成越来越宽。都这样了，电子就没法移动了，也就不会产生电流，这就是二极管反向不导通的原因。

凡事都有例外，有一个东西叫做击穿电压，就是反向偏执电压大到一定程度，二极管就被“捅穿了”，这个时候二极管是“导通的”，但是这个时候二极管也被干废了。

 正向偏执 Forward bias

给P区接正电，N区接负电，就是正向偏执。

要想有电流通过，必须要干掉哪个阻止电子移动的0.7V，这个0.7V叫做势垒电压，也叫阈值电压。

正向偏执的结果就是阴极将更多的电子推进N区，并进入耗尽区；

耗尽区的电子变多，空穴就变少了，耗尽层就回越来越薄。

当施加的电压达到0.7V,推进的电子就足够多了，耗尽层就搞没了 

 这样就再也没有什么东西阻碍电子的移动了，电子穿过PN结，并从P区溢出，直接到电源的正极。这就是二极管正向到点的根本原因。

虽然二极管正向导电，但是必须有0.7V（硅型二极管）的电压消耗 ，比如给电路提供一个9V的电源，二极管就吃掉了0.7V，供给电路使用的就只有8.3V了。

五、二极管的特征曲线

委机关的特征曲线也叫作伏安特性曲线。

 

1、正向特性

二极管的正向特性指的是在二极管上施加正向电压时二极管所表现出来的特征，也就是上图中X轴正半轴的曲线所示。

从图中可以看出，二极管施加正向电压要超过一个数值之后二极管才会有电流，这个值通常叫做导通电压。常温下硅二极管的导通电压,锗二极管导通电压为0.1V。大于导通电压的区域通常也称为导通区。

从图中还可以看出，二极管的电流继续增大到一定程度后，二极管两端的电压几乎不怎么增加了，拿硅二极管来说，最后基本就维持在0.7V左右（0.6--0.8V）。

2、反向特性

二极管的反向特性指的是在二极管上施加反向电压时二极管所表现出来的特征，也就是上图中X轴负半轴的曲线所示。

从图中可以看出，二极管加反向电压后，反向电流很小，基本在1uA以内，这就是二极管的反向截止特性。

但是当反向电压到某个程度之后，也就是图中的点，当反向电压比还大的时候，反向电流特然暴增，这个时候二极管被击穿了，严谨点的术语就是反向击穿了。这个很好理解，就想你拿个棍子去捅一堵墙，怎么也捅不过去，突然一下把墙捅破了，一下子就传过去了。生活中类似的感觉还有很多。