二极管：二极管的基本原理与常见二极管的应用

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分类专栏：电子元器件文章标签：二极管

于 2023-12-04 21:38:36 首次发布

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本文介绍了导体、绝缘体和半导体的基本概念，区分了本征半导体与P/N型半导体，重点讲解了PN结的工作原理以及二极管的正向偏置和反向偏置特性，包括它们如何影响电流流动和伏安特性曲线。

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一、认识导体、绝缘体、半导体

什么是导体？

导体 conductor ，是指电阻率很小，且容易传导电流的物质。导体中存在大量可自由移动的带电粒子，也称为载流子。在外电场的作用下，载流子作定向运动，形成电流。

金属就是最常见的导体，因为金属原子最外层的价电子很容易脱离原子核的束缚，形成自由电子。因为金属中自由电子的浓度很大，所以金属的电导率比其他材料要大。

什么是绝缘体？

绝缘体相对于导体，不容易传导电流的物质称为绝缘体。绝缘体有时候也称为电介质。

什么是半导体？

半导体 semiconductor ,因为导体和绝缘体没有明显的界限，那么导电性能介于导体和绝缘体之间的物质就称为半导体。

常见的半导体有硅、锗、砷化镓。

二、认识本征半导体、P型半导体、N型半导体

本征半导体 intrinsic semiconductor

是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。典型的本征半导体有硅、锗、砷化镓。

P型半导体

P型半导体也称为空穴型半导体，主要以带正点的空穴来导电。

在纯硅中掺入微量的3价元素，如硼、铝等，因为3价元素最外层只有3个电子，与硅原子共价结合时缺少一个电子，也就形成了一个空穴。这个空穴相当于带正电的粒子。掺入的杂质越多，空穴的浓度就越高。

N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，主要靠电子来导电。

在纯硅中掺入微量的5价元素，如磷，5价元素的原子与硅原子共价结合时，会多一个电子，就是靠这个多余的电子来导电。

常见几种元素核外电子的分布

硅原子的电子分布：共三层：2, 8, 4；最外层4个电子

硼原子的电子分布：共2层：2，3；最外层3个电子

铝原子的电子分布：共3层：2，8，3；最外层3个电子

磷原子的电子分布：共3层：2，8，5 ；最外层5个电子

三、认识PN结

将P型半导体（图示的P-Region）和N型半导体（图示的N-Region）放在一块，它们的交界线就是PN结（PN Junction）。

P型半导体的空穴（正电荷）多，N型半导体的电子多，在它们的交界线附近，正电荷和负电荷像磁铁一样相互吸引，如下图的运动趋势所示:

N区的自由电子，由于带电，移动到P区，填充了P区的空穴

运动的结果就导致了在P区一部分区域带负电，N区一部分区域带正电，这个区域叫做耗尽区（Depletion Zone），如下图所示

N区的电子不断地填充P区的空穴，导致耗尽区的电荷越来越多，这些电荷多到一定程度，就阻止了其它电荷的继续跑过来。

这可以分两个部分来看：

1、负电荷从N区跑到P区，累计的负电荷多了，就阻止其它的负电荷从N区跑过来；

2、正电荷从P区跑到N区，累计的正电荷多了，就阻止其它的正电荷从P区跑过来；

最终的结果就是耗尽层到一定程度，电子就不能再移动了。这个一定程度就是耗尽层的电压达到了0.7V。有点像那0.7%先富的人阻止其他的人来共同富裕。

四、二极管为什么单向导电

反向偏执 Reverse bias

反向偏执就是N区接正电，P区接负电。二极管的反向偏执就是二极管的正极接电源的负极，二极管的负极接电源的正极。

电源的负极把P区的正电荷都吸过去了，电源的正极把N区的负电荷都吸过去了，这样的后果就是耗尽区越来越大，也可以理解成越来越宽。都这样了，电子就没法移动了，也就不会产生电流，这就是二极管反向不导通的原因。

凡事都有例外，有一个东西叫做击穿电压，就是反向偏执电压大到一定程度，二极管就被“捅穿了”，这个时候二极管是“导通的”，但是这个时候二极管也被干废了。

正向偏执 Forward bias

给P区接正电，N区接负电，就是正向偏执。

要想有电流通过，必须要干掉哪个阻止电子移动的0.7V，这个0.7V叫做势垒电压，也叫阈值电压。

正向偏执的结果就是阴极将更多的电子推进N区，并进入耗尽区；

耗尽区的电子变多，空穴就变少了，耗尽层就回越来越薄。

当施加的电压达到0.7V,推进的电子就足够多了，耗尽层就搞没了

这样就再也没有什么东西阻碍电子的移动了，电子穿过PN结，并从P区溢出，直接到电源的正极。这就是二极管正向到点的根本原因。

虽然二极管正向导电，但是必须有0.7V（硅型二极管）的电压消耗，比如给电路提供一个9V的电源，二极管就吃掉了0.7V，供给电路使用的就只有8.3V了。

五、二极管的特征曲线

委机关的特征曲线也叫作伏安特性曲线。

1、正向特性

二极管的正向特性指的是在二极管上施加正向电压时二极管所表现出来的特征，也就是上图中X轴正半轴的曲线所示。

从图中可以看出，二极管施加正向电压要超过一个数值之后二极管才会有电流，这个值通常叫做导通电压。常温下硅二极管的导通电压 $V_{th} = 0.5V$ ,锗二极管导通电压为0.1V。大于导通电压的区域通常也称为导通区。

从图中还可以看出，二极管的电流 $I$ 继续增大到一定程度后，二极管两端的电压几乎不怎么增加了，拿硅二极管来说，最后基本就维持在0.7V左右（0.6--0.8V）。

2、反向特性

二极管的反向特性指的是在二极管上施加反向电压时二极管所表现出来的特征，也就是上图中X轴负半轴的曲线所示。

从图中可以看出，二极管加反向电压后，反向电流很小，基本在1uA以内，这就是二极管的反向截止特性。

但是当反向电压到某个程度之后，也就是图中的 $U_{BR}$ 点，当反向电压比 $U_{BR}$ 还大的时候，反向电流特然暴增，这个时候二极管被击穿了，严谨点的术语就是反向击穿了。这个很好理解，就想你拿个棍子去捅一堵墙，怎么也捅不过去，突然一下把墙捅破了，一下子就传过去了。生活中类似的感觉还有很多。

六、稳压二极管的原理及应用

1、什么是稳压二极管

稳压二极管（Zener diode），也叫齐纳二极管。

从名字上可以看出，首先它是二极管，它的作用是稳压，利用的原理是齐纳击穿。

在TVS二极管那边文章中讲过雪崩击穿，雪崩击穿是发生在掺杂浓度较低的PN结中；

而齐纳击穿是发生在掺杂浓度较高的PN结中。PN结的掺杂浓度越高，阻挡层就越薄(这个阻挡层可以理解成PN结附近的耗尽层，耗尽层里面电荷形成的电场阻碍电子的移动),这个阻挡层很薄，那只要在里面继续注入电荷，那内部的电场 $E$ 就会变得很大，这个电场大到可以把耗尽层中的共价键中的电子直接拉出来，从而产生大量的载流子。使PN结的反向电流暴增，呈现反向击穿现象。

这与雪崩击穿的根本不同就是，雪崩击穿是电子把共价键中的电子撞出来；齐纳击穿是内电场直接把共价键中的电子拉出来。

稳压二极管发生齐纳击穿后，虽然反向电压很大，但是二极管两端的电压却基本稳定在击穿电压附近，这是怎么做到的，本人也没深入研究，先记住结论去应用就好了。

2、稳压二极管的关键参数

1、稳定电压 $V_{ZT}$

稳定电压指的是标称稳定电压，理想稳压管的稳定电压是一个固定的值，但实际的稳定电压会存在一定的波动。如下图所示的BZT52C2V0稳压二极管，标称稳定电压时2V，但是是在1.91--2.09之间波动。

2、额定工作电流 $I_{ZT}$

额定工作电流是指稳压二极管可以长时间稳定工作，且稳压性能最好时对应的工作电流。BTZ52C2V0稳压二极管的额定工作电流就是5mA。

3、最大耗散功率

最大耗散功率是指可以稳定工作的最大功率

4、最小稳定工作电流

最小工作电流是指可以让稳压管具有稳压功能的最小工作电流，如果电流小于这个值，那稳压二极管是工作在反向截止状态，是没有稳压功能的。BTZ52C2V0稳压二极管的最小稳定工作电流是1mA。

5、最大稳定工作电流

最大稳压工作电流是指稳压管反向击穿时，最大能承受的电流，超过这个电流，二极管可能就被干废了。这个最大电流是由标称稳定电压和最大耗散功率一起决定的，功率 = 电压x电流。所以常用稳压二极管电路都要加个电阻限流。

6、动态电阻

动态电阻 = 电压的变化量/电流的变化量；动态电阻越小稳压效果越好，这是因为动态电阻小，同等电流变化下引起的电压变化就小，电压就越稳定。

3、稳压二极管的常规应用电路

R 为限流电阻，假设R是固定不变的，看看稳压二极管是怎么稳定电压的：

能影响稳压管工作的只有两个因素：

1、输入端电压 $U_{I}$ 的波动

2、负载电阻 $R_{L}$ 的波动

先假设输入端电压 $U_{I}$ 保持稳定，负载电阻 $R_{L}$ 变化时，稳压管是如何稳压的

负载电阻 $R_{L}$ 变小，那整个电路的电流 $I_{R}$ 就变大，就导致限流电阻 $R$ 上分得的电压变大，那稳压管上分得的电压 $U_{Z}$ 就变小， $U_{Z}$ 与 $U_{O}$ 是相等的。 $U_{Z}$ 变小，那流过稳压二极管的电流 $I_{DZ}$ 就变小， $I_{DZ}$ 变小又反过来导致 $I_{R}$ 变小，就使得限流电阻 $R$ 上分得的电压变小，那稳压管上分得的电压 $U_{Z}$ 就变大了。

负载电阻 $R_{L}$ 变大时的情况分析也是一样的，自己推演一下。

负载电阻 $R_{L}$ 不变，输入端电压变化的时候，分析过程也是一样的，自己推演一下。

4、限流电阻怎么确定

稳压二极管电路的关键是怎么选择限流电阻，假设有这么一个电路：

电源电压波动范围13--15V；

负载电阻变化范围300--500欧；

稳压管工作电流范围5--40mA;

稳压管工作电压6V。

限流电阻的阻值不能过大，过大会导致稳压管分得的电压过小，从而工作在反向截止区，起不到稳压的作用；

限流电阻的阻值不能过小，过小会导致稳压管的电流过大，烧坏稳压二极管；

因此限流电阻就有个上限值和一个下限值，让稳压二极管分别工作在最小电流和最大电流两种状态；

稳压管什么时候工作电流最小：输入电压最小，负载电流最大时，稳压管上电流最小

$R_{max} = \frac{U_{min}-U_{D}}{I_{ZDmin}+I_{Lmax}} = \frac{13-6}{0.005+6/300} = 280$

稳压管什么时候工作电流最大：输入电压最大，负载电流最小时，稳压管上电流最大

$R_{min} = \frac{U_{max}-U_{D}}{I_{ZDmax}+I_{Lmin}} = \frac{15-6}{0.04+6/500} = 173$

所以限流电阻选在173--280欧之间时合适的。

5、使用稳压管的注意事项

1、使用稳压管时，一定要串联一个限流电阻，用来保护稳压二极管并设置工作电流；

2、稳压管可以串联使用，稳定的电压就累加了，但不推荐并联使用（没意义）；

3、要获得理想的稳压效果，要让稳压管处于深度击穿状态，输入的电压值一般是稳定电压值的2到3倍，比如要使电压稳定在12V，而输入电压时18V，稳压管处于浅击穿状态，稳压效果不好；

4、稳压管工作时，反向击穿电压并不高，像BTZ52C2V0也就5mA，所以大功率的场合不适用；

5、稳压管的稳定电压时一个范围，要求高精度电压的地方是不合适的。

七、ESD静电保护二极管的原理及应用

1、什么是ESD二极管

ESD二极管与 TVS二极管原理是一样的，也是为了保护电，但ESD二极管的主要功能是防止静电。

静电防护的前提条件就要求其电容值要足够地低，一般在1PF-3.5PF之间最好，主要应用于板级保护。

2、什么是静电

静电无处不在，不同物质的接触或者摩擦都可以产生静电。人的身上就带有很高的静电电压尤其是在冬天，人体的静电高达几千甚至上万伏。这些静电也许对人体影响不大，顶多就是电一下，但是有时电得也比较疼。但对于一些电子元器件，静电可以将它直接干废，所以电路板的设计一般都要考虑静电防护。常用的USB接口基本上都要加一个静电防护：

3、TVS二极管与ESD二极管比较

TVS二极管与ESD二极管防护原理是一样的，都是防止瞬间的高压。电路在正常情况 TVS和ESD二极管都是工作在截止区，可以把它们当空气忽略掉。

TVS二极管的一般是单个二极管，2个引脚的封装形式，体积比较大，只能对单一电路进行防护。 ESD二极管不仅有单个二极管形式的，还有很多组合布局构造成的多引脚封装，可同时接多路电路。 ESD二极管的功率普遍都比较低，选型的时候主要看的是他的抗静电等级。TVS二极管的功率相对更高。

ESD二极管功能是防静电，主要应用于电路板的防护。 TVS二极管主要功能是防浪涌过电压，主要应用于电源电路初级和次级保护。

ESD 二极管的结电容比较低，一般是几个pf，静电防护的前提条件就要求其电容值要足够地低。 TVS 二极管的结电容一般在几十pf到几十nf 之间。

八、TVS瞬态抑制二极管的原理及应用

1、什么是TVS二极管

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管。

TVS二极管的符号如下图所示

什么是雪崩击穿

雪崩击穿是有必要了解一下的，不然后面还有齐纳击穿，搞不懂原理，做事就没底气。

所谓雪崩击穿，想象一下雪崩的场景，开始是一小块，慢慢积累起来就是一大片。

二极管的雪崩击穿也是这样，这个只发生在二极管接反向电压时才可能发生；

假设大家已经知道了，二极管加反向电压，PN结附近的耗尽层会增大，也就是扩宽，耗尽层的电荷也更多，耗尽层的电场强度会变大。

再假设大家还知道，电场强度越大，电子在里面受力也越大，跑得就越快。那一不小心，电子撞到了晶格上的电子（晶格上的电子就是共价的电子对），还把晶格上的电子撞出来了，那耗尽层的电子就变多了，变多的电子一起加速继续撞，是不是有一生二，二生三，三生万物的感觉，这个感觉就是雪崩，所以雪崩基础就是加反向电压到一定程度，突然反向电流暴增，就这么回事。

2、TVS二极管的应用

TVS二极管就是利用雪崩击穿这个特性，常规二极管发生雪崩击穿后，八成也就废了，但是TVS二极管有特殊的结构和工艺，发生雪崩击穿之后居然还能恢复。

TVS管在电路中就是工作于反向截止状态，电路正常的时候，有这个TVS二极管和没有TVS二极管是一样的，可以把这个TVS当空气。但是当电路受瞬间的高能量脉冲冲击时，这个TVS二极管先感受到冲击，迅速被反向击穿，吸收脉冲波的能量（其实是给脉冲波一个释放通道），将电路两端间的电压箝位在一个预定的数值上，这样就能保护后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。保护过程如下面的电路所示。

三、如何选择TVS

TVS二极管的几个关键参数

TVS二极管基本是工作在反向偏执的情况，所以X轴正半轴基本就不用看了。

$V_{RWM}$ 是TVS二极管的最高反向工作电压，就是只要不超过这个电压，TVS二极管的漏电流都保持在很小的范围；

$V_{BR}$ 是TVS二极管的击穿电压，到了这个电压，TVS二极管的反向电流开始增加，雪崩击穿快发生了；

$V_{C}$ 是TVS二极管的钳位电压，就是二极管击穿之后，二极管能保持的一个电压；

$I_{PP}$ 是峰值脉冲电流，所对应的就是钳位电压，也就是TVS二极管被击穿后，达到钳位电压时，所对应的电流；

$I_{PPM}$ 额定峰值脉冲电流，超过这个电流，TVS二极管就可能被干废了。

1、确定TVS二极管的最高反向工作电压（反向隔离电压） $V_{R}$ 或 $V_{RWM}$

TVS二极管的反向工作电压在不超过 $V_{RWM}$ 的时候，TVS还是截止状态，反向电流很小。

正常情况下，TVS二极管就是不工作的，也就是工作在反向截止状态，因此TVS的工作电压 $V_{RWM}$ 要高于被保护电路的最高工作电压；

比如，你的电路正常工作电压是10V，你选的TVS二极管 $V_{RWM}$ 是15V，那异常电压要超过15V之后，你的TVS才开始起作用，到那时候黄花菜都凉了，你的电路已经被干废了；如果你选的TVS二极管 $V_{RWM}$ 是8V，那即使正常供10V的电，TVS二极管开始工作，开始保护了，把你的供电电压拉低，那也是不好的。常规的做法是TVS二极管的工作电压是被保护电路电压1.1到1.2倍就行了。也就是你的电路正常电压10V，所选的TVS二极管工作电压11V到12V就行了，这样正常供电的时候这个TVS就是个摆设。当电路有高电平冲击时，TVS就起作用，这个时候你的电路也不至于被干废。

2、确定TVS二极管的钳位电压 $V_{C}$ ；

TVS 钳位电压应小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压，钳位电压 $V_{C}$ 与 TVS 的雪崩击穿电压及 $I_{PP}$ 都成正比。一般击穿电压越高 $V_{C}$ 也越高，所选TVS二极管的最大箝位电压 $V_{C}$ 不能大于被防护电路可以承受的最大电压。比如你的工作电压最大只能是10V，TVS二极管只能钳位到15V，如果来个20V的脉冲冲击，TVS只能把电压降低到15V，虽然能降低打击程度，但还是被干死了。所以钳位电压要小于电路允许的最大电压。

3、确定TVS二极管的功率 $P_{PPM}$ ；