【virtuoso】INV 原理图+前仿真 + 版图 + 后仿真

采用SMIC工艺，不同工艺版图窗口可能有差异

1. 原理图&前仿真

1.1 绘制原理图

PMOS: NMOS宽长比2：1

PMOS开启导通电阻大一点，这样设置，可以使得阈值电压是VDD/2

• 按 i，可以插入器件
• 按p，可以放置端口

1.2 创建symbol

create --> Cellview --> From Cellview

直接ok即可

pin脚位置可改可不改

然后，点击ok

直接保存即可，也可以修改pin脚位置，修改symbol形状

1.3 INV进行前仿真

 1.3.1 testbench设置

仿真如图所示：

1. VDD=1.2
2. SUB=0
3. GND=0
4. 输入脉冲信号：
   

 

1.3.2 仿真分析 tran分析

 

1.3.3 仿真结果

2. 版图layout

2.1 从原理图产生器件

在原理图中按住shift，然后点击pmos和nmos，选中器件，然后按照上图所示方法，layout自动生成器件模型

2.2 版图绘制

2.2.1 连接PMOS和NMOS的漏极 OUT（M1层）

在M1层绘制

在M1层把PMOS和NMOS的两个漏极连接起来

第一次画版图，可以把PMOS和NMOS的位置放置的远一点，这样间距大，DRC的时候，报错会少

• 可以按r，绘制矩形
• 或者按p，进行绘制

2.2.2 连接栅极 IN （M2 ；打孔）

由于OUT横向连接已经阻断了连接，所以在M2层进行连接

• PMOS、NMOS连接：M2层
• PMOS、NMOS打孔：GT-M1孔、M1-M2孔

按o进行打孔

打孔之后，在GT层，记得填补成整体，要对齐

DRC的时候，M2层要求的线宽比M1层的线宽要大一点

M1层面积有要求，要是一个孔的面积不够，可以拉大一个M1层的矩形

2.2.3 保护环绘制

PMOS，三方的M1-NW孔，最后封口AA有源层和SN注入层，整体都在NW层，使用NW层进行包围

NMOS，三方的M1-SUB层最后封口AA有源层和SP注入层

• PMOS保护环：M1-NW孔、AA有源层封闭、SN注入层、整体NW层
• NMOS保护环：M1-SUB孔、AA有源层、SP注入层

2.2.3.1 PMOS保护环

放置包围的M1-NW通孔

按o，放置M1-NW孔

第一次画，选择孔的个数的时候，可以多设置几个孔，这样可以离PMOS远一点，减少DRC报错几率

绘制AA层、SN层进行封口

绘制SN层要比AA层略大一点

整体包围在NW层

2.2.3.2 NMOS保护环

放置M1-SUB通孔

绘制AA层、SP层封口

2.2.4 源极引出VDD、GND

        PMOS源极穿过保护环引出，VDD，由于原理图PMOS的sub与源极是连在一起的，所以可以在M1层直接连出；

        NMOS源极穿过保护环引出，GND由于原理图NMOS的sub与源极的分开的，所以PMOS不能再M1层直接连出来，需要打孔到M2层，然后连出来

注：PMOS和NMOS的源极都在M1层

PMOS：M1层

NMOS：M2层、M1-M2孔

2.2.4.1 PMOS VDD引出

直接连出来即可

注意：保护环和源极，都显示VDD

2.2.4.2 NMOS GND引出

M1-M2层打孔

M2层引出

2.2.5 打上Label

按L，然后选择打label的层数，完成标签

如下图所示

 注意，使得十字在所选中的位置

• IN：M2层
• OUT：M1层
• VDD：M1层
• GND：M2层
• SUB：M1层

2.3 DRC检测

2.3.1 设置DRC检测

 

设置好rules文件，然后点击运行

DRC文件为  .drc后缀

2.3.2 DRC运行结果

 DRC运行成功结果

选择 show not walved

不用修改的报错

需要修改的报错

2.4 LVS检测

2.4.1 LVS设置

 LVS检查没有错误

2.4.2 可能遇到的问题

input找不到目标文件，，没有网表文件

pwell没有接地

 

成功解决

 2.5 提取寄生参数PEX

运行速度可能有点慢

提取寄生参数成功

 

3. 后仿真

3.1 修改仿真环境参数方法（适用于简单电路）

schematic之间添加calibre的名字

 

3.2 config方法（适用于复杂电路）

 新建config文件

使用spectre模板

设置所需要的cell的仿真类型

 3.3 仿真结果