TOF-SIMS测试常见的问题及解答(一)

本文详细解答了TOF-SIMS测试中的多个问题,包括深度分辨率、3D成像、氧化层检测、测试条件、液固界面分析、多层膜层判别、N元素测试、定量方法、样品制备、谱图解析、质量分辨率和离子强度的应用等,为TOF-SIMS用户提供实用指导。
摘要由CSDN通过智能技术生成

1.DSIMS深度分辨率为什么高于SSIMS?
回复:D-SIMS采用DC模式的离子源,深度剖析时分析和溅射同时进行,对表面是连续深度作用的过程,成分从表面到深度的信息是连续采集。而SSIMS采用脉冲模式,深度剖析时分析和溅射交替进行,从表面的到深度的分析不是连续的过程,溅射除去的深度部分的成分信息没有被收集到,因此深度分辨率是D-SIMS优于S-SIMS,见以下示意图:

2. 可以测三维mapping吗?
回复:可以得到3-D成像,如以下图示:

3.钢铁材料表面氧化层,不同层深的检测如何做?
回复:采用TOF-SIMS深度剖析模式进行分析。

4.深度剖析过渡层信息可信吗,总有回跳?
回复:第一看仪器测试条件的稳定性如何?(totalion/以及其它特征离子是不是都有回跳?如果都有回跳,可能是测试条件不稳定),如果只是特别元素

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