自举电路与死区

m0_74460671

于 2023-10-20 23:42:03 发布

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分类专栏：硬件电路学习文章标签：嵌入式硬件学习笔记

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自举电路与死区

自举电路（Bootstrap circuit）

自举电路（Bootstrap circuit）是一种常用于H桥驱动器中的电路，用于提供高侧MOSFET的驱动电压。自举电路通过利用低侧MOSFET的开关动作，将电源电压转移到高侧MOSFET的驱动电路上，从而实现对高侧MOSFET的驱动。

自举电路的作用之一就是减小死区对电机驱动的影响。它通过提供额外的电源来启动电机，并且在电机正常工作之前，可以绕过开关元件，避免死区对电机的影响。这样可以保证电机在启动时能够稳定运行，提高驱动系统的效率和可靠性。

因此，通过使用自举电路，可以降低死区对电机驱动的影响，提高系统的性能和可靠性。

死区

死区则是指在电机驱动系统中由于开关元件的切换延迟而导致的一段时间内电机无法正常工作的现象。当驱动电路的开关元件从一个状态切换到另一个状态时，由于开关元件的特性，会出现一小段时间内无法提供合适的电流给电机，这段时间就被称为死区。

死区问题指的是在H桥电路中，当两个对角线上的开关元件由一个状态切换到另一个状态时，可能会出现一小段时间内无法提供合适的电流给电机的情况。

这种情况下，可能会导致以下问题：

短路：在切换过程中，可能会出现两个对角线上的开关元件同时导通，形成短路，导致电流异常增大，甚至损坏开关元件。
功耗增加：在死区期间，电流无法及时传递到电机，会导致能量损耗和功耗的增加。
脉冲噪声：由于切换延迟，可能会产生脉冲噪声，对电机和其他电路部件产生干扰。
效率降低：死区会导致电机控制的不准确性，降低系统的效率和性能。

自举电路可以一定程度上解决H桥驱动电路中的死区问题。

在H桥驱动器中，由于高侧MOSFET和低侧MOSFET的开关动作需要有一定的时间间隔，以避免两个MOSFET同时导通而导致短路。这个时间间隔就是死区时间。

在传统的H桥驱动器中，由于高侧MOSFET的驱动电压需要高于电源电压，因此需要使用额外的电压转换电路。而自举电路则通过利用低侧MOSFET的开关动作，将电源电压转移到高侧MOSFET的驱动电路上，从而实现高侧MOSFET的驱动。这样，自举电路可以提供足够的驱动电压，使高侧MOSFET能够正常导通和截止，从而避免死区问题。

（自举电路的工作原理是在H桥电路中的每个开关元件上分别添加驱动电源电容。当需要切换H桥的状态时，驱动电源电容会提供电荷来控制开关元件的导通和截断。这样可以绕过死区期间的问题，确保电机正常工作。）

在设计自举电路时，应考虑到自举电容的充电和放电时间，以及自举电路的稳定性和可靠性。此外，还需要合理选择和配置电路元件，以满足具体应用需求和参数要求。最好参考相关的应用笔记和设计指南，以获取更详细的自举电路设计和调整建议。

需要注意的是，自举电路并不能完全消除死区问题，它只是通过提供额外的电源来减小死区对电机驱动的影响。死区时间的选择和其他死区补偿方法仍然是重要的，并且需要根据具体的应用和系统需求进行调试和优化。

下面是自举电路的基本原理和工作步骤：

自举电路由两个驱动电源电容、两个驱动电源开关元件和H桥的上下两个开关元件组成。
在初始状态下，驱动电源电容会通过驱动电源开关元件充电，以储存足够的电荷。
在需要切换H桥状态时，首先将上方的开关元件导通，使电机的一个电极与驱动电源连接。
接下来，将下方的开关元件导通，使另一个电机电极与地连接。此时，电流开始通过电机流动。
在这个切换过程中，原先与驱动电源相连的电极会断开连接，而原先与地相连的电极会连接到驱动电源。
在这种情况下，驱动电源电容会供应电流，确保电机在死区中获得足够的电流。
当下一个切换周期开始时，驱动电源电容会重新充电，以为下一次切换提供必要的电流。

通过以上步骤，自举电路能够绕过H桥驱动电路中的死区，确保电机正常工作。自举电路的设计需要注意选择合适的驱动电源电容大小，并根据具体系统需求来进行调试和优化。

需要注意的是，自举电路可能会对功耗和效率产生一定的影响，因为额外的电容充电和放电会引入一定的能量损耗。因此，在实际应用中，需要综合考虑系统的性能、效率和成本等因素进行设计和选择。

除了自举电路，还有其他一些方法可以解决死区问题：

延迟驱动：通过在高侧和低侧MOSFET之间增加一个延迟时间，使得两者的开关动作不会同时发生。可以使用RC延迟电路或者专门的延迟驱动器来实现延迟驱动。
死区时间补偿：通过在驱动电路中引入死区时间补偿电路，可以在高侧和低侧MOSFET的开关动作之间引入一定的时间差，从而避免死区问题。可以使用电容、电阻、比较器等元件来构建死区时间补偿电路。
专用驱动器：一些专用的驱动器芯片，如IR2104，已经内置了死区时间补偿功能，可以直接使用这些驱动器来解决死区问题。
软件控制：在一些数字控制的应用中，可以通过软件来控制高侧和低侧MOSFET的开关动作，从而实现对死区时间的精确控制。

需要根据具体应用需求和参数要求，选择合适的方法来解决死区问题。同时，还需要考虑电路的稳定性、可靠性和成本等因素。最好参考相关的应用笔记、设计指南和数据手册，以获取更详细的解决方案和调整建议。