MOS驱动电路理解

        MOS驱动电路的本质我们要关注的是两点，也就是驱动电路的驱动能力以及就是，MOS管的自生参数。然后本章节会阐述几个常见的MOS管驱动电路。

1 EG2181D 驱动芯片

        EG2181D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入 处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2181D 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V，静态电流约 200uA。 输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电 流能力 IO+/- 2/2.5A，采用 SOP8 封装。

        从结构框图中我们看到，芯片采用推挽驱动的方式提高MOS管的驱动能力，用一个NPN MOS管和一个PNP MOS管组成推挽电路。用这样的方式可以提高芯片的驱动电流。根据芯片手册我们可以发现：

        该芯片在驱动MOS管以及关断MOS管可以提供的驱动电流和关断电流比较高，但是单片机的驱动电流肯能只有几个mA，这种设计可以提高其驱动能力。

2  IRFP250MPbF MOS管

        我们可以看到MOS管的VSG极限电压在20V，所以说我们驱动的时候，Vgs的电压不能超过20V，对应上述驱动芯片，我们的VCC和VB的大小不能超过20V，但是该芯片在设计的时候的VCC电压范围在10V-20V，但是VB的耐压等级设计在600V，所以在使用过程中VB的接入电压不能超过20V ，如果超过20V会损坏MOS。

        所以一般在使用的时候，我们都将VCC和VB都接在12V电压上，保证其正常工作。

        但是一定要保证Vgs>VGS(th)，最好要>4V此时MOS管才能正常导通。

3 MOS管的驱动电路

        其中：

        R4是下拉电阻，保证在IO口是低电平的时候不会为杂波所影响导致其误导通。

        R3的作用：

        1. 限制其驱动电流，防止其瞬间驱动电流过大，驱动过程相当于给MOS管Cgs和Cgd充电，给电容充电会出现一个Spike，串接电阻可以防止瞬间电流过充损毁驱动IC或者损坏MOS管。

        2. 给电路中加入阻抗，减少线路的寄生电感与MOS管的寄生电容谐振导致的振铃。

        D2与R6：给MOS管增加一个快速关断的回路。

 

4 MOS管推挽驱动电路

 利用三极管来提升MOS管导通与关断的能力。