【氮化镓】缓冲层结构对GaN HEMT射频性能的影响

【Effect of different layer structures on the RF performance of GaN HEMT devices】

研究总结：

本研究探讨了不同缓冲层结构对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）射频性能的影响。通过对比三种不同缓冲层结构的GaN HEMT设备，研究了缓冲层质量和陷阱效应对射频增益的影响。实验采用了详细的直流和脉冲IV测量，以及温度依赖的低频S参数测量，来评估缓冲层陷阱的激活能。研究结果表明，低掺杂碳（C）的缓冲层显示出更好的射频性能，并且较薄的缓冲层结构能够减少陷阱的影响，从而提高设备性能。

研究背景：

氮化镓（GaN）作为一种宽带隙材料，因其高电子迁移率、高饱和速度和高击穿电场等特性，在高频（RF）应用中具有广泛的应用前景。然而，GaN HEMT设备在射频性能上受到陷阱效应的限制，这些陷阱效应会导致二维电子气（2DEG）密度的变化，进而影响设备的输出电流、膝部电压和动态导通电阻等性能。

研究目的：

本研究旨在通过比较不同缓冲层结构的GaN HEMT设备，理解不同外延结构对射频性能的影响，并探究陷阱效应对设备性能的具体影响机制。

实验方法：

研究中使用了三