【读书笔记·VLSI电路设计方法解密】问题13：MOSEFT晶体管有哪两种类型

MOSFET晶体管有两种类型：NMOS和PMOS。它们被称为有源器件，因为它们可以转换和放大电压和电流。而电感器、电阻器和电容器被称为无源器件，因为它们只消耗能量。不管VLSI CMOS芯片有多么复杂，它的所有功能都是通过这两种类型的晶体管在无源器件的辅助下实现的。图2.1显示了PMOS和NMOS晶体管的符号。G、D 和 S 分别表示晶体管的栅极、漏极和源极端子。

在n-阱工艺中，电路是构建在p型晶圆上的。在这种工艺中，NMOS晶体管直接在晶圆上制造，而PMOS晶体管则是在n-阱中制造的。图2.2显示了NMOS和PMOS晶体管在晶圆中的截面。p型衬底通常连接到芯片的最低电压；n-阱则连接到最高电压。衬底和阱通常被称为MOSFET的体体（body）或衬体ÿ