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回顾：晶体管工艺中某中间流程
扩散定义
扩散(Diffusion)是一种自然现象，是由物质自身的热运动引起的，运动的结果 是使浓度分布区域均匀。
热扩散工艺
在高温（约1000℃），P型或N型杂质气氛中，使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量参杂的一种工艺方法。
扩散类型
替位式扩散：主要是ⅢA族和VA族，如Al、B、Ga、In、P、Sb、As等
填隙式扩散：主要是IA族和VⅢA族元素，如Na、K、Li、H、Ar等
填隙-替位式扩散：大多数过渡元素，如Au、Fe、Cu、Pt、Ni、Ag等
扩散类型：替位式扩散
扩散类型：填隙式扩散
扩散类型：替位-填隙式扩散
扩散方程
菲克第一扩散定律
单位时间内，通过垂直于扩散方向的单位面积上的扩散物质流量为扩散通量， 用 J 表示，单位为kg/(cm^2·s)，其与该截面处的浓度梯度成正比。
D 为扩散系数；C 为扩散物质的体积浓度。
菲克第二扩散定律
在非稳态扩散过程中，在距离 x 处，杂质原子浓度随扩散时间的变化率等于 扩散通量随距离变化率的负值，即
杂质的扩散参杂
恒定表面源扩散：
在扩散过程中，硅片表面的杂质浓度Cs始终保持不变。将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层，目的是预先硅扩散窗口掺入一定剂量的杂质。
初始条件：C(x, 0)=0, t=0;
边界条件：C(0, t)=Cs, x=0 C(∞, t)=0
求解扩散方程可得：
恒定表面源扩散,其表面杂质浓度基本上由该杂质在扩散温度(900~1200℃)下的固 溶度所决定，而在 900~1200℃的温度范围内，固溶度随温度变化不大。可见恒 定表面源扩散，很难通过改变温度来达到控制表面浓度的目的,这也是该扩散方法的不足之处。
限定表面源扩散：
在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围，杂质源限定于扩散前
淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂
质向硅片内进行的扩散，目的是使杂质在硅中形成一定的分布或获得一定的结深。
两步扩散工艺： 恒定表面源扩散 ➕ 限定表面源扩散
影响杂质分布的其它因素
1）点缺陷
空位：扩散系数和激活能与空位的荷电状态有关
间隙：“踢出”效应影响扩散速度
（2）氧化增强扩散
在热氧化过程中原存在硅内的某些掺杂原子显现出更高的扩散性,称为氧化增强扩散(Oxidation Enhanced Diffusion, OED)。
（3）发射区推进效应
在NPN窄基区晶体管制造中，如果基区和发射区分别扩硼和扩磷，则发现在发射区正下方的基区（内基区）要比不在发射区正下方的基区（外基区）深，即在发射区正下方硼的扩散有了明显的增强。
（4）横向扩散效应
扩散杂质源
扩散杂质源：杂质源为气态
气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物，这些气体的毒性很大，而且易燃易炸，操作上要十分小心，实际生产中很少采用。
液态源扩散：杂质源为液态
系统简单，操作方便，生产效率高，重复性和均匀性都较好，但它受温度，时间，流量，杂质源的液面大小及系统是否漏气等外界因素的影响较大，是目前使用较广泛的一种方法。
固态源扩散：杂质源为固态
固态源用法便利，对设备要求不高，操作与液态源基本相同，生产效率高，所以也是应用较多的一种方法（特别是硼扩散方面）。但源片易吸潮变质，在扩散温度较高时，还容易变形，这时就不如液态源扩散优越。
常用杂质的扩散工艺
硼扩散
工艺原理
工艺流程：清洗》预积淀》漂硼硅玻璃》再分布》测方块电阻
清洗：光刻出扩散窗口，并清洗
预淀积：恒定源扩散。硼源在炉内与炉子一起升温，通入氮气作为保护气，
漂硼硅玻璃：预淀积后的扩散窗口表面有薄薄的一层硼硅玻璃，应用HF去除硼硅玻璃。
再分布：限定源扩散。
测方块电阻：通过测方块电阻来了解掺杂情况。
磷扩散
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1997
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