1.好的bias电路有如下特点:
2.偏置电阻一般为kΩ级别较好。提高制作良率。基极的分压电阻小了,射频信号会到地,影响噪声系数和增益。
3.失真与偏压有关,栅极/基极的电压越低,越容易失真,如A类PA基本无失真,B类会有交越失真,且增益更低。失真会影响InterModulation。手机一般不会工作在B或C类,无法接受失真。
VCO不想要失真,一般偏置在A类,若输出功率足够时,偏置可以更低。
GSM:允许较多的失真,效率较高。
CDMA:要求的高线性度。
4.双电源供电时,先加负电压(最大电流就被限制住,不会烧坏管子)
5.RF chock:wL>200欧姆;隔直电容:1/wC<1欧姆。谐振在自振频率最佳。
注意:Emitter 电阻和旁路电容最好不要用。前者会恶化增益及噪声性能,后者容易在低频振荡。旁路电容在低频时容值更小,容易形成colpitts振荡器,使得电路不稳定。
6.频率选择性偏置网络
(d)R1,R2最好为kΩ级别。
7.
集电极的电感可能为chock, 可能为匹配的电感。
8.拿到晶体管设计一般放大器,可以先计算P1dB,有三种情况(负载线的斜率不同):
case1:直接用矢网(斜率为1/50欧姆)测:P1dB=0.5*(ICQ^2)*50
case2:共轭匹配(斜率为1/RML:输出阻抗的倒数):
case3:Power matched晶体管(负载线越对称,P1dB越大)
例题: