模拟cmos集成电路（6）

bias(偏置) 可以理解为为电路核心放大器服务的（保障电路）

 不稳定的情况：①自激震荡（放大器+反馈 k不满足条件）②pvtl（工艺、电压、温度、负载）

 直接复制基准电流来使用-电流镜

 优点：避免了定义电压；用尺寸之比定义电流

（为什么接gate：首先栅级不能悬空；如果接电压源会和基准电流源冲突；接在d是为了实现I—V convertor）

可以通过这种方法实现电流的运算电路（m1一定是饱和的 m2取决于外接条件） 

使用这种方法避免了计算偏置电压

电流源流经很远的距离同时受到噪声的干扰 但其电流的大小是不易改变的 到本地偏置电路先进行恢复

偏置与运放电路距离越近越好(管子的匹配很好)设计好电路要一个基准电流很合理要电压不合理 

 

电流放大器（圈出的部分是电流放大因子） 

具体实现（最边上可能刻蚀不均匀 因此可以多做一条不用）

 只能提出Vod不能低于某个值 否则m2进入线性区了

Y向下看等效电阻为ro2 m3实现了保护隔离（实质是m2和m3负反馈实现保护）

一组电流也可以产生两组电压 

最低输出电压 （ex2*100mV+400mV）太大 是其缺点 优点是更加准确

 一些仿真例子

 

消耗了一个电压余度Vth

Vx=Vgs1=f（iref） 流过m1和m2的电流是又上方基准电流源的电流决定的 

 需要解决Vb的产生问题

用m5来产生m2，用m6产生m1 

图中w/l应该改为l足够大时 

上面三种方法都不靠谱 了解一下就行

自偏置

仅增加一个小电阻（但其会受工艺影响不准确） 

用的更多的方法 stacked mos  

p14 1：04设计作业

有源电流镜

差动输入 单端输出

 

 Y点阻抗更大 电压摆幅增大

 小信号模型计算等效增益

 

 

 绿色为vin1变化 虚线为vin2变化

 视为带源极负反馈的共源极

共模抑制能力较弱 对于电源波动的抑制能力（电源抑制比）也很差 五管放大器（有源电流镜）

 

使用mos管代替电阻 但用的较少 由于其非线性

 了解 实际电路可以进行参考

 

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