集成电路————MOS管驱动芯片

最新推荐文章于 2025-01-13 23:01:29 发布
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分类专栏： 集成电路
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楼楼用过的芯片，便于日后选型参考，QAQ。后期会逐步扩充

MOS驱动

EG2104 MOS驱动 (sop8)

  1. 芯片电源电压范围2.8-20V
  2. 静态电流小于1uA，适合电池场合
  3. 输出电流能力 IO+/- 1A/1.5A
  4. 最高频率支持500KHz

EG2106 MOS驱动 (sop8)

  1. 最高频率支持500KHz
  2. 外围器件少
  3. 高端的工作电压可达600V
  4. 芯片电源电压范围10-20V
12、硬件工程师笔试面试——MOS管（2025版本）
XU157303764的博客
09-10 4858
在设计和测试过程中，可以参考相关的EMC测试标准和指南，如CE认证EMC电磁兼容测试介绍 和电磁兼容性（EMC）测试方法与整改指南 ，以及电磁兼容（EMC）的标准与测试内容 ，来确保MOSFET的EMC性能符合行业标准。在高频应用中，MOSFET的开关速度对电路的整体性能至关重要。是一款高电压同步N沟道MOSFET驱动器，具有自举电源电压至114V的能力，宽VCC电压范围，自适应贯通保护功能，以及高达1.4A的峰值顶端栅极上拉电流，适用于分布式电源架构、汽车电源、高密度电源模块和电信系统等应用。
三极管、MOS管和晶体管综合对比——《器件手册--三极管、MOS管和晶体管》
最新发布
XU157303764的博客
03-27 1615
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了MOSFET的高输入阻抗、开关速度快的优点和双极型晶体管（BJT）的低导通压降、高电流密度的优点。例如，在NPN型三极管中，当基极电流增加时，集电极电流会按照一定的比例（放大倍数β）增加，这个比例通常在几十到几百之间。在NMOS管中，当栅极相对于源极的电压（Vgs）小于开启电压（Vth）时，漏极和源极之间没有导电沟道，电流无法通过，处于截止状态。
常用的MOS管驱动芯片
wangmaoquan163的博客
01-13 1850
*•UCC27517DBVR：**适用于低侧和高侧驱动，最大驱动电流为±4A。**•TPS2811：**适用于低侧和高侧驱动，最大驱动电流为±1.5A。：适用于低侧和高侧驱动，最大驱动电流为±1.5A。：适用于低侧和高侧驱动，最大驱动电流为±2A。：适用于低侧和高侧驱动，最大驱动电流为±4A。：适用于低侧和高侧驱动，最大驱动电流为±3A。：适用于低侧驱动，最大驱动电流为±2.5A。：适用于低侧驱动，最大驱动电流为±3A。•广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。•广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。
MIC5019最新的mos管驱动芯片
04-01
最新的mos管驱动芯片 ，比传统的驱动节约空间，性能更加优越。
常用的Mos管驱动芯片
sinat_15677011的博客
08-08 4246
MOSFET驱动芯片是用于驱动MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的集成电路，它们可以提供足够的电流来快速开启和关闭MOSFET，以提高效率并减少开关损耗。
EG2103 MOS管驱动芯片
Carl_13423943396的博客
01-18 1352
欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源。管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、高端悬浮自举电源设计，耐压可达。输入通道高电平有效，控制高端。输入通道低电平有效，控制低端。无线充电驱动器变频水泵控制器。在输入悬空时使上、下功率。移动电源高压快充开关电源。
MOS管升压驱动芯片
02-10
高边驱动MOS管升压驱动芯片,芯片集成电荷泵.
OC5022B内置MOS的开关降压型恒流驱动芯片
kuakewei123的博客
12-31 2734
概述 OC5022B 是一款内置 60V 功率 MOS 高效率、高精度的开关降压型大功率 LED 恒流驱动芯片。 OC5022B 采用固定关断时间的峰值 电流控制方式，关断时间可通过外部电容 进行调节，工作频率可根据用户要求而改 变。 OC5022B 通过调节外置的电流采样 电阻，能控制高亮度 LED 灯的驱动电流， 使 LED 灯亮度达到预期恒定亮度。 在 DIM 端加 PWM 信号，可以进行 LED 灯调光。 DIM 端同时支持线性调光。 OC5022B 内部还集成了 VDD 稳压管 以及过温保护电路等
基于BTS7960B的NXP智能车双电机设计资料 MOS管驱动板 包含AD原理图及PCB文件
08-28
MOS管驱动板 包含AD原理图及PCB文件”揭示了这是一个关于智能车双电机控制系统的设计方案，主要围绕BTS7960B这款集成电路展开，同时提供了电路设计的重要组成部分——AD原理图和PCB文件。这一设计涉及到的领域包括...
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为什么你的电源模块总是发热炸机？DC/DC和LDO选型的“潜规则”你踩坑了吗？ LM2596降压芯片用错电容导致输出振荡？LED恒流驱动设计让灯珠寿命缩水50%？24V转12V方案成本超预算被老板狂喷？——这些血泪教训，谁能懂得！
MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）
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一个比较经典的MOS管驱动电路
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MOS管工作原理及芯片汇总
07-16
MOS 管介绍 在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS 的导 通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET 管是FET 的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P 沟道或N 沟道共4 种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS 管和增强型的PMOS 管，所以通常 提到的就是这两种。 这两种增强型 MOS 管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。 所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。 在 MOS 管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动 感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS 管中存在此二极管， 在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工 艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些， 但没有办法避免
IR系列MOS驱动ic中文应用手册
08-09
IR系列MOS驱动ic中文应用手册 IR2103，2118等驱动电路设计必看！
MOS管应用介绍
mmm8410269的博客
10-11 5261
1、 MOS管的分类 1） MOS管从类型看：分为NMOS和PMOS； 2） 从功率等级上看：分为逻辑MOS和功率MOS。逻辑MOS的特点是VGS门级导通电压较低，以2N7002为例，初始导通电压为1V~3V，一般参与数字电路、驱动电路等小功率场合，一般封装也较小，常见的封装为SOT-23。 3） 增强型和耗尽型的区别：增强型，栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，...
EG2121中压250V1A半桥驱动芯片
Carl_13423943396的博客
01-18 806
管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN。自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通。，在输入悬空时使上、下功率 MOS。高端悬浮自举电源设计，耐压可达。输入通道高电平有效，控制高端。输入通道低电平有效，控制低端。是一款高性价比的大功率。移动电源高压快充开关电源。
MOS驱动电路
tanzhi963的博客
06-10 5万+
MOS管的驱动电路有两个要点： 1、瞬态驱动电流要够大，所谓驱动MOS管，主要就是对MOS管栅极的寄生电容的充电放电，也就是打开和关闭MOS管 2、NMOS的Vgs(门-源电压)高于4V即可导通，PMOS的Vgs(门-源电压)低于4V即可导通 直接驱动NMOS R1为负载 仅适用于NMOS低端驱动，因为NMOS导通的条件是：Vgs高于4V左右，5V的PWM波刚好满足.........
STM32芯片3.3V IO口驱动MOS管电路
m0_50862404的博客
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Nmos管做低端驱动 电路工作原理说明： 对于Nmos管，G极电位比S极电位高于导通域值电压便会导通 对于Pmos管则相反，G极电位比S极电位低于导通域值电压才会导通 所以Nmos管适合做低端驱动，S极接地，以使S极的电压固定，Pmos管适合做高端驱动，S极接电源VCC,也是使S极的电压固定 当MCU IO输出高电平时，Q1三极管B极电位高于E极电位，发射极正偏，Q1三极管导通，从而将Q2三极管的B极电位拉低，Q2三极管发射极也正偏，三极管导通，12*10/11≈10.9V，再减去三极管的导通压降0.7V,
LT1910高端MOS管驱动IC
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  01实验背景 在 STC单片机功率控制下载板 中提到使用LT1910驱动功率MOS作为STC WiFi功率下载转接板控制电源器。替代原来设计的MAX202(MAX3232)的方案。 LT1910 是由LINEAR TECHNOLOGY出品的用于驱动高端（电源端）N-MOS功率管芯片。内部集成有电荷泵，无需外部器件便可以驱动N-MOS管的导通。 LT1910还可以对MOS漏极上串联的电流采样电阻进行检测。如果MOS漏极电流过流，则自动关闭MOS驱动，关闭的时间由外部电容设定。 LT1910可
双N，MOS管驱动三相桥式电路
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### 使用MOSFET实现三相桥式电路驱动的方法和原理 #### 一、三相桥式PWM逆变器的工作机制 三相桥式电压型PWM逆变器通常采用双极性控制方式，即SPWM（正弦脉宽调制）。该方法通过比较三个互差120°的正弦参考信号与一个共同的三角载波来生成用于控制各个开关元件（如N沟道增强型MOSFET）开通或关闭状态的门极驱动信号[^1]。 对于每一相对应的一对串联连接于直流母线间的两个MOSFET而言，在任意时刻仅允许其中一个处于导通而另一个截止的状态；当给定条件满足时，则相应相位上的高端MOSFET被激活开启，与此同时低端则保持关断反之亦然。这样的交替操作能够使得负载两端获得近似正弦形态变化规律的交流电输出特性。 ```python def generate_spwm_signal(reference_wave, carrier_wave): """ Generate SPWM signal based on reference and carrier waves. :param reference_wave: List of sine wave values representing the desired output voltage waveform per phase :param carrier_wave: List of triangular wave values used as comparison basis for modulation :return: Tuple containing lists indicating which switches should be ON (True) or OFF (False), one list per phase """ phases = ['a', 'b', 'c'] spwm_signals = {phase: [] for phase in phases} for i in range(len(carrier_wave)): for idx, phase in enumerate(phases): if reference_wave[idx][i] >= carrier_wave[i]: spwm_signals[phase].append(True) # High-side switch ON else: spwm_signals[phase].append(False) # Low-side switch ON return tuple(spwm_signals.values()) ``` #### 二、基于EG2136芯片的具体应用实例 考虑到实际工程中的复杂性和可靠性需求，可以选用专门针对此类应用场景设计制造出来的专用集成电路——例如型号为EG2136 的三相半桥栅极驱动IC。此款产品不仅具备高侧浮动供电能力以及良好的电气隔离性能，而且集成了诸如短路保护在内的多种安全防护措施以保障整个系统的稳定运行[^2]。 具体来说，在构建由六个N沟道MOSFET组成的全控整流/逆变结构过程中，利用上述提到的EG2136作为核心控制器件负责接收来自微处理器或者其他逻辑单元发出的指令并据此调整各支路上对应的功率半导体器件工作模式。值得注意的是由于内部已经预设了一定量级的时间延迟环节用来避免上下两组晶体管之间可能出现的同时接通信号冲突现象发生所以无需额外增加其他辅助设施即可达到理想效果。
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