集成电路————MOS管驱动芯片

最新推荐文章于 2024-06-03 11:52:45 发布
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分类专栏： 集成电路
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楼楼用过的芯片，便于日后选型参考，QAQ。后期会逐步扩充

MOS驱动

EG2104 MOS驱动 (sop8)

  1. 芯片电源电压范围2.8-20V
  2. 静态电流小于1uA，适合电池场合
  3. 输出电流能力 IO+/- 1A/1.5A
  4. 最高频率支持500KHz

EG2106 MOS驱动 (sop8)

  1. 最高频率支持500KHz
  2. 外围器件少
  3. 高端的工作电压可达600V
  4. 芯片电源电压范围10-20V
Deilay
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关于mos驱动芯片的layout
gongyuan073的专栏
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在绘制buck电路的过程中发现layout对电路的影响较大. 高手指出了我绘制电路中的问题, 如下: 各个回路的面积都比较大, 下边是更改后的layout,还是不够好,不过经过调试后输出也基本能符合要求了, 可以对比一下. 在调试的时候还发现另外一些问题: 上管的驱动波形为啥会突然下跌然后又上升,200khz 4.7nf 感觉是这个自举电容小了, 增大自举电容后波形改...
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MIC5019最新的mos管驱动芯片
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EG3013S 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
Carl_13423943396的博客
06-03 330
该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 LIN 内建了上拉 5V 高电位和 HIN 内建了一个 15K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用 SOP8 封装。EG3013S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。专用于无刷电机 N 沟道 MOS 管、IGBT 管栅极驱动。
MOS管升压驱动芯片
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  01实验背景 在 STC单片机功率控制下载板 中提到使用LT1910驱动功率MOS作为STC WiFi功率下载转接板控制电源器。替代原来设计的MAX202(MAX3232)的方案。 LT1910 是由LINEAR TECHNOLOGY出品的用于驱动高端（电源端）N-MOS功率管芯片。内部集成有电荷泵，无需外部器件便可以驱动N-MOS管的导通。 LT1910还可以对MOS漏极上串联的电流采样电阻进行检测。如果MOS漏极电流过流，则自动关闭MOS驱动，关闭的时间由外部电容设定。 LT1910可
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2024年全国职业院校技能大赛集成电路应用开发赛项竞赛试题（05 卷）
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以上解析详细介绍了2024年全国职业院校技能大赛集成电路应用开发赛项竞赛试题中的两个主要部分——集成电路设计验证和集成电路工艺仿真的具体内容和要求，旨在帮助参赛者更好地理解赛题并准备比赛。
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LYJ个人博客，记录技术、八卦、生活，分享各种心得，期待与朋友们一同进步
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