保持噪声容限

最新推荐文章于 2023-04-01 13:14:36 发布
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本文详细介绍了静态噪声容限(SNM)的概念，并阐述了如何通过将所有控制信号置低并施加噪声来测量保持噪声容限（HSNM）。着重展示了改进后的双字9TSRAM的HSNM测试结果，达到0.3810伏特。

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保持噪声容限概念：

静态噪声容限（SNM）是衡量存储单元稳定性的参数。SNM是SRAM单元在数据丢失或破坏之前可以忍受的最大噪声。

保持噪声容限测试方法：

在进行保持噪声容限分析时，将WL、WR、BL和BLB都置为低电平。给QB初值“1.2V”，Q初值“0”，给Q点加噪声var，观察QB点的电压变化。得出仿真数据后通过MATLAB软件绘制出保持噪声曲线（HSNM）。下图为存储单元进行保持噪声容限分析的蝴蝶曲线图。由图可知，改进后的双字9T SRAM存储单元的保持噪声容限为0.3810。

 

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摘自：https://blog.csdn.net/hxt691083776/article/details/116943037   逻辑电平1和0是对某一个电平值的抽象。当电平值为Vdd（例如，Vdd = 5V）时，它被认为是逻辑1。类似地，当电压为0V，则认为是逻辑0。然而，在现实应用中，我们会针对不同的逻辑电平给出一定的电压范围，例如，3.5 ~ 5V之间的电平值都可以被认为代表的是逻辑1，而在0 ~ 1.5V之间的电平值都可以被认为代表的是逻辑0。逻辑1和逻辑0对应的电压范围对于不同类型的电路（如CM
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