模拟电路-晶体管-学习心得笔记

晶体管内部构造和运行机理

《模电·童诗白》阐述

作为老一辈的杰出学者,果然不是盖的。工作八年再来看,果然设计、书写的很是精华。对于三极管的阐述,既科学又言简意赅。但是,不建议大家在这本书上死磨,这样无助于提高,过挺长时间回来再看,比较适合。好了,不吹捧了。

关键物理机理,的关键词(关键词就是最好的提炼)

晶体二极管
  • 本征半导体(由共价键构成**“稳定”**的晶格,导电性很差,受环境影响)
  • 参杂(可控的导电性,极易被激发形成载流子)

  • 共价键
  • 空穴
  • 自由电子
  • 载流子(本征激发+参杂)

  • N型半导体
  • P型半导体
  • PN结

在这里插入图片描述

  • P区
  • N区
  • 空间电荷区(耗尽区)
  • Uoh = Uon = PN结饱和压降 = 0.7V左右

  • 扩散运动(由于浓度差产生的载流子运动)
  • 漂移运动(电场作用下的载流子运动)

  • PN结的形成
  • PN结的正向导通()
  • PN结的反向截止(耗尽区变宽,加强了内电场,阻止了扩散,增强漂移,但由于少子极少,漂移少子形成的电流的约为0)
  • PN结的电流方程( i = I s ( e u U T ) − 1 i =I_s(e^{\frac{u}{U_T}})-1 i=Is(eUTu)1, I s I_s
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