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一、猜测
1.1 纯猜
通过观察电路板,判断那个巨大的电容应该是三相共同的储能电容,接了六个mos管的漏极,
不然怎么把方波变成正弦波呢
1.2 mos管相关知识
1.3 DirectFET MOS管
二、电路准备
2.1 自举升压电路
为什么必须要升压?是否强弱电分开
应该也有降压电路
chip1 升压,这是给OLED升压的,奇怪
low power DC/DC boost converter in SOT-23 package
chip2 降压
2.2 核心电路
1. DRV8301驱动芯片
应该写的是SO1 SO2
2. MOS管驱动电路
三、怎么焊底下带焊盘的芯片?
直接嘉立创SMT贴片吧!
四、基于DRV8301的三相逆变器电路学习
4.1 芯片pin详解
4.1.1 DTC死区时间调节
当DTC接地时,提供最小的死区时间(50ns)
控制范围(50ns-500ns)(0Ω-150kΩ)
解释:死区的意思就是ABC三相中任意一个半桥,防止上下桥同时打开造成短路的情况,会有一段两个mos管同时关闭的死区
稚晖君用的18KΩ
死区104ns,近似100ns
4.1.2 故障指示灯和过流、过温保护指示灯
我使用了S8550,PNP型三极管
4.1.3 SPI接口
芯片作为一个slave,通信用16bit的数据。
SDI口:(输入)
15位:读还是写 ,0写1读
14-11位:寄存器地址
10-0位:数据
SDO口:(输出)
15位:错误标志位,是否操作成功
14-11位:寄存器地址
10-0位:数据
4.1.4 DC_CAL
首先,10K下拉电阻
电流分流放大器
DC_CAL工作时是低电平
高电平时:
1. 两个DC_CAL开关断开,阻断输入
2. 拉高两个N MOS栅极,导通,运放两口同时接地,相当于校正
REF(参考电压)V reference
STM32F4芯片控制选用3.3V参考电压
正点原子资料:
所以,该点电压定死。
S1~S4由SPI信号控制,四个档位
有10倍、20倍、40倍、80倍的反相增益
还给了个公式
很简单!!动笔算一算,我没算错
低通滤波器,滤去高频杂波
4.1.5 GVDD、PVDD
都是电源类引脚Power类
需要个滤波电容,绿区高频噪声
PVDD2是给BUCK电路供电的
分别给不同的模块供电,供电就完事了DCBUS直接接的总电源
4.1.6 电荷泵(CP1、CP2)
电荷泵类似于LDO,CP1和CP2还要接个电容,这个电容还很讲究,接不好电源会不工作
原理如下图:
这个电容充放电要快,所以选择陶瓷电容而不是电解电容
有一种说法是:这个电容可能承受最大两倍的电源电压,所以选型时要将电源电压*2
4.1.7 BST_ABC
这仨电容都是升压自举电容BOOST电路
4.1.8 EN_GATE
芯片过压保护后要重置这个引脚,默认是一个高电平
拉低再拉高,装个复位按钮就行
4.1.9 两种PWM控制模式
TIM1和TIM8的死区互补:
可以通过编程让一个波偏一点,那一小块就是死区
4.1.10 SH_X与SL_X
两个脚都测电压,分别测两个MOS管的压差