CMOS电路基础知识，包括NMOS、PMOS，以及由它们构成的非门、与非、或非等门电路，和版图绘制（L-edit16.3）

1，CMOS门电路

1）PMOS和NMOS电路结构

2）MOS管结构的工作原理，如NMOS管结构

在P型半导体衬底（图中用B标示）上，制作两个高掺杂浓度的N型区，形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G，通常用金属铝或多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔开，绝缘层的厚度极薄，在0.1um以内。
如果在漏极和源极之间加上电压VDS，而令栅极和源极之间的电压VGS=0，则由于漏极和源极之间相当于两个PN结背向地串联，所以D-S间不导通，iD=0。
当栅极和源极之间加有正电压VGS，而且VGS大于某个电压值VGS(th)时，由于栅极与衬底间的电场的吸引，使衬底中的少数载流子——电子聚焦到栅极下面的衬底表面，形成一个N型的反型层。这个反型层就构成了D-S间的导电沟道，于是有iD流通。V