Qg表示MOS管开关导通时栅极需要的总的电荷量,这个参数直接反应mos管的开关速度,越小的话MOS管的开关速度就越快.。
Rds(ON)是MOSFET工作(启动)时,漏极D和源极S之间的电阻值,单位是欧姆。对于同类MOSFET器件,Rds(ON)数值越小,工作时的损耗(功率损耗)就越小。由于消耗功率将变成热量散发出去,这对设备会产生负面影响,所以电路设计时都会采取一定的对策来减少发热,即降低功率损耗。
Qg表示MOS管开关导通时栅极需要的总的电荷量,这个参数直接反应mos管的开关速度,越小的话MOS管的开关速度就越快.。
Rds(ON)是MOSFET工作(启动)时,漏极D和源极S之间的电阻值,单位是欧姆。对于同类MOSFET器件,Rds(ON)数值越小,工作时的损耗(功率损耗)就越小。由于消耗功率将变成热量散发出去,这对设备会产生负面影响,所以电路设计时都会采取一定的对策来减少发热,即降低功率损耗。