MOS管相关

1.增强型和耗尽型

2.选型

电压值：Vds，Vgs，Vgs（th），Vgs（on）

电流值：ID（能流过多大电流）

Rds（on）：导通电阻

其他：

开关时间[td（off），tf，td（on），tr]：关断延迟，下降时间，开启延时，上升时间

总栅电荷Q g和输入电容C iss：Qg设备完全打开所需电量[输入电容充电到VGS（on）]；Ciss=Cgs+Cgd

其他寄生电容：输出电容（Coss），反向电容（Crss）

电源MOS开关时间：

如DCDC，3.6V升20V，MOS选型

Vds>最大工作电压（Vin（max）），一般按两倍以上选择

Rds不大于手册中的值，还取决于GS电压，DS电流，工作温度

MOS耐压大于输入电压两倍（大于最大输入电压，即Vdss>Vin（max）），Rds（on）小于50mΩ

MOS漏极电流≥最大输出电流（即Id>Iout（max））

选择MOS输入电容或反馈电容小

3.有哪些损耗

开关损耗（或称栅极驱动损耗）---通和关不是瞬间完成，存在电压电流重叠区--->使用软开关技术

完全导通到关闭，完全关闭到导通需要一定时间，这个过程中产生功率损耗

 开关损耗发生在通断期间过渡过程，随频率升高增大（周期缩短，开关过渡时间占比例增大，增大开关损耗）

效率影响：开关时间是占空比的1/12 < 小于开关时间是占空比1/10，高频开关损耗是主要损耗

栅极驱动损耗是在开关管导通及关断瞬间，在一定的栅源电压Vgs下，对MOS极间电容进行充电（建立Vgs电压，使MOS导通）和放电 （让Vgs=0，使MOS关断）造成的损耗，此损耗与MOS输入电容Ciss或反馈电容Crss，栅极驱动电压Vgs，开关频率Fsw成比例，要减小此损耗，就要选择Ciss或Crss小，阈值电压Vgs（th）低的功率MOS

同步整流管也是工作在开关状态（其开关频率与开关管相同），但因同步整流管工作于零电压（Vgs≈0V）状态（如下图），其开关损耗可忽略不计

开关损耗与器件开关过程上升，下降时间，器件特性有关，栅极电阻越大，上升，下降时间越大，相应的开关损耗越大，栅极电阻↓--->开关损耗↓--->效率↑

传导损耗---RDS（on）--->选择RDS（on）小的管子

导通损耗与导通期间流过MOS平均电流与MOS导通电阻RDS（on）有关，RDS（on）↓--->效率↑

传导损耗是由MOS导通电阻Rds（on）造成，损耗与I^2d，Rds（on），占空比大小有关

新型MOS的Rds（on）在Vgs=10V约10mΩ，有些在Vgs=10V约2～3mΩ

P=I^2R

驱动损耗---导通之前，对MOS栅极充电Qg--->选择Qg小的管子

RDS（on）和Qg呈反比；开关损耗与Qg呈反比

开通过程：

电流Id从0开始上升到VDS减小为0为止，为开通过程

1电之前，电流从0开始上升，MOS未开通，无开关和导通损耗，驱动芯片对MOS栅极充电，即驱动损耗

4.推挽和开漏

推：输入为+，上N管导通，电流从上往下通过，给电流给负载

挽：输入为-，下P管导通，电流从上往下流过，经过下面P管提供电流给负载

输入没有电流，Q5断开，LED亮

输入有电流，Q5导通，LED灭

5.拉电流和灌电流

拉电流：端口高电平--->电流向外部流动

灌电流：端口低电平<---电流向内部流动

6.强上下拉和弱上下拉

强上下拉：未接电阻或小电阻，电压接近电源或地

弱上下拉：接大电阻，电压低于电源或高于地

下拉示意：

      

弱下拉缺点：

Vo=I（负载）*R，R过大，Vo过大，超过接收器识别电压标准

 器件2输入是R1和R2的分压，R1过大，器件1输出低电平超过器件2低电平标准，无法识别，上拉相同

强（缺点）：电阻小，功耗大

 7.MOS驱动电路

直接驱动：

 电源IC最大驱动峰值电流；MOS寄生电容C1，C2；弱寄生电容过大，IC没有较大驱动峰值电流，导通速度慢，上升沿出现高频振荡；Rg减小，无法解决，IC驱动能力，MOS寄生电容大小，开关速度都影响Rg选择，不能无限减小。

图腾柱驱动

 使用图腾柱驱动增加电源IC驱动能力，提升电流提供能力，加快栅极输入电容充电，增加导通时间，减少关断时间，快速开启避免上升沿高频振荡

加速关断时间

 低阻抗通路供栅源极间电容电压快速泄放，D1减小关断时间和损耗，Rg2防电流过大，烧毁IC

改进加速关断

 Q1发射极没有电阻，PNP导通，栅极间电容短路，最快放电，与图腾柱相比，泄放不经过IC，提高可靠性

隔离加速关断时间

 变压器驱动，满足安全隔离；R1抑制PCB寄生电感与C1形成LC振荡，C1是隔开直流，过交流，防止磁芯饱和

8.什么是米勒效应，如何产生

栅极给栅-源电容Cgs充电达到一个平台后，栅极的充电电流必须给米勒电容Cgd充电，这时栅源间电压不在升高，达到一个平台，这个是米勒平台

产生：制造工艺，一定会产生Cgd，也就是米勒电容一定会存在，米勒效应不能避免。

9.MOS厂家

国外：英飞凌，ST，安森美，TI，瑞萨

国内：长电科技，杭州士兰微，先科

10.MOS和三极管区别，应用场景

11.SOA是什么

安全工作区：由电压电流坐标点形成二维区域，正常工作不超过该区域（工作在SOA区域内是安全的，超出危险）

 红色：IDM：漏源最大单脉冲电流（非重复脉冲），反应的是漏源极可承受的单次脉冲电流强度

绿色：VDS：漏源电压标称值，反应的是漏源极能承受的最大电压值

橙色：Rds（on）：源漏导通电阻

橙色斜线表示，Vds很小时，随Vds增大，VDS=ID*RDS（on），Vgs与温度一定，RDS（on）近乎常数，橙线看起来像直线

蓝色斜线表示不同单脉冲宽度下，VDS与IDM关系。如脉冲宽度10ms，如果VDS为200V，IDM约1.5A限制

12.栅极电压多大

标准N沟道约为3-6V，工艺改进2-3V

13.MOS和三极管哪个开关速度快

14.MOS和三极管频率多少

15.高端驱动用N管原因

P管：导通电阻大，价格贵，替换种类少；P=I^2R，I很大时，I^2R很大，只能降低R，只有NMOS

16.体二极管

开关管：电流（漏--->源）

同步整流管：反接使用，电流（源--->漏）

 SR管子导通：电流（漏--->源）

 截止：电流从体内二极管流过