Vishay选择Aixtron SiC技术用于新港制造厂

G10-SiC外延生产平台支持150mm和200mm晶圆之间的转换
Vishay Intertechnology 最近收购了位于英国南威尔士的纽波特工厂，并已选择爱思强 G10-SiC 外延生产平台用于该工厂的汽车认证。
凭借其灵活的双晶圆尺寸配置（9x150 mm和6x200 mm），G10-SiC支持晶圆直径之间的过渡。
“新的G10-SiC外延生产工具为200毫米外延提供了领先的成本结构，这符合Vishay的生产力目标。这与200毫米晶片的优异均匀性能相结合，使我们选择了爱思强技术，”Vishay Intertechnology的SiC开发高级研发总监Danilo Crippa说。
“爱思强团队开发了一种独特的解决方案，可对200毫米碳化硅晶片上的掺杂水平和均匀性进行最严格的控制。这种性能在整个6x200毫米晶片批次中得以保持，并且具有令人印象深刻的运行稳定性。”
“我们非常感谢有机会与Vishay合作，为Vishay位于南威尔士的汽车认证的Newport工厂提供我们最先进的epi生产系统，该系统具有灵活的150和200毫米SiC晶片配置。我们在南威尔士化合物半导体集群中强大的客户服务团队致力于在短时间内全力支持Vishay的SiC内部外延生产线的生产爬坡，使其达到最高生产率。”，Aixtron SE SiC副总裁Frank Wischmeyer说。

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