阿贡实验室将领导MoS2芯片项目

​美国能源部慷慨地拨款四百万美元，助力一项前沿合作项目，旨在推进下一代微芯片的2D半导体与设备研发。据预测，至2030年，微电子将占据全球能源消耗的庞大份额，高达20%。避免这一潜在的能源危机，关键在于开发出全新的晶体管技术。

此刻，美国能源部（DOE）已经慷慨地向其旗下的阿贡国家实验室注入了四百万美元的科研资金，用以资助一项极具创新性的研究项目。该项目旨在运用原子层沉积（ALD）技术，成功打造出以MoS2为基础的微小2D-FET，这种FET可堆叠成三维结构，从而为未来的微芯片技术开辟新天地。

研究人员信心满满地预计，这种革命性的芯片在能耗上将比现有技术降低惊人的五十倍。该项目预计于2024年扬帆起航，历经两年半的深入探索，由备受瞩目的“二十年能效扩展”（EES2）计划提供资助。阿贡国家实验室将与斯坦福大学、西北大学和博伊西州立大学等科研巨头携手合作，共同推进这一激动人心的科研之旅。

在这项宏伟的科研项目中，阿贡国家实验室的杰出研究员杰弗里·伊兰（Jeffrey Elam）将亲自挂帅，领导这支精英研究团队。他不仅是ALD研究领域的先驱者，更是阿贡国家实验室开创性项目的奠基人。

“直到不久之前，微电子才开始大肆消耗地球上的电力资源，”埃兰博士感慨道，“现今的计算机，竟将90%以上的能量耗费在存储器和逻辑功能之间的数据传输上，而这些功能却分散在各自独立的芯片之上。这些能量最终都以热能的形式白白浪费。”面对计算需求日益增长的现实，他强调，“我们必须研发出低功耗的晶体管与微芯片技术，以突破这一能源瓶颈，防止潜在的能源危机。”

在这一科研征程中，阿贡国家实验室的科学家们将运用原子层沉积技术，对围绕二维二硫化钼的微芯片进行全新设计，以期彻底消除数据在芯片间的来回传输。埃兰博士解释说：“我们能够制造出极薄的二维二硫化钼片层，这些片层将取代传统晶体管中笨重的三维硅薄膜。这不仅为微芯片腾出更多空间，还能将存储器和逻辑功能巧妙地堆叠在一起，从而实现能耗的大幅降低。”

与此同时，阿贡国家实验室的科学家们还在积极探索将ALD MoS2应用于构建神经形态电路的存储晶体管中。尽管这一技术尚属新兴领域，但其潜在的能耗优势已引起广泛关注。相较于传统硅器件，这种神经形态电路的能耗可能降低至惊人的一百万倍。

实验室规模的研究已经成功验证了通过高温生长MoS2制备的2D-FET和忆阻器。然而，要实现商业制造，还需在低温条件下将MoS2沉积在大型晶片上。在这项美国能源部资助的项目中，研究团队将致力于开发这些关键技术，确保MoS2 ALD与当前半导体制造工艺的兼容性。

合作机构的科学家们将各展所长，共同推进项目的各个关键领域。斯坦福大学的埃里克·波普将专注于开发二维场效应晶体管器件，西北大学的马克·赫尔萨姆则致力于研发使用原子层沉积二硫化钼的存储晶体管，而博伊西州立大学的埃尔顿·格劳格纳德则将对原子层沉积二硫化钼涂层进行高级表征，以全面评估材料的质量。

在实验工作的同时，阿贡国家实验室还将借助先进的建模和模拟技术，设计包含ALD MoS2的高效节能设备。研究人员的最终目标是将堆叠设备推向中试规模演示，并最终将其商业化，为人类社会的可持续发展贡献力量。
 

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