SDRAM比一般的内存如NOR Flash更加复杂
- 当nSRAS变为低电平时,表示发出的是行地址
- 当nSCAS变为低电平时,表示发出的是列地址
也就是说,它要分别发送行地址和列地址。并起来才能访问
此外还有两个引脚需要注意
我们这块SDRAM,一次访问就是32位。如果只想写里面的某个字节该怎么办?
让LnWBE(write bit enable)变为低电平,如果它是高电平,那么写操作就不会影响对应的字节。
- LnWBE0表示低8位
- LnWBE1表示高8位
这是另外两条线
共4条线,表示32位
LnWBE的作用:如果只想修改某一个字节的话,就把某一个引脚拉为低电平就可以了。
如果没有的话,就只能把四个字节全部读出来,修改后再写进去,这样就非常麻烦。
为了避免这样的麻烦,就引入了这样一个引脚。
这是SDRAM的一个不方便之处,但对于NOR FLASH来说,修改某一个引脚就变得非常的简单了。