【半导体先进工艺制程技术系列】漏致势垒降低效应

短沟道效应

当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相比拟时，会出现一些不同于长沟道MOS管特性的现象，统称为短沟道效应，它们归因于在沟道区出现二维的电势分布以及高电场。

对于短沟道器件，它的短沟道效应表现为它的饱和电流是随着电压的升高而增大。当它的源和漏极的耗尽区宽度接近器件的沟道长度时，短沟道器件将发生源漏穿通现象，穿通的结果是器件在栅极关闭的情况下，产生很大的漏电流，器件无法通过栅极控制漏极漏电流，漏电流随着漏极电压增大而增大。

漏致势垒降低效应

发生穿通效应的原因是漏极电压的升高导致源极与衬底之间的自建势垒高度降低了，称为漏致势垒降低效应（Drain Induced Barrier Lowering,DIBL）。

 对于长沟道器件，上图中虚线部分，当漏极的电压不断升高时，漏极的电力线会沿着沟道方向向源极延伸，但是由于漏极和源极的耗尽区宽度远小于器件的沟道长度，所以漏极的电压不会影响源极与衬底之间的自建势垒高度。

对于短沟道器件，上图中实线部分，当漏极的电压不断升高时，漏极的电力线会沿着沟道方向向源极延伸，但是由于源和漏极的耗尽区宽度约等于器件的沟道长度，漏极电压的升高导致源漏极与衬底之间的自建势垒高度降低，随着漏极电压的不断升高，这个自建势垒高度不断降低，器件的沟道长度越短，DIBL效应就越严重，并且随着漏极电压不断增大而加强。

NMOS长沟道器件表面的能带图如下：

 NMOS短沟道器件表面的能带图如下：

DIBL效应的物理表象时源漏穿通现象，但源漏穿通现象并不是发生在器件的沟道表面，而是发生在远离栅极的沟道下面。

因为器件阱表面的掺杂浓度高于阱内部的掺杂浓度，并且靠近栅极的沟道受到栅极的有效控制，所以阱表面于漏极耗尽区的宽度比较窄，而阱内部与漏极耗尽区的宽度比较宽。DIBL效应与栅氧化层厚度和源漏区结深成正比，与沟道长度和沟道掺杂浓度成反比。

改善漏致势垒降低效应的方法

1.通过降低栅氧化层厚度抑制DIBL效应的方法是通过提高栅控能力来提高栅极与衬底的介面电场，达到提高衬底势垒高度的目的，从而降低漏电流和防止源漏穿通。

2.通过降低源漏区结深抑制DIBL效应的方法是通过减小漏极耗尽区与栅极的距离来提高栅控能力，达到控制衬底势垒高度的目的，从而防止源漏穿通。

3.通过提高沟道掺杂浓度抑制DIBL效应的方法是通过降低漏极耗尽区的宽度，使得源和漏极的耗尽区宽度之和小于器件的沟道长度，从而防止源漏穿通。