晶片光刻胶处理系统

摘要

在这项工作中，研究了新一代相流体剥离溶液在各种半导体光刻胶中的应用。这些实验中使用的独特的水基智能流体配方均为超大规模集成电路级，与铜兼容且无毒。实验的第一阶段是确定是否在合理的时间内与光刻胶类型和智能流体®配方发生反应，将最有希望的组合进行到第二阶段进行深入研究。后续实验结果证明了通过改变工艺温度设置和添加兆声能来优化工艺参数。通过目视检查和接触角测量来量化光刻胶剥离结果。

介绍

光刻胶材料的去除（光刻胶剥离）在理论上非常简单，但在实践中可能很困难和复杂。经典方法包括 SPM（过氧化硫模块）/食人鱼、臭氧和紫外线臭氧。溶剂型流体，例如 n-甲基吡咯烷酮 (NMP)、丙酮、二甲基亚砜 (DMSO) 和四甲铵 (TMAH)，都以各种形式和组合应用于该工艺。通常将溶剂与温度或气体 (1) 结合使用，以提高产量并减少在厚 PR 场景中因膨胀造成的损坏。动态分配系统也已应用于标准溶剂组合，包括气溶胶喷雾 (2) 和通过声能 (3) 对溶剂的物理活化，以帮助减少处理时间和因 PR 薄膜膨胀而引起的损坏。已经使用各种等离子体和 CO2 组合实现了许多干湿干组合。所有传统方法都包括危险和有毒材料和/或高设备费用以及多步骤过程控制的复杂性。由于诸如厚抗蚀剂、交联抗蚀剂或抗蚀剂下的敏感金属或材料等因素，剥离工艺变得更具挑战性。进行这项研究是为了确定在商业半导体抗蚀剂去除工艺步骤中使用独特的基于相流体的光致抗蚀剂剥离剂的可行性。由于其高度动态的内部结构，相流体渗透到光刻胶的聚合物网络中并将材料从表面提起，而