如图中所示,Gate A与GateB 周围POLY环境的不同便会导致PSE,65nm以下工艺,A和B参数差别会很大,加C作为DUMMY之后,B
和A周围POLY环境基本一致,参数也会较为接近。OSE原理也相近。
其实可以理解为扩散、注入等过程中,边缘浓度与中间会有很大的差别,所以需要周围加足够多的dummy,加的越多,中间器件的差别自然越小。
ose pse
最新推荐文章于 2024-05-16 14:47:05 发布
如图中所示,Gate A与GateB 周围POLY环境的不同便会导致PSE,65nm以下工艺,A和B参数差别会很大,加C作为DUMMY之后,B
和A周围POLY环境基本一致,参数也会较为接近。OSE原理也相近。
其实可以理解为扩散、注入等过程中,边缘浓度与中间会有很大的差别,所以需要周围加足够多的dummy,加的越多,中间器件的差别自然越小。