几道题目总结(CMOS)

1、分析高通差动对

 

直观的分析，低频时I0和I1两个电流源输出点开路，则I0和I1各自为一个无穷大的电阻，源级负反馈之后gm为0，放大倍数也为0，所以低频放大倍数为0.

频率升高之后，C0阻抗逐渐减小，I0和I1逐渐短路，此时NM0和NM1的S端近似为虚地，电路变成一个正常的差动对。

2、分析闪烁噪声和什么相关

闪烁噪声产生于栅氧界面，因此等效为栅极的一个电压源：v^2=k/(Cox*W*L*f)，所以只和面积有关。

注意这和MOS管的热噪声是不同的，热噪声等效为DS串联的电流：I^2=4kTλ*gm，假设负载电阻为ro，则等效到栅极的输入电压为：I^2*ro*ro/(gm*ro*gm*ro)=4kTλ/gm。

3、关于阻尼因子

阻尼因子的大概表达式为：Hs=A/(s^2+2*k*w0*s+w0^2)，即将闭环系统的传递函数写成这个形式，k即阻尼因子。

阻尼因子分别为0.5,1,2时（欠阻尼、临界阻尼和过阻尼），阶跃响应如图：

 插入一段代码，有助于分析阶跃响应：

%bode and nyquist plot
syms s;
beta=1;%反馈系数
fs0=1000/(1+s/1000)^2/(1+s/10000);%开环传递函数
fs0_2=fs0/(1+fs0*beta);%闭环传递函数
fs0=expand(fs0);
fs0_2=expand(fs0_2);
[N1,D1]=numden(fs0);
[N2,D2]=numden(fs0_2);
res1=double(fliplr(coeffs(N1,s)));
res2=double(fliplr(coeffs(D1,s)));%提取开环传递函数的系数

ses1=double(fliplr(coeffs(N2,s)));
ses2=double(fliplr(coeffs(D2,s)));%提取闭环传递函数系数


hs0=tf(res1,res2);
hs0_2=tf(ses1,ses2);
figure;
%bode(hs0);
margin(hs0_2);
figure;
step(hs0_2,39e-4);
%margin(hs0);
%nyquist(hs0);

对于一个两级运放来说，假设增益为1000,w1=50k,w2=100M,这个运放w2~=2GBW。

则开环传递函数为：

Hs=1000/[(1+s/50e3)*(1+s/100e6)]，

反馈系数为1时，闭环传递函数为：

H2s=Hs/(1+Hs)=1000*50e3*100e6/(s^2+(50e3+100e6)+1001*50e3*100e6));

其阶跃响应为：

 

 4、共源放大器中源级负反馈电阻的作用？

1中看到，源级负反馈电阻会减小gm，另外，电阻产生热噪声，增加了整个系统的噪声。

好处就是，能够使得增益表达式受gm的影响小一点，但是这种电路的具体应用在哪呢？

5、单端运放的开环增益仿真方法

开环增益的常规仿真用STB，不过加ac=0，DC=∞的电阻和一个ac=∞，dc=0的电阻，环路更清晰。

题目给了一个选项同样具有上述效果：

6、 版图效应：LOD,WPE,OSE,PSE

PSE:poly spacing effect；OSE:oxide spacing effect

即边缘器件和中间器件会有差别，解决方案就是加dummy。

WPE:阱临近效应，产生原因是对阱进行离子注入时，边缘由于散射导致更大的载流子密度，这样导致阱不同位置的MOS管性能不同。Sca、scb、scc参数即来源于此。

LOD效应：length of diffusion。深亚微米下不再采用会产生“鸟嘴”的隔离技术LOCOS，而是换成STI：shallow trench isolation。这种技术会通过侧壁对阱内部产生压力，对于一个MOS管来说，其受到的应力和其距离阱两侧的STI岛的距离有关，即sa和sb参数。

 注：部分参考网页：http://rt2innocence.net/integrated-circuit/wpe-and-lod-effect/

7、jitter对ADC信噪比的影响

对于一个正弦波fin=Asin(wt)输入的ADC，假设抖动的平均值为k（每次采样时钟偏移量的平均值为k），则jitter带来的噪声为：

d(fin)/dt *k=Acos(wt)*w*k(由于jitter是随机的，所以这个表达式代表一个随机信号而不是余弦信号)，

则信号和jitter噪声的SNR为：

-20lg(k*w)，也就是说输入频率增加一倍，jitter噪声相比输入信号增加6dB；具体SNDR降低了多少还需要结合热噪声和量化噪声来评估。

8、单端运放的CMRR仿真

根据此电路图求CMRR：

Vo=Adm*(Vip-Vin)+Acm(Vip+Vin)/2,

Vip=2/3,

(1-Vin)/R=(Vin-Vo)/2R,

综合得到Vo*(Adm+1-Acm/6)=Acm*2/3，由于Acm相对Adm较小，近似得到CMRR=1/Vo*2/3.

参考了这篇网页：

http://rt2innocence.net/integrated-circuit/testbench-for-cmrr-psrr-simulation/的仿真方法：

之前仿真CMRR都是差分输入短接到一个ac小信号上来仿真开环的Acm，而这两种仿真方法都接成了环路，能够获得合理的直流工作点。其中，图1的输出直流点还受到V0和反馈电阻的影响，图2的直流工作点完全由反馈来得到，更适合OTA。