DC 参数测试,测的主要是器件上单个引脚的一些特性。对大多数的 DC 参数来说,实质上是在测半导体的电阻率,而解释电阻率用的是欧姆定律。如需验证 DC 测试流程的可行性,也可以借电阻器来等效 DUT,以排除 DUT 之外的问题。比方说,在芯片规格书里出现的参数 VOL:
我们可以看出,VOL 最大值为 0.4V,IOL 为 8mA,即当输出逻辑低电平的情况下,必须是在不大于 0.4V 的电压下产生 8mA 的电流,所以我们可以得出,这个器件的最大电阻不超过 50Ω。所以,可以借用不大于 50Ω 的电阻替代 DUT,以验证测试流程。我们的目的是把问题聚焦在 DUT 上,而非 DUT 以外的问题。
IDD & Gross IDD
IDD 表示的是 CMOS 电路中从漏极(D)到漏极(D)的电流(I),如果是 TTL 电路则称为 ICC(从集电极到集电极的电流)。Gross IDD 指的是流入 VDD 管脚的总电流(在 Wafer Probe 或成品阶段都可测试)。IDD 是看芯片总电流会不会超标,一般要看最低功耗和最大工频下的电流。
测试 Gross IDD 是为了判断能否继续测 DUT。通常这个测试紧接 OS 测试,是 DUT 通电后的第一个测试。如果 Gross IDD 测试不通过(如电流过大),那就不能接着测下去了。
在 Gross IDD 测试阶段时,还不知道预处理是否可以正常进行,所以需要放宽 IDD 规范。待 Gross IDD 测试通过之后进行预处理程序,才可以准确定义出 IDD 规范电流。
Gross IDD 测试需要先通过重置,以将所有输入引脚设低 / 高电平,通常 VIL 设置为 0V、VIH 设置为 VDD,所有输出引脚空载(防止悬空产生漏电流,使 IDD 变大)。测试的示意图如下:
需要注意的事项:
- 需要设置电流钳,防止电流过大损坏测试设备。
- 如果出现负电流,也代表测试不通过。
- 如果测试发生错误,可以先排除是测试设备的问题,不加芯片空着 socket 跑测试,其电流应该是 0,否则意味着 DUT 以外的设备也在消耗电流。
IDD 测试 - 静态法
静态 IDD 测试,测量的是流入 VDD 引脚的总电流一般需要 DUT 运行在最低功耗的模式下。静态 IDD 与 Gross IDD 测试的区别是,Gross IDD 还没有预处理程序,只是一种粗测,而静态 IDD 测试是已有预处理模式,通过预处理后再进行的测试。
举个例子,下表是一个 IDD 参数样本:
IDD 静态测试的示意图如下:
测试流程如下:
- 用测试矢量将 DUT 设置为消耗电流最少、保持在静态的状态。
- 检测引脚电流值
- 高于 IDD Spec:Fail
- 其他区间:Pass
测试时,通常需要在上电与采样之间加延时,让寄生电容充满电,避免造成干扰。
如果需要测试不同逻辑下的静态电流,可以测 IDDQ 参数,增加测试覆盖率(IDDQ 是测某个静止逻辑状态下的电流,比如说开一部分 MOS 管进行某个状态下的测试)。
IDD 测试 - 动态法
IDD 动态测试的目的,是测试 DUT 在 动态执行功能 时(通常为 DUT 最大工频)消耗的电流,确保其不会超过标称值。
举个例子,下表