半导体测试基础 - DC 参数测试

DC 参数测试，测的主要是器件上单个引脚的一些特性。对大多数的 DC 参数来说，实质上是在测半导体的电阻率，而解释电阻率用的是欧姆定律。如需验证 DC 测试流程的可行性，也可以借电阻器来等效 DUT，以排除 DUT 之外的问题。比方说，在芯片规格书里出现的参数 VOL：

 我们可以看出，VOL 最大值为 0.4V，IOL 为 8mA，即当输出逻辑低电平的情况下，必须是在不大于 0.4V 的电压下产生 8mA 的电流，所以我们可以得出，这个器件的最大电阻不超过 50Ω。所以，可以借用不大于 50Ω 的电阻替代 DUT，以验证测试流程。我们的目的是把问题聚焦在 DUT 上，而非 DUT 以外的问题。

IDD & Gross IDD

IDD 表示的是 CMOS 电路中从漏极（D）到漏极（D）的电流（I），如果是 TTL 电路则称为 ICC（从集电极到集电极的电流）。Gross IDD 指的是流入 VDD 管脚的总电流（在 Wafer Probe 或成品阶段都可测试）。IDD 是看芯片总电流会不会超标，一般要看最低功耗和最大工频下的电流。

测试 Gross IDD 是为了判断能否继续测 DUT。通常这个测试紧接 OS 测试，是 DUT 通电后的第一个测试。如果 Gross IDD 测试不通过（如电流过大），那就不能接着测下去了。

在 Gross IDD 测试阶段时，还不知道预处理是否可以正常进行，所以需要放宽 IDD 规范。待 Gross IDD 测试通过之后进行预处理程序，才可以准确定义出 IDD 规范电流。

Gross IDD 测试需要先通过重置，以将所有输入引脚设低 / 高电平，通常 VIL 设置为 0V、VIH 设置为 VDD，所有输出引脚空载（防止悬空产生漏电流，使 IDD 变大）。测试的示意图如下：

需要注意的事项：

• 需要设置电流钳，防止电流过大损坏测试设备。
• 如果出现负电流，也代表测试不通过。
• 如果测试发生错误，可以先排除是测试设备的问题，不加芯片空着 socket 跑测试，其电流应该是 0，否则意味着 DUT 以外的设备也在消耗电流。

IDD 测试 - 静态法

静态 IDD 测试，测量的是流入 VDD 引脚的总电流一般需要 DUT 运行在最低功耗的模式下。静态 IDD 与 Gross IDD 测试的区别是，Gross IDD 还没有预处理程序，只是一种粗测，而静态 IDD 测试是已有预处理模式，通过预处理后再进行的测试。

举个例子，下表是一个 IDD 参数样本：

 IDD 静态测试的示意图如下：

测试流程如下：

1. 用测试矢量将 DUT 设置为消耗电流最少、保持在静态的状态。
2. 检测引脚电流值
   • 高于 IDD Spec：Fail
   • 其他区间：Pass

测试时，通常需要在上电与采样之间加延时，让寄生电容充满电，避免造成干扰。

如果需要测试不同逻辑下的静态电流，可以测 IDDQ 参数，增加测试覆盖率（IDDQ 是测某个静止逻辑状态下的电流，比如说开一部分 MOS 管进行某个状态下的测试）。

IDD 测试 - 动态法

IDD 动态测试的目的，是测试 DUT 在 动态执行功能 时（通常为 DUT 最大工频）消耗的电流，确保其不会超过标称值。

举个例子，下表是一个