1.5 匹配电容计算
1.5.1 简介
相信很多的小伙伴,现在还不是清楚晶振和晶体振荡器的区别。晶振与晶体振荡器的最主要的区别就是晶体无需电源供电,晶体振荡器需要外接电源。
图1.29 晶振电路
单片机外部的的晶振电路通常如上图,其中CL1和CL2为匹配电容。CL1和CL2的电容值通常相等。
1.5.2 匹配电容的选择
匹配电容的计算,通常按照下面的公式进行计算:
CL = (CL1 * CL2) /(CL1 + CL2) + CS
其中:
表1. 4 参数说明
序号 | 名称 | 意义 |
1 | CL | 负载电容 |
2 | CL1 | 匹配电容1 |
3 | CL2 | 匹配电容2 |
4 | CS | 寄生电容,一般取3~5pF。 |
案例分析:此处以SC-32S32.768kHz20PPM6pF为例,具体参数如下:
图1. 30 SC-32S32.768kHz20PPM6pF参数
其负载电容CL为6~12.5pF,CS此处取4pF:
- 当CL为6pF时,CL1=CL2=(6-4) * 2pF = 4pF;
- 当CL为12.5pF时,CL1=CL2=(12.5-4) * 2pF = 17pF
因此,该晶振的匹配电容为4~17pF。
1.5.3 电阻的选择
晶振附近通常会并联或者串联上一个电阻,连接的方式不同,当然其功能也不同。
图1.31 电阻并联与串联
并联电阻的功能:
- 降低晶体的Q值;
- 抑制EMI,EMI不过时,可减小阻值;
- 提供直流工作点;
- 使门电路工作于线性区。
串联电阻的功能:
- 降低晶体的激励功率,防止损坏。
- 限制振荡幅度。
1.5.4 布局注意事项
- 晶振的下面设置为禁布区;
- 晶振不要放置在板卡的边缘;
- 晶振布线尽量短。