ROM、RAM、FLASH 的区别

ROM、RAM、FLASH 的区别

• ROM（Read Only Memory）：只读存储器，掉电时可以保存数据

  • MROM（MASK ROM）：掩膜只读存储器，存储的信息由生产厂家在掩膜工艺过程中“写入”
  • PROM（Programmable ROM）：可编程只读存储器，允许用户通过专用的设备（编程器）一次性写入自己所需要的信息，一般只可编程一次
  • EPROM（Erasable Programmable ROM）：可编程可擦除只读存储器，使用紫外线照射的方法擦除数据，允许用户多次编程和擦除操作
  • EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）：电可擦可编程序只读存储器，可以通过电压脉冲来擦除和编程数据

• RAM（Random Access Memory）：随机存取存储器，可读可写，掉电会丢失数据

  • SRAM（Static RAM）：静态存储器，SRAM 速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2 Cache)
  • DRAM（Dynamic RAM）：动态存储器，读写速度较慢，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。DRAM 用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。
  • SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）：同步动态随机存储器，需要刷新，速度较快，容量大，比 DRAM 多一个同步时钟。
  • DDR SDRAM（Double-Date-Rate SDRAM）：双倍速率动态随机存储器，需要刷新，速度快，容量大。和 SDRAM 不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存。在很多高端的显卡上，也配备了高速 DDR SDRAM 来提高带宽，这可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能力。

• FLASH Memory（闪存）：结合了 ROM 和 RAM 的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据，同时可以快速读取数据，但是写入前都需先进行擦除操作。目前 FLASH 主要有 NOR FLASH 和 NAND FLASH 两种：

  • NOR FLASH的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

  • NAND FLASH没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的FLASH比较廉价。用户不能直接运行NAND FLASH上的代码，因此好多使用NAND FLASH的开发板除了使用NAND Flah以外，还加上了一块小的NOR FLASH来运行启动代码。

    	NOR	NAND
    类型理解	或非	与非
    接口理解	地址、数据总线分开	地址、数据总线共用
    读写单位	字节	页
    组成结构	扇区、字节	块、页
    擦除单位	扇区	块
    读写速度	读速度比较快	写速度比较快
    擦除速度	5ms擦除速度	4ms擦除速度