元器件选型与参数08 MOS管BJT的对比-实际电路计算-输入保护、电压通断

陌夏微秋

已于 2024-11-27 10:42:46 修改

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分类专栏：硬件、嵌入式硬件知识——秋招准备文章标签：单片机 arm开发 51单片机嵌入式硬件硬件工程

于 2024-11-27 10:42:05 首次发布

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一、在开关领域的MOS和BJT

MOSFET（场效应管）和BJT（三极管）都可以用作开关元件，但它们各自的特点和优缺点使得它们适用于不同的应用场景。选择MOSFET还是BJT，通常取决于以下几个因素：

BJT：适合低电流到中等电流的应用，特别是在需要处理较大电流时（例如在低压直流电路中）。BJT的电流承载能力较强，尤其是在电流放大方面更为突出。
MOSFET：适合低电流到高电流的应用，尤其是在高频、大功率开关电源和功率放大等领域，MOSFET能提供更高的电流承载能力，尤其是在高电压、高电流的电力电子应用中。

总结：如果电流较大，MOSFET通常更优，因为它能处理更高的功率并具有更好的热管理性能，而BJT在高电流应用中可能会面临过大的导通压降（V_CE(sat)）和较大的功耗。

BJT：由于其基极电流的控制特性，BJT的开关速度相对较慢。尤其是在切换过程中，BJT会受到载流子存储效应的影响，导致其开关速度较低（尤其是从导通状态切换到截止状态时，BJT的反向恢复时间较长）。
MOSFET：MOSFET的开关速度较快，尤其是对于高频开关应用（例如开关电源、射频应用等），MOSFET通常优于BJT。MOSFET的开关速度快，且不受载流子存储效应的影响，因此能提供更快的响应。

总结：如果要求较高的开关速度，尤其是在高频应用中，MOSFET通常是更好的选择。

BJT：开关时的损耗通常较大，尤其是在高频应用中，因为BJT需要基极电流来驱动其开关过程，且在开关过程中会有较大的能量损耗（如V_CE(sat)较高）。此外，BJT的开关过程还受到载流子存储效应的影响。
MOSFET：MOSFET在开关过程中的损耗较低，尤其是当它工作在饱和区时，导通电阻（R_DS(on)）较小，且不需要基极电流。MOSFET的开关损耗通常较低，这使得它更适用于高效开关电源和大功率应用。

总结：MOSFET的开关损耗通常比BJT低，因此在要求高效的开关电源和大功率转换应用中，MOSFET是首选。