元器件选型与参数10 运算放大器参数计算-电源供电、运放布局、输入阻抗匹配、运放改进

目录

一、电源供电

1、为什么大电容靠近电源,而小电容靠近IC电源引脚

2、大电容与小电容的参数如何确定的

3、+5V、-0.2V供电

二、放大器的运放的布局

1、滤波电容的布局

2、缩短倒相引脚

3、其他

三、输入阻抗匹配

四、用同相还是反向

1、同相与反相的特点

2、同相与反相的不同

3、反相输入法与同相输入法的重大区别是

五、运放的改进


一、电源供电

此最重要,一般都需要加入去耦电容。

  • 大的去耦电容(库电容)远离芯片;
  • 小的去耦电容(去耦电容或者叫旁路电容)靠近芯片;
  • 让去耦电容器尽量靠近电源引脚;
  • 如果使用了多个去耦电容器,将最小的去耦电容器放在离电源引脚最近的位置;
  • V+和V-间接电容滤波,可减少偶数次高次谐波。

那为什么呢?

1、为什么大电容靠近电源,而小电容靠近IC电源引脚

        在使用多个去耦电容器的电路设计中,通常会根据电容的大小和作用频率来决定其放置的位置。将最小的去耦电容器放在离电源引脚最近的位置,主要是基于以下几个原因:

  • 小电容器(比如 0.1 µF 或 10 nF)具有较高的工作频率响应能力。它们能够有效地滤除较高频率的噪声和干扰。这是因为小电容器的阻抗随着频率的增加而迅速下降,在高频信号中表现出较低的阻抗,能更好地吸收高频噪声。
  • 将这些小电容器放置在离电源引脚最近的位置,可以最大化它们在高频下的去耦效果。这样,电源引脚附近的高频噪声和瞬态变化能够被迅速吸收,减少对电路稳定性的影响。
  • 小电容器通常具有较低的ESR值(等效串联电阻),这使得它们在高频噪声的滤除中更加有效。离电源引脚较近的地方需要更快速响应的去耦电容,而低ESR的电容在这种情况下能提供更好的滤波效果。
  • 当电路中的负载发生快速电流变化时,电源电压可能会瞬时波动,产生电压瞬态。小电容器能够快速响应这种变化,通过提供高频电流路径,减小瞬态电压波动的影响。

  • 大电容器(如 10 µF、100 µF 或更大)主要用于滤除较低频率的噪声,例如低频纹波或电源的不稳定性。大电容器在低频时能提供较大的电流支持,但它们的频率响应较差,不能有效去除高频噪声。
  • 因为大电容器主要针对低频噪声和电压稳定,它们一般被放置在离负载较远的位置,这样能够有效地平滑电源电压,减少电源波动对整个电路的影响

        其实说到最后,个人感觉其中比较重要的就是高频噪声较容易被引入,如果小电容放在前面滤除掉了高频噪声,后续很容易再次引入导致无法被滤除,因此要贴近IC的电源引脚;大电容要保证电源的波动影响降低到最小,而电源波动的导致的噪声较低,因此优先放在电源后,以有效平滑电源电压。

2、大电容与小电容的参数如何确定的

        并非完全是经验值。基于电路中噪声频率的特点、目标滤波效果以及实际设计中的经验值来选择的。这些数值具有一定的标准性,通常出现在实际电路中,主要考虑了以下几个因素:

        0.1 µF 和 10 µF 这样的去耦电容器数值,并不是随意选定的,而是基于电路中噪声频率的特点、目标滤波效果以及实际设计中的经验值来选择的。这些数值具有一定的标准性,通常出现在实际电路中,主要考虑了以下:

一般按C=1/f

        电源噪声的频率范围通常会从几十赫兹

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