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BJT的静态和小信号模型参考BJT
BJT
在CMOS工艺中实现的垂直NPN晶体管和垂直PNP晶体管的简化横断面图分别如图1.1(A)和(B)所示，而图1.1（C）和(D)分别是图1.1(A)和(B)中晶体管的版图。通常，NPN晶体管因其较高的集电极电流效率和可实现低串联基区电阻的高掺杂基区而成为首选。PNP晶体管在电压基准电路中的应用还有其他局限性。考虑图1.1(B)中所示的垂直PNP晶体管，其中发射极由P型区域形成，基极由N阱形成，集电极由P型衬底形成。这样的BJT实现有两个限制。首先，集电极由衬底形成，该衬底永久地连接到最低电源电压。其次，与其对应的npn相比，晶体管的电流增益 β非常低，垂直PNP晶体管只有在基极电阻较小的情况下才适用于基准电压源电路的设计。并且垂直PNP它不能用在共源共栅结构中，因为集电极需要连接到地，因此不能连接到另一个BJT的发射极。
NPN

PNP


**

MOS

热特性： the threshold voltage Vth(T), the carrier mobility in channel region μ(T), and the transconductance gm(T) of the MOSFETs

沟道长度调制效应
随着MOSFET器件几何形状的不断缩小，源区和漏区的耗尽宽度将成为沟道的重要部分。由于流过器件的电流既受来自栅极的电场控制，又受来自漏极至源极的电场控制，这将引起沟道长度调制效应。MOSFET的沟道长度调制效应描述了漏极处的耗尽宽度随漏极电压的增加而增加。结果，有效沟道长度变短，这导致漏电流增加。
PN结
BJT管PN结有基极发射级、基极集电极、基极衬底。基极发射级具有很大的串联电阻，一般不会使用，基极集电极所形成的二极管相对好一些。对于MOS管由于版图形成的二极管比BJT管好一些，由于与BJT相比，MOSFET的版图更紧凑，因此MOSFET似乎是二极管实现的更好选择。另一方面，当两个二极管连接的晶体管的伏安特性都受到偏置电流的影响时，偏置电流对二极管连接的MOSFET的影响要大于二极管连接的BJT。这是因为二极管连接的MOSFET需要在亚阈值模式下偏置，以获得接近线性的ＣＴＡＴ特性。因此，二极管连接的BJT在不同偏置条件下的稳健性将成为选择它来实现的一个很好的理由。
电阻
R＝ρL/S＝（ρ／Ｈ）Ｘ（Ｌ／Ｗ）＝Rsheet　Ｘ（Ｌ／Ｗ）
ρ为物质的电阻率，单位为欧姆米(Ω. m)；Ｌ为长度，Ｗ为宽度，单位为米(m)；S为截面积，单位为平方米（m2）；Rsheet为方块电阻值。Rsheet, i n Ω／□。
从表中可以看到P+多晶硅电阻器是最适合用于温度和电压变化稳健电路的电阻器类型。

电阻与电压和温度有关。
为了微调电阻器的值以获得稳定的电阻以实现准确的电路实现，大多数电路使用电阻器对，因此重要的是电阻器对的电阻之间的比率，而不是电阻器的绝对电阻。在这种情况下，电阻值的匹配是降低电路性能变化的最重要因素。
ｄｕｍｍｙ
任何器件的内部和外部单元之间的掺杂剂扩散量受这两个区域之间的相对掺杂剂浓度的影响。很明显，在数字化间布局和共心布局的边缘处的单位电阻之间将存在不同的掺杂扩散。因此，这会导致失配，并被称为末端效应问题。这个问题可以通过在电阻器布局的边缘放置虚拟元件来补偿掺杂浓度差来缓解，方法是确保匹配的电阻器的单位电阻器具有相同的相邻结构。通常，ｄｕｍｍｙ的电位一般接地或者接ＶＤＤ，而不是悬空。
保护环Guard Ring
为减少衬底噪声对电阻器的影响，可以用保护环包围电阻器网络。保护环通常连接到接地或VDD，而不是让它们悬浮，以避免可能影响电路的令人不快的电气特性。