《炬丰科技-半导体工艺》GaN在碱性 S2O82-溶液中的光刻机理

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN在碱性 S2O82-溶液中的光刻机理

编号：JFKJ-21-819

作者：炬丰科技

摘要

本文利用n型氮化镓在碱性过氧二硫酸盐S2O2−8溶液中的电化学研究，解释了开路条件下半导体的光刻机理。观察到的铂直接接触半导体或电接触的光蚀刻速率的增强主要是光光效应。阐明了决定蚀刻动力学和表面形态的因素。

介绍

单晶氮化镓和三元第三族氮化物引起了科学界的极大兴趣，它们优越的化学和物理性能在高性能光电和电子器件中得到了应用。蚀刻是器件制造中必不可少的步骤。可以使用干蚀刻技术；这些包括反应离子刻蚀RIE、电子回旋RIE、电感耦合等离子体RIE、磁控管RIE和化学辅助离子束刻蚀。然而，这些技术涉及复杂和昂贵的设备。此外，干法蚀刻可能导致损坏的表面和体电子状态，这对光电子器件的性能有害。湿化学蚀刻提供了一种简单而有吸引力的替代方法， 避免了表面损坏的问题。

本文用S2O2-8碱性溶液中n型氮化镓的电化学研究结果作为考虑半导体光刻的基础。使用了三种方法:I)光阳极蚀刻，其中半导体的电位由电压源稳压器固定，ii)光电流蚀刻，其中半导体在没有电压源的情况下短路到反电极，以及iii)无反电极的无电光刻。在另一篇论文中，我们描述了显示缺陷和图案蚀刻或抛光的最佳S2O 2-8/KOH比率的结果。还考虑了S2O2-8/KOH溶液中缺陷选择性蚀刻的可靠性。

实验

电化学测量在三电极电池中进行，以铂反电极和饱和甘汞电极作为参考。给出