硬件相关基础知识2（NOR Flash和NAND Flash的区别）

需求说明：因选择存储芯片涉及到NOR Flash和NAND Flash相关知识，查阅资料，整理如下

                  第一部分：重点从技术层面说明NOR Flash和NAND Flash区别，比如工艺，实现细节

                  第二部分：从技术应用角度分析两者差异，更具实用性

                  第三部分：NOR Flash芯片厂商市场占有率分析及两者对比个人小结

第一部分
来自：http://www.elecfans.com/bandaoti/cunchu/20120925290176.html

    我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人
都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。


    这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，
通地程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和
MP3里用的就是这种存储器。


    “flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术
相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合
一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM的读取
是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了
成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，
通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 
上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 
NOR Flash 来运行启动代码。


    NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行
（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统
RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度
大大影响了它的性能。


    Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非
线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容