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负反馈放大电路的方框图
负反馈放大电路的方框图Xo=Xi’AXf=XoF闭环放大系数 Af=A/(1+AF)AF=Xf/Xi’ 成为环路放大倍数|1+AF| 反馈深度,这个值远远大于1,叫做深度负反馈深度负反馈下的Af≈1/F四种组态电路的方框图负反馈对放大电路的影响稳定放大倍数中频段的时候Af=A/(1+AF),对这个式子求导得到dAf/Af=1/(1+AF)dA/A1/(1+AF),称为反馈深度,放大倍数减小了1/(1+AF)倍。改变了输出输入电阻对输入电阻Ri=Ui’/IiRif=Ui/I原创 2020-07-10 15:58:52 · 3770 阅读 · 0 评论 -
放大电路中的反馈(电压串联负反馈,电流串联负反馈,电压并联负反馈,电压并联负反馈)
放大电路中的反馈反馈的判断反馈的存在与否?从结构上判断结构上存在一个通路,关系上存在一个反馈量。图a,从结构来讲不存在一个通路。图b,从结构来讲存在一个通路,从关系来讲,将Ui置零,输入反向端出现了一个R1/(R1+R2)*Uo这样一个信号,所以是存在反馈的。图c,从结构来讲存在一个通路,但是同向输入端的输入于Uo无关。反馈的极性判断是正反馈还是负反馈。分清净输入量、输入端。判断方法:1.瞬时极性法输入+ → 输出量(+/-)→输入端反应(+/-)(正反馈/负反馈)。运放的虚原创 2020-07-09 21:17:50 · 30993 阅读 · 3 评论 -
电流源(镜像电流源、比例电流源、微电流源、加射极输出的镜像电流源、威尔逊电流源、多路电流源)
电流源电流源是为各级提供合适的静态电流,静态电流是固定的。镜像电流源从图中可以看出来,IR=(Vcc-Ube)/R,IR=IC+IB,IC=βIBIC=β/(β+2)*IR,当β远大于2的时候,IC≈IR。所以由于电路的特殊接法,造成了IC与IR的值近似相等,通过调节R的值的大小就可以控制不同的IC的输出。优点镜像电流源具有一定的温度补偿特性,当温度上升的时候,IC变大,R上的压降变大,UBE变小,IB变小,IC又变小。因此提高了输出电流IC1的稳定性。缺点当需要比较大的IC1的时候,势原创 2020-07-07 21:38:25 · 33134 阅读 · 4 评论 -
多级放大电路的频率响应(上限截止频率FH、下限截止频率FL)
多级放大电路的频率响应多级放大电路中总相移和增益是各级放大电路的相移与增益之和。原创 2020-07-06 10:44:30 · 16586 阅读 · 1 评论 -
放大电路的频率响应(高通电路推导、低通电路推导、波特图的画法、晶体管的Π模型等效、晶体管全频率分析)
低频段的原因是因为阻容耦合,高频段的原因是因为极间电容。基本概念一、高通电路幅频特性:Au与f的关系,0.707对应的f为FL,下限截止频率相频特性:相位角与f从这里可以看出来,阻容耦合的耦合电容与电阻其实是高通电路,三极管之间的结电容是低通电路,有上限截止频率。波特图高通电路求fL=1/2ΠRC,然后10fL对应0和0°,0.1fL对应90°晶体管的混合Π模型考虑了发射结和集电结影响。...原创 2020-07-04 19:16:05 · 12168 阅读 · 4 评论 -
直接耦合的互补输出级
直接耦合的互补输出级一个较为完整的放大电路,有输入端、放大端、输出端。输入端的输入电阻要大,便于抢信号,还要抑制温漂影响,所以在已学的电路中使用差分放大电路最合适不过。放大端要放大功率,最好能放大电压和电流,所以使用基本共射放大电路输出端输出电阻要小,输出电压要大,功率要大,效率要高,就要使用互补输出级。首先Ro小,Uo大最好使用射极输出器做。三极管放大工作状态甲类η=Po/Pv Po是直流转化为交流的功率,Pv是直流功率无交流输入也有功耗,Po基本等于Vcc*(IC+IB),发热严重原创 2020-07-02 22:19:59 · 3068 阅读 · 0 评论 -
差分放大电路的构成(零点漂移、差分放大电路是怎么构成的、共模信号、差模信号)
差分放大电路的构成直接耦合放大电路零点漂移现象输入短接,输出不是一条直线,就是交流量不是零。一、产生原因温漂,温度变化使静态工作点发生变化,产生零点漂移二、抑制温漂的方法加射极电阻Re,问题在于直接耦合影响放大倍数差分放大电路共模信号差模信号共模信号:大小相同方向相同的信号差模信号:大小相同方向相反的信号差分放大电路是怎么构成的?在阻容式耦合电路里面,在射极加了电阻Re之后虽然可以很好的抑制零点漂移也就是Q点的浮动,但是阻容式耦合还在Re旁边并联了一个电容Ce,到了直接耦合的时原创 2020-07-01 22:43:55 · 8604 阅读 · 2 评论 -
多级放大电路(直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合)
多级放大电路直接耦合图a,两个共射放大电路的直接耦合,T2的集电极电位是UBE大约是0.7,T1的基极电位大约也是0.7,集电结无法反偏,T1很有可能就奔着饱和去了。图b,为了避免a的问题,加电阻Re2,可是Re2变大之后T2的放大倍数也因为Re2的影响而减小。图c,加稳压二极管,又串联一个电阻R的原因是因为给稳压二极管足够大的电流,使其能够稳压,如果不加很有可能这个IE的电流没法使稳压二极管稳压。可是这样加的话前级的反偏问题是解决了,后一级T2的基极电位变高,想要保证T2的反偏要使VCC进一步提原创 2020-07-01 16:49:53 · 4680 阅读 · 0 评论 -
MOS管场效应管构成的基本放大电路(等效的过程、gm的推导、基本共漏源极输出器、基本共源、对比三极管)
场效应管构成的基本放大电路场效应管的微变等效电路在小信号的工作条件下,场效应管工作在恒流区的时候,可以像三极管一样用微变等效电路来分析。回想三极管的输入特性曲线,因为ib电流的存在,所以输入回路中求得是静态工作点切线得斜率,也就是电阻rbe,表征得是小信号输入时Ube与ib之间得关系因此输入回路是一个电阻rbe,输出回路中ib又与ic之间成比例,所以输出回路近似等效为一个流控电流源。场效应管中因为栅源之间呈现很高的电阻,基本不从信号源索取电流,所以可以认为栅源之间为开路。在输出回路中,我们研究的是其原创 2020-06-30 20:51:34 · 34060 阅读 · 7 评论 -
基本共基放大电路(直流通路、交流通路、Ri、Ro、Auo、特性)
基本共基放大电路VBB给了输入回路一个静态工作点使发射结正偏,VCC给了输出回路一个静态工作点使集电结反偏。图b是基本共基放大电路的交流通路图c是基本共基放大电路交流通路的简化H参数等效模型如果Re很大的话,基本共基放大电路的作用就难说了,Re很大电流没放大,电压也没有放大,所以一般在使用共基放大电路的时候Re很小,一般就是信号的内阻,所以其电压放大倍数近似于基本共射放大电路的放大倍数。其优点是通频带很宽,他的通频带是基本共射放大电路和射极输出器的(1+β)倍。...原创 2020-06-30 10:31:08 · 8850 阅读 · 0 评论 -
基本共集放大电路(交流通路、直流通路、Ri、Ro、Auo)
基本共集放大电路图a是基本共集放大电路,从基极与发射极进行输入,从发射极进行输出,共用的是集电极(这个公用在交流通路中很直观),所以叫做共集放大电路。图b是基本共集放大电路的直流通路图c是基本共集放大电路的交流通路直流通路十分简单,交流通路的画起来可能有些费劲,下图一步步转换一下。得到交流通路之后,再做出他的简化H参数等效模型其参数如下基本共集放大电路相比基本共射放大电路而言,他没有电压放大作用,有电流放大作用,也是功率放大,他的输入电阻相比较于基本共射的rbe而言要大的多,所以适合放原创 2020-06-30 10:04:33 · 19900 阅读 · 1 评论 -
Q点稳定的放大电路(如何稳定的、正向反向二极管Q点稳定电路、Q点稳定放大电路的直流通路交流通路的分析)
Q点稳定的放大电路从图中可以到当温度上升的时候,β变大,Iceo也会变大,Iceo是少子的运动产生的,所以当温度升高的时候,Iceo也会变大。下面两个图必要性一、什么对Q有影响?1.温度(影响非常大)2.电源的波动3.器件的老化二、稳定Q点的思路Q点的变化引起ic的变化,ic的变化与ib的变化有关,ib的变化与UBE的变化有关,那我就要在温度变化引起Q点上移或者下移的时候通过改变UBE来抑制这种变化。所以在发射极与地之间连一个电阻。这样当温度上升的时候,β变大,ic变大,发射极电位原创 2020-06-30 09:15:29 · 4091 阅读 · 0 评论 -
基本共射放大电路的动态分析(低频、Ri、Ro大小对电路影响的分析)
1.静态直流通路计算IBQ、IEQ、Rbe判断工作状态2.动态交流通路得到简化H参数等效Ri、Ro、Auo、Aus关于共射放大电路没有什么好讲的,这里记一下Ri和Ro输入源是一个电压源那么Ri越大越好,因为Ri越大分的输入的电压就越大,放大的就越好对于Ro来说,如果想要输出稳定的电压,那么Ro越小越好。类比电压源如果想要输出稳定的电流,那么Ro越大越好,类比电流源如下图...原创 2020-06-29 16:19:45 · 6396 阅读 · 0 评论 -
三极管H参数的等效模型(数学推导过程、rbe电阻公式的推导、h参数等效模型的简化极其如何简化的原理)
H参数等效模型在上一结放大电路的分析方法当中,利用的是作图以及实际等效出了rbe这个电阻,这一结中完全利用公式来做出晶体管等效模型,叫做H参数等效模型。由三极管的输入特性曲线可以得到:UBE=F(iB,UCE)由输出特性曲线可以得到iC=F(iB,UCE)得到这两个公式之后看下图就可以清楚H参数等效模型的推导过程了此时再看这个图中的h参数等效模型就很清晰明了了,输入端的压控电流源的参数h12,是UCE引起的关于ib的变化,这个变化在UCE大于1v之后值很小所以可以忽略,输出端的h22是在放大原创 2020-06-29 13:49:40 · 21902 阅读 · 3 评论 -
放大电路的分析方法(以共射放大电路为例、交流通路、直流通路、三极管等效电路及其如何等效的)
放大电路的分析方法前面几节讲的三极管放大电路中了解到,在放大电路中我们比较关注的是放大电路的Ri输入电阻,Ro输出电阻,以及放大系数,这一节中就来说以下我们如何分析放大电路中这些参数。三极管不是一个线性元件,我们所说的三极管的放大常常是对交流信号的放大,所以前面也说他是一个电源控制器,所以就要加直流以及交流信号。对比之前讲过的,既加直流又加交流的就是二极管,如下图。从上图可以看出来,想要分析二极管在动态过程中电流的变化,要先确定Q的位置,不同的Q点,相同的交流加上去会有不同的变化,Q点就是由直流分析原创 2020-06-28 20:53:54 · 22052 阅读 · 18 评论 -
基本放大电路的构成(概念,构建思路、阻容耦合、直接耦合、工作原理、放大电路的性能指标)
放大电路的构成到底是要放大什么?举个例子:扬声器左侧小功率信号,小电压小电流,经过放大电路输出是大电压大电流,放大的是功率。放大的概念特征:功率的放大本质:能量的控制,能量的转换。组成的必要条件:要有这么一个能量控制的元件。有源元件前提:不失真。保真测试信号:正弦波。(正弦波可以扫频测试)如何构建基本放大电路目标:小功率信号→大功率条件:元件、能量技术路线:1.晶体三极管工作在放大状态下2.小信号→iB(UBE)3.合理的输出看下图从输入来看,如果没有VBB和Rb,原创 2020-06-22 02:26:13 · 4216 阅读 · 2 评论 -
场效应管(场效晶体管),绝缘栅型、结型。内部载流子的运动是怎么样的,控制过程、主要参数、特性曲线
前导对比前面讲的三极管。1.晶体三极管,双极性的,多子少子都参与导电,因为有少子参与,所以受温度影响比较大。而场效应管导电只有多子参与导电,所以受温度影响比较小。2.三极管是电流IB控制IC,有电流IB的控制,控制端就有功率的损耗,整体上增加的了损耗。而场效应管管输入端的电阻非常大,基本没有电流所以省去了控制端功率的损耗。场效应管1.结型场效应管 JFET2.绝缘栅型场效应管(主讲这个)1962年造出来的,又称MOSFET,简称MOS管,在这个基础上建出来了CMOS电路。N沟道增强型MOS管原创 2020-06-21 18:17:00 · 6730 阅读 · 2 评论 -
三极管BJT特性曲线,原理
三极管特性曲线晶体管三个极,与二极管不同,所以不是简单的二极管的伏安特性曲线能解决的,要分析三极管,这里只说共射电路,就分为两个端口输入和输出,分别是输入特性曲线和输出特性曲线。输入特性曲线输入端,基极与射极之间的电压UBE和电流IB。输入信号是UBE,UBE控制电流IB,IB再控制IC,所以输入特性曲线研究的是UBE对IB的控制。如下IB=f(UBE)|UCE=常数**含义:**IB的大小受输入信号UBE的控制。IB和UBE之间的关系就是二极管的伏安特性曲线,因为发射结是正向偏置的。所以如下图原创 2020-06-20 18:28:02 · 28845 阅读 · 4 评论 -
(五)三极管为什么能够放大?电流流向到底是怎样的?
三极管三极管又称作双极性晶体管(BJT)。结构及类型构成方式:如下图如上图的a和b晶体结构,先看图b,从图上来看的话,三极管的发射区与集电区是完全对称的,那为何不能两边对调使用的?图中并没有将三极管的晶体结构完全细节的表现出来。发射极,故名思意,发射电子的地方,所以发射区的掺杂浓度就要做的很高,集电极,收集电子的区域,所以集电区的掺杂浓度比较低。所以两者的主要区别在于掺杂浓度不同。再看图a,从图中我们可以看出,N型半导体最薄,也就是基区,其次是发射区,最后体积最大的是集电区。这里提出一个问题:为什原创 2020-06-19 00:07:42 · 10041 阅读 · 5 评论 -
(二)直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路
半导体二极管常见外形最右侧的,下面是一个螺丝。这种适用于大电流的场合,当电流较大的时候电磁感应产生的外应力很大,所以需要螺丝固定。二极管伏安特性二极管就是将PN结外面封装了一个外壳,所以比起PN结他带有体电阻,这就导致正向电流比PN结小一些,另外加反向电压的时候,不仅仅有PN结的漂移运动,还有外壳的漂移运动,所以反向饱和电流比PN结要大。温度对二极管的影响温度上升,正向曲线左移,反向曲线下移。正向左移的原因:温度升高的时候,扩散运动加强,多数载流子的运动加剧,在同以电压下,温度越高电流越大原创 2020-06-17 10:45:51 · 4241 阅读 · 1 评论 -
(一)半导体的概念以及PN结的讲解,二极管基础
本征半导体半导体概念:常温下导电性能介于绝缘体和导体之间的材料。本征半导体:完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。本征半导体的晶体结构载流子本征激发:电子逃脱共价键的束缚变成自由电子的过程,相应的也会产生空穴。自由电子带负电,空穴相对来说带正电。复合:自由电子做自由运动又撞进空穴的怀里的过程就是复合。本征激发与温度有关,温度越高运动越剧烈,复合与自由电子浓度有关,自由电子浓度越高相应复合也越激烈。杂质半导体概念本征半导体内掺入少量的杂质元素。N型半导体含义:N型原创 2020-06-15 03:24:21 · 3034 阅读 · 0 评论 -
(三)模电不归路之稳压二极管
稳压二极管特点稳压二极管,利用的是PN结的反向特性,其特性与PN结的反向曲线相同。二极管的正向导通有压降,但是为什么不用正向导通做稳压呢?因为锗管或者硅管的正向导通电压基本是定死的,但是在实际使用的过程当中,需要的稳压是各式各样的,并且通过前面的两章我们可知,反向击穿电压可以通过调节掺杂浓度来设定,我们就是利用这个特点来进行二极管的反向击穿稳压。伏安特性其伏安特性与PN结反向伏安特性曲线相同。主要参数1)稳定电压Vz:稳定电压就是稳压二极管在正常工作时,管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度原创 2020-06-18 11:42:14 · 2907 阅读 · 1 评论