SAR ADC系列12：CDAC开关切换策略（2023.8.3更新版-整合）

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已于 2023-08-03 22:07:17 修改

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分类专栏： ADC学习文章标签：学习

于 2023-04-04 13:54:45 首次发布

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文章详细阐述了几种开关切换策略，包括传统的CDAC策略，其电容阵列功耗高，以及单调和Sanyal策略，它们旨在减少功耗和提高效率。单调策略避免了猜测过程，而Sanyal策略灵活调整比较器输入。VCM-Based策略则通过改变Vcm来调整电荷，降低能耗。这些方法都关注于降低ADC的动态功耗并提升性能。

摘要由CSDN通过智能技术生成

Sanyal开关切换策略：采样阶段~第一次比较

Sanyal开关切换策略：第二次比较——同单调切换的

四、基于Vcm-Base的开关切换策略

VCM-Based开关切换策略：采样~第一次比较

VCM-Based开关切换策略：第二次比较

一、传统的开关切换策略

为什么要优化开关切换策略？
传统的开关切换策略中，电容阵列能量消耗占比60%，比较器占30%，控制逻辑占10%。
优化开关切换策略：① 降低电容阵列的切换功耗。参考电压需要对DAC电容阵列充、放电，由此引起的动态功耗损失占ADC的功耗比重较大。② 降低对VREF驱动能力的要求。内部电容阵列的切换频率远远高于ADC的采样率，VREF的驱动能力将受到极大考验，很容易成为SAR ADC的性能瓶颈。

传统的CDAC切换策略：采样阶段

采样阶段：
        ■ 下极板接到信号Vip和Vin，上极板接到共模Vcm
        ■ 上极板连接Vcm的开关断开的瞬间完成采样，锁定电荷（上级板--即比较器输入端--电荷守恒）
        ■ 比较器正输入端储存电荷Q1P = (Vcm-Vip)*8C
        ■ 比较器负输入端储存电荷Q1N = (Vcm-Vin)*8C

MSB预置：
        ■ 上半部分CDAC下极板预置为'1000
        ■ 下半部分CDAC下极板预置为'0111
        ■ 比较器正输入端储存电荷 Q1P' = [ VP1(1) -Vref ]*4C + VP1(1)*4C
        ■ 比较器负输入端储存电荷 Q1N' = [ VN1(1)-Vref ]*4C + VN1(1)*4C

根据电荷守恒，有Q1P=Q1P'，Q1N=Q1N'
■  VP(1) = -Vip + Vcm + Vref/2
■  VN(1) = -Vin + Vcm + Vref/2
        ■ VP(1) - VN(1) = - (Vip - Vin)

计算从采样到预置位过程，参考电压Vref 给电容充放电消耗的能量E（用E0->1表示）

■ 将 C*Vref^2 称作一个能量单位，也就是，本次切换需要4个能量单位，是很大的。

知识补给站：（电容能量的计算方法）

传统的CDAC切换策略：第一次比较阶段

注释：

为什么是1/2Vref呢？因为全差分结构，上下一共两个Vref，1/2Vref相当于整个差分结构的1/4参考了。

传统的CDAC切换策略：第二次比较阶段

总体框图

传统开关切换策略：能耗

二、单调开关切换策略

单调开关切换策略，台湾成功大学Chun-Cheng Liu等人提出

单调开关切换策略：所谓单调，指的是在CDAC的上极板（比较器输入）会单调性下降或者上升。
单调开关切换策略和传统开关切换策略的区别
传统开关切换策略：先猜1，再进行比较，根据比较结果来判决是否猜对，猜错需要重新置位
单调开关切换策略：省去“猜”的过程，直接进行比较，根据比较结果置位
在保证二进制搜索算法的前提下，单调开关切换策略既减小了电容，又减小了开关切换的动态功耗。

单调开关切换策略：采样阶段~第一次比较

■ 简便算法：Vip>Vin时，说明Vip(=VP(1))大，将VP(1)减小就行了，P阵列的MSB电容下级板电压拉倒0，根据电容分压，VP(2)=VP(1) - 2/4Vref = Vip - 1/2Vref。Vip<Vin同理。（第一次比较动的是最高权重的电容）。
■ 每一次比较，比较器的共模下降1/4Vref，所谓单调指的就是Vcm,comp单调下降，这对比较器提出了要求，极限情况，共模降低1/2Vref。

单调开关切换策略：第二次比较

■ 简便算法：当VP(2)>VN(2)时，VP(2)大了，需要将VP(2)减小，所以将P阵列次高权重的电容下级板拉到0，根据电容分压，VP(3) = VP(2) - 1/4Vref = Vip - 1/2Vref -1/4Vref 。VP(2)<VN(2)时同理。（改变的是次高权重的电容）

单调开关切换策略：切换能耗

三、Sanyal开关切换策略

Sanyal开关切换策略：采样阶段~第一次比较

简单计算：采样结束，电荷守恒开始，VP(1)= Vip，VN(1)=Vip。
当 VP(1)>VN(1)，说明 VN(1)小了，增大VN(1) ，将N阵列MSB电容从0拉高到Vref，电容分压，VN(2) = VN(1)+2/4Vref = Vin + 1/2Vref 。同理VP(1)<VN(1)，说明 VP(1)小了，增大VP(1)。

Sanyal开关切换策略：第二次比较——同单调切换的

这里的B1=1，B2=0的情况，有错误！VP(3)=Vip + Vref/2 -Vref/4

比较器输入 VP - VN，减小VP和增大VN一样的效果，灵活切换。

四、基于Vcm-Base的开关切换策略

VCM-Based开关切换策略：采样~第一次比较

简单说明:
电容上下极板分别接Vcm（一般Vcm=1/2Vref）。采样断开瞬间电荷锁定，进行第一次比较。
当VIP > VIN 时，同时 减小VIP 并增大VIN 。P阵列最高权重电容从Vcm(=1/2Vref)下拉倒0，N阵列最高权重从Vcm(=1/2Vref)上拉倒Vref 。根据电容分压，VP(2) = VP(1) - 2/4*1/2Vref =Vip - 1/4Vref 。同理，VN(2) = VN(1) + 2/4*1/2Vref = Vin + 1/4Vref 。相当于新的Vref2 = Vcm = 1/2Vref了。
总的效果：VP(2) - VN(2) = (Vip - Vin) - 1/2Vref 。