SAR ADC系列20：ADC结构（2023.8.4版）

一、Flash ADC

  
Flash ADC 一般包括，Reference、Resistor、Input_SHA、Comparators、Encoder。
特点：简单、高速 || 复杂

注意：做高精度应用的时候，去偶电容一定要加够，因为对于一般的bonding wire，有寄生引线电感，电感的特性：△V = L* di / dt 。电感上电压的变化是和电流的slew rate 成正比，即使电流很小，只要斜率够大，就很容易在电感上产生一个较大的电压。因此decouple电容一定要加够。

Flash ADC Challenges：
        在对于高精度的Flsh，例如10-bit-flsh-adc，下图计算可以看出来，Vos < 0.5*LSB，至少保证3σ的良率，要求这就要求 Vos 的 σ 值在0.1~0.2mV之间，这基本是不可能实现的。一般一个比较器的Vos 1σ在2~3mV量级，对应的 3σ 都在10mV左右了，远远超过需要的 0.5LSB。（除非加Auto zero & chopping）。同时还要求比较器非常多，功耗非常大。
        右下图，表示的是：既然Vos <0.5LSB，那么吧 V_FS放大一点，对比较器的要求就低了。

 

比较器 V_offset 的来源：
        静态：①输入对管的失配；②Pmos负载和电流镜的失配；③Latch管的失配
        动态：①M9对两边 CF&CI 的不匹配；②C_load的不匹配(eg：MOS的寄生电容随电压而变化的)；
解决：静态 -- 做好match；动态 -- 全差分，dummy等。

        比较器的offset：对于sar、pipline、redundant cyclic等ADC来说，Vos并不影响ADC动态性能，当然对于像仪器仪表中要求绝对精度高的应用也需要关注。相对来说，flash ADC 对于比较器的Vos更加敏感。Flash做不了高精度的其中一个原因就是受限于 Comp_Vos 。（另一方面受限于复杂度）。

Latch Regeneration

        reset 阶段：M9将Vo-&+ 拉倒中间电平，此时pre-amp在工作，输入信号经pre-amp放大后track到Vo-&+ 并进行 track-hold ,所以说flash的比较器自带一个T/H电路，不用另做采样保持电路。
        regeneration 阶段：Latch M7&8通过正反馈将Vo+&-拉倒rail-to-rail logic level。

Regeneration Speed

  
        亚稳态问题（所有comp都要考虑亚稳态）：主要和比较器的速度有关，和信号的大小有关。
        解决：加pre-amp。
PS：亚稳态问题是在有限的比较时间之内，比较器输出信号没有建立完成（到需要的精度）。

为什么说加了pre-amp能提高比较器速度呢？
        上上张图中，Latch的放大能力和输入信号的幅值有关，虽然说无论输入的信号是多大，最终都能将其放大至rail-to-rail，但是Vin越小，其放大速度越慢。而pre-amp的增益和输入幅值无关，在有效的带宽内，能够将小信号迅速放大（放大倍数有限，到不了rail-to-rail），然后latch接收到的是放大后的信号，就能大大加快速度，（想想时域响应那张图）。

上图展示了亚稳态和哪些因素有关，前面的文章也有讲过，这里不赘述了，翻阅前文。
        在Flash中，亚稳态尤其需要注意。因为：Flash是通过 过零检测 来将 温度计码 转成 二进制编码，出现亚稳态之后，有多个过零点，导致后面的编码出现重大错误。可能会跳好多个LSB，导致DNL&INL非常差。

CF & CI in Latch

  

        通过M9_CF&CI 引入一个Vos，在这个电路里面，Vos是叠加在Vin上面的，当Vin特别小，Vos超过Vin时，latch会将这个错误的信号PFB-rail-to-rail，尤其是如果Vos和Vin是反相的，很严重。 所以做的过程一定要关注 CF&CI 。

右上图：Dynamic offset 来源：就剩一个Clock routing没讲，说一下什么是clock routing。
        Flash需要一堆latch，需要clock驱动，clock到每个latch的时间不同，导致每个latch开始比较的时间不同（M9断开的时间不同），导致offset & 非线性。

比较器中总的Offset。

  
理论上来讲，只要pre-amp的增益(Av1)足够高，就可以将Vos消除大部分。
提高pre-amp的方法：①负载加 I_load，改变电流分配。②加交叉耦合管cross-couple。

对于电流镜来说，希望过驱动电压越高越好。因为：失配的主要来源是阈值电压Vth，过驱动电压越高，Vth的失配带来的影响占比就越小。

快速估算Offset、mismatch的表格：

电流镜的匹配仅靠改变W是改善不了的，主要取决于L。

为什么大尺寸器件匹配更好？（用面积换取精度）误差是开平方相加，阻值是线性相加。

 

但是为什么Flash不能用面积换取精度，因为需要的面积太大了，输入寄生电容太大了。
右上图，6-bit-flash，一系列计算可以看出来 Cin = 3.9pF，还可以接受。但是8-bit-250pF就很难接受了。

 

 Flash中其他的Offset：

主要来源：比较器、时钟、输入信号。
        没有SHA的，SH功能在比较器里面实现，自然对Clock敏感，如果Clock有误差，每个比较器采样的输入信号都不是一个，后面就更不用看了。还有就是输入信号线的分布式RC延迟，输入信号到达每个比较器的时间不一样。

后面对Clock造成的误差讲一下。  

  

        Pre-amp的带宽（速度）不一样可能会导致误差。主要是由于共模电平的不一样导致的误差。（由于flash 的reference是一级一级递减的，每个比较器的CM自然是不一样的）。
解决共模电平问题的方法：①全差分；②用隔离电容，隔离直流信号。（还可以auto-zero）

        上图一个是输入电容随输入信号变化的非线性。一个是输入信号大的跳变会通过M1&2耦合到干净的Reference上，同时Input是个低阻节点，能够很快跟随上下次信号，而Reference是个高阻节点，其电压改变需要一定的时间，可能导致下一次比较时，reference还没回到理想的情况。
解决方法：全差分；AC-Coupled Pre-amp；

encoding：Bobbles

  

 

  

（Flash到此结束，后续整理。思维导图需重新整理）