SAR ADC系列19：上机实践XXX（2023.8.1更新版——比较器完整版new）

• 在电流和负载电容一定的情况下，如何做到2个不同增益的单级OP的GBW相等？
  GBW = gm/CL，CL一定，设置gm一样。
• Lewis-Gray Latch比较器改进型在VOS的性能提升主要体现在哪里？
  Latch开始比较时，输入管处于饱和状态，增益较高，可以将第二级对Offset的影响压的很低
• IOS的优缺点
  运放输出不会饱和，但是Pre-AMP的失调电压不能完全消除，残存失调为Vos/(A+1)
• OOS的优缺点
  Pre-AMP的失调电压可以完全消除 ，容易使输出饱和，产生非线性的失真
• OOS结构中，电容上下极板该如何区分？(假设下极板对GND有20%寄生电容)
  不知道，上级板接下一级吧？

上机实践1： 

电流和负载电容自己随意定

上机实践2:Lewis-Gray Latch和改进型VOS对l比

上机实践3:Latch比较器噪声特性 

 tran-option，calculator写offset表达式，跑蒙特卡洛。

上机实践4:Latch比较器的工作速度

上G。

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（以下是2023.8.1更新内容）

比较器需要考虑的因素：

常见的精度（失调、噪声、判决电压）、建立时间（带宽、再生速度）、灵敏度（增益）就不说了

特色的：
        亚稳态：信号较小的时候，比较出结果的时间过长，可能到hold结束都没有判决出结果，这在异步逻辑里是很致命的，any decision is better than no decision！
        过驱动恢复时间：比较器工作在大信号，非线性状态，不同于工作在小信号，线性状态的放大器，其复位时间相对较长。
输入电容非线性：比较器的输入电容随输入信号的共模电压的变化而变化，带来信号相关非线性。
        回踢噪声：比较器的输出是个在0-1之间翻转的大电压，输入是个很小的电压，输出电压翻转的时候，会通过栅极寄生电容耦合到输入，引起输入信号的改变（向相反方向），输入信号很小，很可能受影响导致比较器判决出错。
CMRR和功耗就不说了。

由ADC指标得到比较器对Gain 和 Speed 的要求：

可以看到，需要一个：3db-BW=200MHz，Gain = 93dB @200MHz 的运放，这是很困难的了。
可能的解决方法：单级运放（X），多级放大器级联（√），Latch-正反馈（√）

●精确的增益和线性通常是不必要的，取而代之的是简单、低增益、开环、宽带锁存器（正反馈）
●通过级联多个增益级可以获得更多增益
●带Latch的比较器，内置采样功能

多级运放级联

      

运放级联，大概就是 增益A 和 N成正比例，带宽ω 和 N成反比例。自然存在一个最佳级数N。

下图，级数N在2~4之间可以获得较小的延时，性价比高。

    

各种比较器延迟对比，看到最快的 还是latch，放大器级联越多并不是越快。

        上图具有一定的欺骗性，图中横坐标是log底数，所以看起来latch曲线成线性。实际上，latch是正反馈，类似e指数曲线，上凹的。

Pre-AMP-Latch

        即latch对大信号快，小信号放大慢，pre-amp相反对小信号快，大信号慢，pre-amp-latch，小信号被Pre-AMP放大后交由latch，可以节省时间。

亚稳态问题（右上图）：提高Pre-AMP的增益；latch后接反相器整形。

Offset 消除（前文有更具体的分析）

IOS：Input Offset Storage
注意：IOS工作在单位增益负反馈状态，需要考虑放大器的闭环稳定性。

φ2相位用作存储Vos。                                                 φ1相位用作放大信号。

    

         缺点一：IOS并不能完全消除Vos，只能将Vos衰减(1+A)倍，好处是可以把放大器增益A做大，不用考虑饱和问题。还有一个缺点是：Vin通过AC耦合过来的，相对来讲有一点失真。

        IOS本质上也是个采样电路，故采样电路的缺点它都有，CI&CF。可以通过改进开关，加dummy，改进关断顺序，等进行一定的消。

OOS：Output Offset Storage

失调存储在输出电容上面，易饱和，运放增益不能太大，并且要可控。

φ2相位用作存储Vos。                                                             φ1相位用作放大信号。

      

优势一：开环工作模式，不要求闭环稳定性；优势二：也是一个采样电路，存在 CF&CI ，但是影响的是输出电容，折算到输入到除以增益A；优势三：理论上可以完全消除 offset。劣势：增益不能特别大。

Offset Cancellation with Auxiliary Input （带辅助运放的失效消除）

将Latch的offset也考虑进来了，并把latch的offset消除掉

 φ2相位用作存储Vos。                                                              φ1相位用作比较信号。  

 

        存储Vos相位：S5&S6和S3&S4闭合，打断latch正反馈，并且输入接ac_gnd，对Pre-amp和latch来说，都是OOS，Vos1*Gm1 & Vos2*Gm2，都存储在电容C1&C2上面。
        比较相位：先断谁？S5&S6先断开。S5&S6是将C1&C2接地的开关，连到ac_0上，跟输入信号没关，对应电容下级板；并且，开关产生的CI&CF会被Gm2调制一下，折算到输入要除以一个A增益。

问题：
①电路稍复杂，正反馈回路有电容，也在运放输出节点上，拖慢速度，slow speed。
②C1&C2 寄生电容加载在输出端。
③要求S5&S6阻抗非常低，否则断不开正反馈(PFB)，有可能还存在PFB，容易饱和
④S5&S6断开时的CF&CI需要匹配，因为在正反馈回路，S5&S6的注入不匹配的话，而Pre-AMP输出又较慢的话，会引起latch正反馈，cover掉Pre-AMP的输出，引起错误。

改进：
        正反馈回路插入了一个放大器隔离开latch的输入和输出。①C1&C2不是加载在latch的输入（Pre-AMP的输出）节点，该节点看到的电容知识放大器的栅电容，很小。②S5&S6的CF&CI经过放大器的衰减之后在加到latch输入端，相对来说不那么容易触发正反馈了。（放大器要快）

Overdrive Recovery Test（过驱动恢复） 

想要比较器memoryless，不要记忆前一次比较的结果，使得前一次比较结果对下一次没有影响。
改进：每次比较之后进行复位reset。

具体电路实现——Pre-AMP：

 

        
        上图Pre-AMP-latch结合在一起，很快，本质还是Pre-AMP。因此需要M3&4的尺寸大于M5&6的尺寸，保证是负反馈。并且这种结构存在迟滞线下（类似迟滞比较器）。

         注意：分析 CMRR 是不考虑 offset 的，但是要考虑 mismatch。

电阻负载的好处就快，非常快，缺点就是增益不稳定，受RL控制，受PVT影响更大。

具体电路实现——Latch（背靠背的反相器）：

原始电路——静态latch，存在DC功耗：

影响offset：①输出管子的尺寸，Vth，mismatch；②输出节点寄生电容mismatch；③反相器尺寸。

改进版1——reset后没有DC电流：

缺点：复位到gnd，进来的比较信号较小时，建立速度较慢。

改进版2——应用较少：

 低噪声，高增益，速度快，但是不能 rail-torail 输出（full logic levels）

改进版3——Dynamic Latch 动态锁存器（常用）：

好处：没有DC电流，输出rail-to-rail，复位到0。建立速度取决于Vin信号的大小。

原理：
φ =0：reset，M7&8导通，M9&10关断，P&Y上拉到Vdd，Q+&Q-复位到0，Vin复位到Vcm上。
φ =1：comp，M7&8关断，M9&10导通，P&Y点受 Vi+&Vi- 的变化，正反馈迅速拉倒Vdd和0。
注意：P&Y 在比较阶段一开始是在VDD，当M9&10导通一瞬间，P&Y同时要往下掉，有掉到X&Y点相同电压的趋势，但是由于Vi+&Vi-大小不一样，导致P&Y点下降速度不同，此时正反馈还没形成，因此一开始P&Y电压是以不同的速度一块下降的。当某一点的电压率先下降超过 Vth，此时M5&6有一个导通，反相器开始工作，正反馈形成，迅速将P&Y点电压分开，一个回到Vdd，一个下拉到 gnd。
缺点：XY一开始在一个较低的电压上，没有明确的值，开始比较时，建立速度可能会较慢。

改进版4：

所有节点都有一个明确的reset电平，开始比较时，对Vin提供一个Pre-AMP的能力，提高速度。
原理：
φ=0：reset：M7&8导通，M9&10关断，将 P&Q = Vdd；即M3&4的 gate=Vdd，M3&4也是导通的，X&Y电压 = X'&Y' 电压，接近Vdd。
φ=1：comp：P&Q = X&Y = X'&Y' = Vdd ；M1&2偏置在饱和区，M1&2相当于一个CS放大器，对Vin提供一定的预放大能力，比较结果能够快速建立。同时饱和区的mos抗噪能力也较好一点。
Offset来源：①各个节点的寄生电阻；②输入对管的失配。

改进版5——阈值电压调整版：

        正常情况是 Vi+ 比 Vi- 多&少一点点，立马比较判定。M1R&M2R的作用是调节翻转的阈值电压。还有一个作用是：可以用作Offset Calibration（失调校正）。我们知道，这种结构Latch的主要Offset来源是M1&2的Vth失配，使得I1&2的电流下降速度不一样，导致Offset。
        解决Offset的方法：①在下降速度快的路径上加CL，校准&tramming。缺点是：拖慢速度。
②就是这种结构，M1&2的Vth失配，使得I1&2的电流下降速度不一样，I1&2的大小不一样，加上M1R&M2R调节I1&2的电流。

改进版6——Double Tail（双尾式）：

工作原理：
        clk=0：reset，M5-close，M1&2-Q-source-follow，M3&4-open，X&Y=Vdd，M8&9-open，CMPout+&-=gnd，M6&7-close and M10&11-open，P=gnd，M12-closed，not dc-current。每个点都有确定的电平。并且M1&2的漏极为Vdd，工作在饱和状态，Pre-AMP预防大。
        clk=1：M3&4-close，M5-open，M1&2的漏极为Vdd，工作在饱和状态，Pre-AMP预防大。Vin+&-控制M1&2导通，将X&Y电流泄放掉（速度不一样），M6&7&8&9&10&11-typical-Latch。M12-open，tail-source。
好处：①工作在低电源电压。②full logic level。③fast，比较一开始M1&2的漏极为Vdd，工作在饱和状态，Pre-AMP预防大。④low kick back noise。不同于前面的结构，output 能直接耦合到 input；本结构，output kick back X&Y，then kick back input。X&Y 对 input 的回踢噪声是个共模的。

改进版7——Strong ARM Latch

Origin：画圈的三个管子进行reset，P&Q没有reset到Vdd，慢。
Modified：S3&4将X&Y=Vdd，S1&2将P&Q=Vdd，M1&2是有预防大能力pre-amp，更快。同时offset主要有M1&2的失配提供。

该电路明确有四种状态：①reset，②M1&2 pre-amp，③M3&4 on weak PFB，④X&Y<Vdd-Vth，PFB。

Self-Calibrated

校准Offset，两种方法：①调节CL，②调节IL

zero static

 ---------------------理论结束接下来写仿真相关的-------------------------

差分环路增益和带宽stb仿真可以用diffstbprobe这个器件。
找Vos：
        输入加Vcm，叠加差分±Vdiff，DC扫描Vdiff（-20mV~20mV）对应的Vin_diff（-40mV~40mV），看输出Vout_diff，通过cross函数，找过零点，然后Vin_diff中用value函数找过零点处的值，计时Vos。后面可以对Vos进行蒙卡仿真，找σ。

仿真蒙卡的时候，mismatch 和 corner 一般是独立的，可以单独仿一个然后相加就行。仿真蒙卡的时候，先设置：option - Run options - 改成parallel；然后option - Job Policy Setup - max jobs 改多一点10个。做出柱状图。

mismatch主要来源是输入管Vth的失配。σth = A / sqrt(W*L)。Vth ± ΔVth。其中ΔVth和corner无关。通过仿真得到A，就可以通过Excel得到σth