针对半桥配置的自举电路选择（UCC27710为例）

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1.概述

在半桥配置中驱动 MOSFET 为工程师带来了许多挑战。其中一个挑战是为高侧 MOSFET 产生偏置。如果设计得当，自举电路可以解决此问题。

以 UCC27710（即 TI 具有互锁功能的 620V 半桥栅极驱动器）来介绍自举电路中的不同元件，以及如何正确选择这些元件才能确保实现可预测的功率 MOSFET 开关。（其他半桥驱动芯片可以举一反三）

2.自举电路原理

自举电路采用半桥配置来为高侧 MOSFET 提供偏置。图 展示了采用简化半桥配置的自举电路的充电路径，该配置使用了 TI 具有互锁功能的 620V 半桥驱动器 UCC27710。当低侧 MOSFET 导通（高侧 MOSFET 关断）时，HS 引脚和开关节点被拉至地；VDD 辅助电源通过旁路电容器经由自举二极管和电阻器为自举电容器充电。

当低侧MOSFET 关断且高侧导通时，栅极驱动器的 HS 引脚和开关节点被拉至高压总线 HV；自举电容器通过栅极驱动器的 HO 和 HS 引脚将一些存储的电压（在充电序列期间累积的电压）放电至高侧 MOSFET，如图所示：

3.自举电路元器件选择

3.1 自举电容

从设计角度来看，这是最重要的元件，因为它提供了低阻抗路径来提供高峰值电流，从而为高侧开关充电。根据一般的经验法则，该自举电容器的大小应确保能够提供足够的能量来驱动高侧 MOSFET 的栅极，而不会导致损耗超过 10%。

该自举电容器应至少比高侧 MOSFET 的栅极电容大 10 倍。

其原因是需要考虑直流偏置和温度导致的电容变化，另外还有负载瞬态期间跳过的周期。栅极电容可以使用方程式 1 来确定：

确定栅极电荷后，可以使用方程式 2 来估算自举电容的最小值:

或者，可以使用方程式 3 来更准确地计算最小自举电容值：

需要注意的是，如果值低于所需的最小自举电容值，可能会激活驱动器的 UVLO，从而过早关断高侧 FET。另一方面，较高的自举电容值会在某些情况下（在对自举电容器进行初始充电时或具有较窄的自举充电周期）导致较低的纹波电压和较长的反向恢复时间，以及较高的峰值电流流过自举二极管。方程式 4 展示了自举电容与流经自举二极管的峰值电流之间的关系。

通常建议使用具有良好额定电压 (2xVDD)、温度系数和电容差的低 ESR 和低 ESL、表面贴装型多层陶瓷电容器 (MLCC)。

3.2 VDD旁路电容

为自举电容器充电的电荷必须来自某个较大的旁路电容器，通常为 VDD 旁路电容器。根据经验，此旁路电容器的大小应至少比自举电容器大 10 倍，以便它不会在自举电容器充电期间完全耗尽电荷。这样便可以在充电序列期间正确地为自举电容器充电。在最坏的情况下，该 10 倍的比率会在 VDD 电容器上产生 10% 的最大纹波。

3.3 外部自举二极管

为了尽可能地降低与二极管反向恢复特性和接地噪声反弹相关的损耗，建议使用具有低正向压降和低结电容的快速恢复二极管或肖特基二极管。使用肖特基二极管可降低从自举电容器向栅极驱动器电源回馈电荷的相关风险，并更大限度地降低漏电流。图 3-1 展示了在 HB-HS(Ch1) 上使用具有反向恢复时间的二极管时的反向恢复损耗。我们可以观察到 HB-HS 引脚上存在大量过冲和下冲，这可以触发驱动器的 UVLO 并关闭栅极驱动器。

当 HS 引脚（开关节点）被拉至更高的电压时，二极管必须能够足够快地反向偏置，以阻止从自举电容器到 VDD 电源的任何电荷。应仔细选择该自举二极管，使其能够处理启动期间的峰值瞬态电流，并使其额定电压高于系统直流链路电压且具有足够的裕度。

下面的图 展示了通过设置时序专门在二极管电流的情况下将开关节点强制为高电平而形成的反向恢复条件（通道 1）。

图 3-3 展示了 HB-HS 引脚上损耗的影响，这可能会触发开关节点并可能损坏驱动器。

3.4 自举电阻

自举电阻的作用是限制启动期间自举二极管上的峰值电流，因此应仔细选择该电阻，因为它会通过自举电容器引入一个时间常数，如方程式 6 所示：

这个时间常数出现在高侧关断时间内，解释了与占空比的依赖关系。由于该占空比是恒定的，因此应适当调整自举电阻器和自举电容器以实现所需的启动时间。增加自举电阻值将增加时间常数，从而导致启动时间延长。

此外，选择的自举电阻器必须能够承受自举电容器的第一次充电过程中出现的高功耗。该功耗可以通过方程式 7 进行估算：

该功耗在自举电容器的充电期间产生，并可使用方程式 8 进行估算：

该电阻器对于限制启动时流经自举二极管的峰值电流以及限制 HB-HS（高侧浮动电源到返回高侧浮动电源）的 dv/dt 至关重要。通过此电阻器的峰值电流可以使用方程式 9 进行计算：

图 3-4 展示了使用 0Ω 电阻时 VDD (CH4) 和 HB-HS (CH1) 的快速斜升，这会导致 LO (CH3) 和 HO (CH2) 上的电压发生意外变化。

图 3-5 展示了使用略大的电阻值 (Rboot = 2.2Ω) 如何解决此问题。需要注意的是，在图 3-5 中观察到的偏置上升速率并非适用于所有驱动器。

4.自举元件的布局注意事项

正确选择所有自举元件后，务必要仔细放置这些元件，从而更大限度地减小寄生电感并缩短大电流布线长度。这个大电流路径包括自举电容器、自举二极管、驱动器以地为基准的 VDD 旁路电容器和低侧电源开关。因此，缩短该路径并使该环路尽可能小非常重要。自举电容器和旁路电容器应尽可能靠近栅极驱动器电源引脚放置。下面的图 4-1 展示了一个使用 UCC27710 的良好布局示例，其中所有自举元件都位于栅极驱动器 IC 附近，可更大限度地减小寄生电感的影响并减小自举电路的高峰值电流路径。将高压电源布线与低压信号布线分开也很重要。