基于virtuoso的环形振荡器仿真全流程（三）

最新推荐文章于 2025-01-10 17:28:13 发布
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一、PEX寄生参数提取

点击Calibre——Run PEX，首次进入点cancel

点击runPEX，在弹出的窗口中选择cellmap文件并设置，点击OK

弹出寄生参数提取结果

此时，在Library Manager的反相器文件夹中会多出一个calibre文件

二、后仿真

回到Library Manager中，在振荡器文件夹中新建一个config文件，在弹出的窗口中选择振荡器文件夹中的schematic文件，点击use template，选择spectre

右键反相器，选择Set Cell View——calibre

点击ADE L，打开仿真窗口，后续也可直接在Library Manager中双击打开config文件进行后仿

可以看到，ADE L窗口上方的原理图文件名后面多了个config，这就代表是后仿

载入之前的仿真设置，选择Session——Load State，选择Cellview，选择对应文件

先进行瞬态扫描，点击run，如果这时无法进行仿真，报下面这个错误，需要更改设置

在ADE L界面中选择Setup——第二个选项

将AMS改为spectre

继续仿真，结果如下：

可以看到，后仿的电压摆幅对比前仿略有提升

再看看频率，从之前的2.5GHz降到了1.2GHz

相位噪声仿真，1MHz处的相位噪声减小到了-110dBc/Hz，比前仿结果略微降低

还有一种方式可以看出仿真是否为后仿真，在ADE L中选择Simulation——Netlist——Create，查看网表文件，可以看到View name为calibre，并且下面也列出了所有寄生电容电阻的值

qq_42008602
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请移步简书看本文内容 http://www.jianshu.com/p/b3591d197887本次教程主要讲array和bus的用法。英文原文在这里。原理图仍然直接从inverter这个项目复制过来新建一个cellview放置我们之前设计的反相器，注意这里有几种方法来放置一个阵列： 直接放置的时候在属性中写30列 放置后复制为一个阵列，注意要选中inverter以及vdd和gnd，复制的快捷键是
【virtuoso】INV 原理图+前仿真 + 版图 + 后仿真
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INV原理图仿真+后仿真
基于virtuoso的环形振荡器仿真全流程（二）
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在Signal中输入表达式(VT("/VOUT+") - VT("/VOUT-"))，表达式可通过Caculator上方的vt辅助输入，点击buffer右上方的齿轮，将生成的频率表达式添加进ADE L的outputs中。在反相器原理图界面点击Launch——Layout XL，首次绘制选择create new，弹出版图窗口，点击Connectivities——Generate——All From Source。在ADE L中选择Analyses——Choose，选择pss，设置如下，点击run。
virtuoso后仿真步骤
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10-19 4502
这里写自定义目录标题欢迎使用Markdown编辑器新的改变功能快捷键合理的创建标题，有助于目录的生成如何改变文本的样式插入链接与图片如何插入一段漂亮的代码片生成一个适合你的列表创建一个表格设定内容居中、居左、居右SmartyPants创建一个自定义列表如何创建一个注脚注释也是必不可少的KaTeX数学公式新的甘特图功能，丰富你的文章UML 图表FLowchart流程图导出与导入导出导入 欢迎使用Markdown编辑器 你好！ 这是你第一次使用 Markdown编辑器 所展示的欢迎页。如果你想学习如何使用Mar
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本文为作者自己的学习笔记，用一个简单的反相器记录了使用Cadence Virtuoso进行模拟IC设计的全过程。对于初学者如有不懂的地方可以参考前人博客。仿真使用打包好的虚拟机，下载后可直接使用。链接：https://pan.baidu.com/s/16XQVxzNUswacdzG-QnSOqQ?pwd=guxh提取码：guxh为完成后仿真，需要有xrc规则文件的工艺库。本文使用的是SMIC 0.13um的工艺库，导入前需要用virtuoso自带的转换工具将CDB转换成OA。
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Ctrl + s –> 修改通过p产生的连线走向（选中后按，画线拖动）Ctrl + s –> 修改通过p产生的连线走向（选中后按，画线拖动）ctrl + D –> 取消选择，用鼠标点击空白区域也可实现。t –> 查看点击位置包含的所有元素（选中后可直接用r画框）ctrl + D –> 取消选择，用鼠标点击空白区域也可实现。t –> 查看点击位置包含的所有元素（选中后可直接用r画框）g –> 切换鼠标是否自动吸附近元素（画线时可以直接吸附）g –> 切换鼠标是否自动吸附近元素（画线时可以直接吸附）
virtuoso配合calibre进行电路后仿真
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Virtuoso比较器仿真
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<think>好的，用户让我介绍一下Virtuoso比较器的仿真，我需要先回忆一下Virtuoso平台的基本情况。Virtuoso是Cadence的一个设计工具，主要用于模拟和混合信号电路设计。比较器是模拟电路中的重要组件，用于比较两个电压的大小，并将结果以数字信号输出。 首先，用户可能是刚开始学习模拟电路设计的工程师或学生，他们可能对Virtuoso的操作流程不熟悉，需要详细的步骤说明。我应该分步骤讲解，从创建电路图到设置仿真，再到结果分析，这样结构更清晰。 然后，需要注意用户提到的系统级指令，特别是LaTeX格式的要求。所有行内数学公式要用$...$，比如比较器的传输特性方程$V_{out} = V_{DD} \cdot \text{sgn}(V_{in+} - V_{in-})$，这里要检查是否正确使用符号和格式。独立公式需要用$$...$$，例如比较器的延迟时间公式，可能需要单独成段。 接下来，用户可能需要知道仿真中的关键参数，比如输入信号设置、仿真类型（瞬态、直流、蒙特卡洛等）、以及如何分析结果。这时候要确保每个步骤都准确，比如设置瞬态仿真时的时间步长和总时长，蒙特卡洛分析中的工艺偏差考虑等。 还要考虑到用户可能遇到的问题，比如仿真不收敛，或者结果不符合预期，这时需要给出一些常见问题的解决方法。例如，调整仿真精度参数，检查电路连接是否正确，或者验证比较器的迟滞特性是否合理。 另外，用户可能需要了解不同的仿真类型适用的场景，比如瞬态分析看动态响应，直流分析看传输特性，蒙特卡洛分析评估工艺影响。这部分要解释清楚每种分析的目的，帮助用户选择合适的方法。 最后，总结部分要简明扼要，回顾主要步骤和注意事项，确保用户能够按照指导完成仿真，并理解结果的意义。同时提醒用户注意设计中的关键点，比如噪声、失调电压和速度，这些可能影响比较器的实际性能。 整个过程中要保持语言口语化，避免专业术语堆砌，但又要准确。需要检查LaTeX语法是否正确，特别是积分、上下标和特殊符号。确保回答结构清晰，步骤明确，符合用户的需求。</think>好的，我来逐步介绍Virtuoso比较器仿真的关键步骤和要点： 1. **电路搭建阶段** - 在Virtuoso Schematic Editor中绘制比较器电路，通常包含差分输入对、预放大器、锁存级和输出缓冲器 - 验证电路连接正确性，特别注意反馈路径和偏置电路 - 添加必要的测试激励源，例如： $$V_{in+} = V_{cm} + \Delta V/2$$ $$V_{in-} = V_{cm} - \Delta V/2$$ 2. **仿真设置** - **瞬态分析**：观察动态响应，需设置： ```plaintext Stop Time = 10u Step Time = 10p ``` - **直流扫描**：获取传输特性曲线，扫描输入差分电压$V_{diff}$范围（如-100mV到+100mV） - **蒙特卡洛分析**：评估工艺偏差影响，设置工艺角(FF/SS/TT)和失配参数 3. **关键仿真指标** | 指标 | 测试方法 | 典型要求 | |---|---|:---:| | 传播延迟 | 阶跃响应测试 | <1ns | | 失调电压 | 直流扫描 | <5mV | | 功耗 | 静态工作点分析 | <1mW | | 噪声容限 | AC噪声分析 | >50mV | 4. **结果分析技巧** - 使用Waveform Viewer观察过零点的斜率$\frac{dV_{out}}{dt}$判断响应速度 - 通过眼图分析时序裕量，要求满足： $$T_{setup} < \frac{1}{2f_{clk}} - t_{pd}$$ - 计算电压分辨率： $$V_{LSB} = \frac{V_{ref}}{2^N} \cdot (1 + \varepsilon_{gain})$$ 5. **常见问题处理** - **振荡问题**：增加迟滞电压$V_{hyst}$，满足： $$V_{hyst} = \frac{R_1}{R_1 + R_2} \cdot V_{DD}$$ - **失调补偿**：采用auto-zeroing技术，采样周期需满足： $$T_{sample} > 10RC$$ - **带宽不足**：优化第一级跨导$g_m$，满足： $$GBW = \frac{g_m}{2\pi C_{load}} > 5f_{signal}$$ **注意事项**： - 仿真前务必进行`check and save`操作 - 建议先做DC Operating Point分析验证偏置状态 - 高速比较器需启用`aps`或`spectre`仿真器选项 - 蒙特卡洛仿真样本数建议≥100次 这个流程需要结合具体电路拓扑调整，建议通过参数扫描（Parametric Analysis）优化关键器件尺寸，例如输入对管的$W/L$比与噪声性能的关系： $$V_{noise}^2 \propto \frac{1}{(W/L)\cdot I_{DS}}$$
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