如何避免MOSFET常见问题和失效模式

最新推荐文章于 2024-10-02 00:53:18 发布
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分类专栏： 硬件设计提升之路 文章标签： 嵌入式硬件 硬件工程 驱动开发 射频工程 基带工程
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本文详细介绍了功率 MOSFET 的基础知识、握持测试中的静电防护、反向阻断特性和雪崩效应，强调了选择适当额定值、避免雪崩事件和考虑散热设计的重要性。同时，提到了体二极管、封装布局和并联 MOSFET 时的挑战，旨在帮助设计者避免故障并实现可靠设计。
摘要由CSDN通过智能技术生成

1、功率 MOSFET简介

功率 MOSFET 于 20 世纪 70 年代首次推出，并成为世界上应用最广泛的功率晶体管。与双极功率晶体管等老技术相比，它们在线性和开关应用中具有许多优势。这些优势包括极大改进的开关特性、易于并联、没有二次击穿效应以及更宽的安全工作区 (SOA)。MOSFET 属于电压驱动型跨导器件。

构成 MOSFET 管芯的硅的不同掺杂方式将 MOSFET 分成两个技术大类，，即平面型和沟槽型，如 图 1 所示。

功率 MOSFET 管芯由许多并联的独立单元或平面带组成，并通过网状栅极连接在一起。

英飞凌 OptiMOS™ 器件基于沟槽技术，而 CoolMOS™ 器件基于超结技术，它是增强的平面技术，可降低导通电阻并取代旧的 HEXFET™ 器件。

本应用说明中讨论的主题适用于所有这些硅功率 MOSFET 技术，但可能不适

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MOSFET在开关电源中常见的失效原因及解决办法
07-20
在MOSFET的选用和应用过程中，设计师必须注意这些潜在的失效模式，并采取相应的预防措施。例如，根据应用环境和负载条件合理选择降额值；设计时考虑电磁兼容性，减少电路中寄生参数的影响；增强器件的静电防护措施；...
关于mosfet 的点点滴滴
scottar的博客
08-11 1405
1、类型 npn pnp 两种 一般都是对称的，但是厂家生产的时候会有一个区分，再源极和漏极之间连接一个二极管，用于保护作用，同时也确定了源极与漏极。 2、金属氧化物膜 用你与电气隔离，形成电场不形成电流，因此mosfet 也就是电压控制的 3、寄生电容 越是高品质的寄生电容，金属氧化膜也就约薄，形成寄生电容越大。这个寄生电容的充电放电形成电流消耗电量就会早晨热产生，从而工作频率收到折扣 4、发热原因 Mos 管发热，主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时，显现交流特性而具有阻抗，形成电流。有电流就有发热，
MOSFET 导通条件
9527的博客
04-13 3万+
MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述...
MOS管的导通特性
热门推荐
gtkknd的专栏
05-20 3万+
td（on）（turn on delay time）：是Vgs从0到达Vgs（th）所用的时间。这段时间是给输入电容Cgs+Cgd充电，使 Vgs到达Vgs（th）。tr（rise time）：是Vds从Vdd开始下降到MOS完全导通 时的Vds（on）所用的时间。此阶段中，Vds下降时的 Vgs和Id保持恒定。由于存在大电流和大电压，所以会产 生很大的功耗。所以应该通过减小gate端的串
使用功率MOSFET常见的一些问题（一）
小幽余生不加糖
11-29 1470
功率 MOSFET 于 20 世纪 70 年代首次推出，并成为世界上应用最广泛的功率晶体管。与双极功率晶体管等老技术相比，它们在线性和开关应用中具有许多优势。这些优势包括极大改进的开关特性、易于并联、没有二次击穿效应以及更宽的安全工作区 (SOA)。MOSFET 属于电压驱动型跨导器件。构成 MOSFET 管芯的硅的不同掺杂方式将 MOSFET 分成两个技术大类，即平面型和沟槽型，如图 所示。
常见MOSFET失效模式的分析与解决方法
weixin_54696253的博客
08-09 1642
提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到这个目标，需要提高开关频率，从而降低功率损耗、系 统整体尺寸以及重量。对于当今的开关电源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零电压开关(ZVS) 或零电流开关(ZCS) 拓扑允许采用高频开关技术，可以 大限度地降低开关损耗。ZVS拓扑允许工作在高频开 关下，能够改善效率，能够降低应用的尺寸，还能够降 低功率开关的应力，因此可以改善系统的可靠性。LLC 谐振半桥变换器因其自身具有的多种优势逐渐成为一种 主流拓扑。这种拓扑得到了广泛的应用，包括高端服务
MOS 管失效的六大原因
老D工作室
04-10 1149
功率器件在近几年的市场方面发展的非常火爆，尤其是 MOS 管，他主要应用在电源适配器，电池管理系统以及逆变器和电机控制系统中。而随着计算器主板，AI 显卡，服务器等行业的爆发，低压功率 MOS 管将再次迎来爆发性的市场需求。在开关电源应用领域，由于电源的 Controller 做的已经非常完善，且大部分 Controller 为纯硬件控制，厂家一般也会对布局布线和 MOS 的驱动做专门的优化，因此在开关电源应用中的 MOS 烧坏的情况比较少，大部分表现为过热。
STM32F103常见问题分析与解决
u010834669的博客
02-11 9324
说明：自2017年8月份开始，再次进入到研发团队，逐步开始用51系列单片机做产品，后续主要将51更新成STM32。本文主要针对日常使用STM32F103所遇到的问题进行梳理总结，包括硬件部分、软件部分、调试部分等，通过“问题描述”、“问题预测”、“解决方案”、“小结”这几方面对遇到问题并解决问题的过程进行记录和分析，将进行持续更新。日常使用的STM32F103主要是VET6和C8T6两款。 ...
SiC MOSFET的短路特性及保护
小幽余生不加糖
07-31 9540
然而，大电阻关断在抑制关断过电压的同时也致使关断延迟时间增大，导致SiCMOSFET不能及时关断，为此，在关断过程中采用不同栅极电阻关断SiCMOSFET短路电流，从而兼顾了SiCMOSFET短路关断过电压与关断延迟时间，但大电阻关断可能导致SiCMOSFET因关断损耗过大而发生失效。（2）其次，在短路工况下，SiCMOSFET较弱的界面质量会带来栅极氧化层可靠性问题，由于SiCMOSFET需要更高的正向栅极偏压，栅电场的增高会进一步加剧短路时栅极氧化层退化问题；...
BMS设计中的短路保护和MOSFET选型（上）
qianoocheng的博客
03-24 3195
众所周知，MOSFET对锂电池板的保护作用非常大，它可以检测过充电，检测过放电，检测充电时过电电流，检测放电时过电电流，检测短路时过电电流。可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。此外，裸露焊盘是无锡的。SOT89具有3条短引脚，分布在晶体管的一侧，另外一侧为金属散热片，与基极相连，以增加散热能力，常见于硅功率表面组装晶体管，适用于较高功率的场合。
LLC谐振变换器中MOS失效模式分析.pdf.pdf
09-14
然而，即便是在LLC谐振变换器这样的先进拓扑中，也存在着潜在的失效模式和失效机理。例如，使用带有反向快速恢复体二极管的MOSFET可以显著提高可靠性，但MOSFET体二极管的反向恢复特性较慢，尤其在低反向电压条件下...
参考资料-LLC-谐振变换器中-MOSFET失效模式的分析.zip
01-16
MOSFET的常见失效模式包括： 1. **热击穿**：当MOSFET的功耗过大，导致其结温升高超过额定值时，可能会发生热击穿。这通常由过高的工作电流、散热不良或者长时间高负荷运行引起。设计时应确保足够的散热设施和合理...
嵌入式硬件基础知识
weixin_45710581的博客
09-21 3033
定义：嵌入式系统是一种专为特定应用而设计的计算机系统，它通常被嵌入到更大的设备或系统中，作为这些设备或系统的一部分来执行预设的任务。与通用计算机相比，嵌入式系统具有更高的专用性、更低的功耗、更小的体积以及更强的实时性等特点。特点专用性：嵌入式系统通常针对特定应用进行设计，软硬件高度集成，优化以满足特定需求。低功耗：由于常需长时间运行且可能由电池供电，嵌入式系统普遍采用低功耗设计。小型化：受限于应用场景，嵌入式系统往往体积小巧，便于安装与集成。实时性。
硬件工程师必须掌握的MOS管详细知识
2401_86482345的博客
08-11 1万+
MOS管，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子工业中各种电路的开关、放大、调制、数字电路和模拟电路等领域。电压控制：MOS管是一种电压控制型器件，通过改变栅极与源极之间的电压（VGS）来控制漏极与源极之间的电流（ID）。主要参数：包括栅源极最大驱动电压（VGS）、漏源电压（VDS）、漏源导通电阻（RDS(on)）、栅极电荷（Qg）、漏极电流（Id）等。
wsl(3) -- USB使用
最新发布
xflm的博客
10-02 235
在wsl上连接usb设备
Linux下驱动开发实例
m0_51830537的博客
09-29 1378
它是一种 6 轴运动传感器，能够同时测量设备的加速度和角速度，因此广泛应用于姿态检测、航向控制、运动追踪等领域。这个驱动程序是一个用于 Linux 内核的简单平台设备驱动，目的是控制 GPIO（通用输入输出）引脚上的设备，比如一个 LED。它的功能主要包括初始化设备、配置 GPIO 引脚、中断处理，以及清理和释放资源。代码实现了一个 MPU6050 I2C 设备的 Linux 驱动程序，用于与 MPU6050 加速度计和陀螺仪传感器进行通信。Linux I2C 核心 API。
FOC电机驱动开发踩坑记录
mengjiexu_cn的博客
09-26 542
2. 低压区域采样，优点是对应器件的电压承受能力要求低，缺点是需要精确控制采样的时间，采样时间必须在H桥的下臂导通时进行采样，否则采样不到正确的电流；常用的无感FOC控制算法有滑膜控制器、龙博格观测器，基本都是靠观测器加锁相环来实现对转子角度位置的估计，但是都会有一些问题，滑膜控制器的问题是可能会出现电机震荡，可以通过调整参数的大小来降低震荡的幅度但一定会有。电机的三相电流采样有3种采样的方法，1种是3相电流全部采样，好处是能采到三相的实时真实电流，缺点是成本是最高的；
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