基于Qsys的SDRAM控制器

最新推荐文章于 2023-04-28 20:03:10 发布

Arist9612

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分类专栏： ASIC/FPGA设计基础

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_43445577/article/details/107375619

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1.Intel FPGA中SDRAM控制器IP示意图

相比LED/数码管等简单外设，SDRAM芯片配置显得复杂许多，当然可以自行编写状态机实现初始化和读写控制，但是为了加快开发速度，可以借助Intel提供的基于Qsys系统的SDRAM控制器IP并进行简单的设置来实现对外设SDRAM的读写操作。
PLL phase shift：使得输入SDRAM控制器和外部SDRAM芯片的时钟有一定的相位偏移（需要看具体SDRAM的手册），满足时序要求。
Avalon-MM Slave Port：通过在Qsys中配置NIOS CPU和SDRAM控制器连线完成对SDRAM的数据和命令写入。
- address：地址线，在此处会把SDRAM的行列段地址映射成一种连续的地址形式；
- data：数据线，宽度与SDRAM数据线位宽相同；
- Control：读写信号；
- waitrequest：请求等待，发送读请求或者写请求时，若该位为高则本次请求不会被处理；因为SDRAM的操作比较繁琐，包括刷新/预充电等，不同于片上的RAM/FIFO发送请求或者地址立刻出数据，也许片外SDRAM正在处于刷新状态，因此必须等待其处理完成自身的任务之后才可以处理FPGA发来的读写请求。
- readdatavalid：当读取SDRAM芯片时，只有当本信号为高，读取的数据才是有效数据。
interface to SDRAM pins：同外部SDRAM的引脚接口。
注意图中SDRAM的dp端口是双向IO。

Memory Profile

根据所使用的SDRAM数据手册查询相关信息填入即可。通过检查左下角系统算出的SDRAM大小与实际器件大小是否相符来判断数据填入是否有误。
Timing

从上到下解释参数
初始化时需要刷新几个周期，可以查看SDRAM芯片数据手册。一般是要求大于等于2周期。
间隔多少us执行一次刷新的命令，比如某器件每32ms刷新一次，每次刷新一行，一共有11bit表示行数，因此总的刷新指令周期=32000/（2^11）=15.625us。值得注意的是，本页面下所有设置的时间都是以Qsys系统输入时钟周期为参考的，也就是说并不一定能够达到小数点后3位的精度，但是会提前执行刷新。
在上电后需要延时多久后执行初始化，查手册。
刷新指令持续时间（Trfc），指令周期，查手册，可以比手册的时间长一些。
预充电指令持续时间(Trp)，预充电周期，查手册。
行列延时(Trcd)，查手册，可以比手册的时间长一些。
访问时间(Tac)，查手册，根据上面的CAS的latency来选择参数。
写回周期（Twr），差手册，可以大于手册要求时间。