- MOSFET是如何实现信号放大的？
- MOSFET需具备什么样的条件才能正常放大信号？如何构成其放大电路？
- 如何分析和设计MOSFET放大电路？
- FET与BJT放大电路有何异同点？
只是器件不一样，其中的原理三极管和MOS管是一样的
工作原理有差别，处于放大状态条件不同
设置工作点不一样，要构成可放大信号的电路
剩下的
增益、输入电阻、输出电阻、频率响应、上下限频域宽度
场效应管的分类：
1.MOSFET（IGFET）绝缘栅型：
增强型： N沟道、P沟道（用的最多）
耗尽型 ：N沟道、P沟道
2.JFET结型：
耗尽型：N沟道、P沟道
耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在
增强型：场效应管没有加偏置电压，没有导电沟道 （增强型的用的多）
1. MOSFET是如何实现信号放大的？
放大需要：
1.能量供给
2.双口网络（电路） （MOSFET可以构成双口共源、共栅、共漏）
3.实现输入对输出的控制
4.控制关系是线性的
MOSFET如何满足这些条件？与BJT有何异同？
绝缘层、绝缘栅极由此而来
W>L(这是按照电流方向来定义的长和宽)
现在很多场效应管的栅极不用金属做，而是用多晶硅，但是还是沿用了老的名称
有些有4个电极的，衬底的电极没有和S端连在一起，这种可以自由连线选择当NMOS管或者PMOS管了
没添加电压的时候，沟道不通，用三根断的线表示，不加偏置电压沟道不连接。
通过箭头方向判断沟道类型，P指向N
通过VGS电压形成电场，电场方向向下，空穴往下。自由电子网上。
虽然自由电子是少数载流子，但是会贴着绝缘栅极形成一层自由电子层，自由电子层带负电，N型区多数载流子是自由电子
产生的导电沟道有电场引起，栅源电压。
N型感生沟道（反型层），P区和N沟道之间，一定有一个耗尽层，PN结
VGS变化，改变沟道的厚薄，相当于改变沟道电阻
越厚电阻越小，VGS越大越好
VGS>VT，才有沟道
原理小结
1.沟道中只有一种类型的载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管
2.MOSFET的栅极是绝缘的，所以iG≈0，输入电阻很高
3.当只有VGS>VT时，增强型MOSFET的ds之间才能导通
4.预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后，iD趋于饱和。
栅源电压固定，已经产生了勾沟道了，再改变漏源之间电压。
沟道里面存在电位梯度，Vds(右边和栅极压差小一些，意味着电场弱一些，沟道形状会变，楔形沟道)
增加Vds，沟道会变陡
在增加Vds，沟道变薄，电阻变大曲线斜率下降
继续增加Vds，当VGD=VT时，出现预夹断点，沟道电阻明显增大
继续增加Vds，夹断区会延长，电阻更大
但是Vds是引起电阻增大的原因，所以电流不会减小，会有一点倾斜，但是趋于平行
Vds大部分压降字耗尽层（夹断区）
但是夹断区会有一个较强的点成，对自由电子还很有吸引力
可以类似于BJT，BE加电压，大量的电子到中间，再由电场吸引到C端， GS给导电沟道注入很多自由电子，在电场力作用下漂移到了漏区D
VGS改变沟道厚薄，整体平移，VGS不同，电阻不同，所以画出来的曲线会有很多条，且斜率各不相同
控制关系由电场产生，所以也叫场效应管。
FET的饱和区（也叫恒流区、或夹断区）（场效应管应该工作在此区）
可变电阻区，不同VGS斜率和电阻不一样，而且从0出发起就不一样
bjt在饱和区，前面的线都是在一起的
注意和三极管的区域分开
K 常数
VT开启电压 由环境温度确定，都是定值
rdso 在控制系统里好控制，改变不同的VGS，会有不同的电阻，这个比手动的机械的电位器好用
用场效应管做电阻
压控变容二极管 二极管等效电容的容量由外接控制
W沟道宽度 L沟道长度
场效应管的栅极电容比BJT要明显，体现在COX上面，这是折算成单位面积的电容
饱和区和Vds关系不大了，这是用来放大信号的工作区
因为栅极绝缘，所以MOS管没有输入特性这一说
但是有其他的特性曲线，比如VGS和VT的关系：转移特性曲线
输入端口的，输出端口的，描述输入输出之间的关系的：叫转移特性曲线
三极管，信号先影响Vbe,在影响电流，其实是个指数关系
iB=IBS*(eVBE/VT-1)
所以说BJT输入输出线性关系比FET好，有一个指数关系，到了ib后，再到ic,这可以看成是线性的，前面的还是个指数关系
MOS管的是一个抛物线关系
反应了，输入引起输出的变化，FET的要小一些
结论：想同静态条件，BJT的放大能力更大，比FET的要大
沟道长度调制效应λ
其他类型的MOSFET
专门做器件的话，要关注制作工艺，怎么把正离子注入进去，学习半导体器件原理
器件参数
这里的rds没有o
图片下面的参数是工作在恒流区的电阻
这些极限参数能超过，否则会出问题
2796
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
