- MOSFET是如何实现信号放大的?
- MOSFET需具备什么样的条件才能正常放大信号?如何构成其放大电路?
- 如何分析和设计MOSFET放大电路?
- FET与BJT放大电路有何异同点?
只是器件不一样,其中的原理三极管和MOS管是一样的
工作原理有差别,处于放大状态条件不同
设置工作点不一样,要构成可放大信号的电路
剩下的
增益、输入电阻、输出电阻、频率响应、上下限频域宽度
场效应管的分类:
1.MOSFET(IGFET)绝缘栅型:
增强型: N沟道、P沟道(用的最多)
耗尽型 :N沟道、P沟道
2.JFET结型:
耗尽型:N沟道、P沟道
耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在
增强型:场效应管没有加偏置电压,没有导电沟道 (增强型的用的多)
1. MOSFET是如何实现信号放大的?
放大需要:
1.能量供给
2.双口网络(电路) (MOSFET可以构成双口共源、共栅、共漏)
3.实现输入对输出的控制
4.控制关系是线性的
MOSFET如何满足这些条件?与BJT有何异同?
绝缘层、绝缘栅极由此而来
W>L(这是按照电流方向来定义的长和宽)
现在很多场效应管的栅极不用金属做,而是用多晶硅,但是还是沿用了老的名称
有些有4个电极的,衬底的电极没有和S端连在一起,这种可以自由连线选择当NMOS管或者PMOS管了
没添加电压的时候,沟道不通,用三根断的线表示,不加偏置电压沟道不连接。
通过箭头方向判断沟道类型,P指向N
通过VGS电压形成电场,电场方向向下,空穴往下。自由电子网上。
虽然自由电子是少数载流子,但是会贴着绝缘栅极形成一层自由电子层,自由电子层带负电,N型区多数载流子是自由电子
产生的导电沟道有电场引起,栅源电压。
N型感生沟道(反型层),P区和N沟道之间,一定有一个耗尽层,PN结
VGS变化,改变沟道的厚薄,相当于改变沟道电阻
越厚电阻越小,VGS越大越好
VGS>VT,才有沟道
原理小结
1.沟道中只有一种类型的载流子参与导电,所以场效应管也称为单极型三极管
2.MOSFET的栅极是绝缘的,所以iG≈0,输入电阻很高
3.当只有VGS>VT时,增强型MOSFET的ds之间才能导通
4.预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后,iD趋于饱和。
栅源电压固定,已经产生了勾沟道了,再改变漏源之间电压。
沟道里面存在电位梯度,Vds(右边和栅极压差小一些,意味着电场弱一些,沟道形状会变,楔形沟道)
增加Vds,沟道会变陡
在增加Vds,沟道变薄,电阻变大曲线斜率下降
继续增加Vds,当VGD=VT时,出现预夹断点,沟道电阻明显增大
继续增加Vds,夹断区会延长,电阻更大
但是Vds是引起电阻增大的原因,所以电流不会减小,会有一点倾斜,但是趋于平行
Vds大部分压降字耗尽层(夹断区)
但是夹断区会有一个较强的点成,对自由电子还很有吸引力
可以类似于BJT,BE加电压,大量的电子到中间,再由电场吸引到C端, GS给导电沟道注入很多自由电子,在电场力作用下漂移到了漏区D
VGS改变沟道厚薄,整体平移,VGS不同,电阻不同,所以画出来的曲线会有很多条,且斜率各不相同
控制关系由电场产生,所以也叫场效应管。
FET的饱和区(也叫恒流区、或夹断区)(场效应管应该工作在此区)
可变电阻区,不同VGS斜率和电阻不一样,而且从0出发起就不一样
bjt在饱和区,前面的线都是在一起的
注意和三极管的区域分开
K 常数
VT开启电压 由环境温度确定,都是定值
rdso 在控制系统里好控制,改变不同的VGS,会有不同的电阻,这个比手动的机械的电位器好用
用场效应管做电阻
压控变容二极管 二极管等效电容的容量由外接控制
W沟道宽度 L沟道长度
场效应管的栅极电容比BJT要明显,体现在COX上面,这是折算成单位面积的电容
饱和区和Vds关系不大了,这是用来放大信号的工作区
因为栅极绝缘,所以MOS管没有输入特性这一说
但是有其他的特性曲线,比如VGS和VT的关系:转移特性曲线
输入端口的,输出端口的,描述输入输出之间的关系的:叫转移特性曲线
三极管,信号先影响Vbe,在影响电流,其实是个指数关系
iB=IBS*(eVBE/VT-1)
所以说BJT输入输出线性关系比FET好,有一个指数关系,到了ib后,再到ic,这可以看成是线性的,前面的还是个指数关系
MOS管的是一个抛物线关系
反应了,输入引起输出的变化,FET的要小一些
结论:想同静态条件,BJT的放大能力更大,比FET的要大
沟道长度调制效应λ
其他类型的MOSFET
专门做器件的话,要关注制作工艺,怎么把正离子注入进去,学习半导体器件原理
器件参数
这里的rds没有o
图片下面的参数是工作在恒流区的电阻
这些极限参数能超过,否则会出问题