MOS管（学习笔记1）

目录

导通原理

参数

Ugsth-栅源阈值电压

Rds-源漏极之间的电阻

Ugs不变，Uds增大带来的变化

增强型和耗尽型

MOS管是一种场效应晶体管，分为N型和P型、增强型与耗尽型

导通原理

先以NMOS管为例子：（图中有一个错误：金属板大小应能基本与N沟道的长度一致）

栅极由金属板和绝缘层组成，源极是MOS管导通时载流子的发源处，漏极是载流子的漏出处。在NMOS管中，衬底是P型半导体（空穴是多子，自由电子是少子），源漏两侧的是N型半导体（自由电子是多子，空穴是少子）。

其中可以看到源极和衬底相连接，当给栅极和源极两端接上电压Ugs（>0），产生电场，促使衬底中少数的自由电子移动到栅极，空穴相对移动离开栅极。当到达一定程度之时，栅极附近的自由电子形成N沟道，使得两个N区之间没有PN结的阻碍而导通。在源极、漏极之间加电压Uds（>0），形成电流。

其中，自由电子受电电场作用的移动方向在MOS管的符号中体现为图中红色圆圈的箭头：

参数

（以NMOS为例做解释）

Ugsth-栅源阈值电压

沟道的形成需要Ugs达到一定程度，使得从衬底过来的自由电子足以形成N沟道，这个电压是Ugsth。只有当Ugs > Ugsth，才能形成沟道，MOS管才会导通。

Rds-源漏极之间的电阻

Ugs越高，电场强度越大，过来栅极的自由电子的数量多，形成的沟道宽度越大，沟道的电阻Rds越小。因此，沟道可以看作可用电压控制的可变电阻器。

Ugs不变，Uds增大带来的变化

Ugs > Ugsth，随着Uds不断增大，沟道会发生如下的变化，靠近漏极的一端不断压缩但始终不闭合。当Ugs - Uds = Ugsth时，一边刚好变成一条细缝（预夹断）。越靠近源极，电压逐渐变小，Ugs - U > Ugsth。

• 预夹断发生在导电通道的一端（通常是漏极附近），而不是整个通道。在增强型MOSFET中，随着漏源电压（(V_{DS})）的增加，漏极附近的通道会首先夹断，但由于栅极控制，通道的其他部分仍然导电，允许电流流动。（GPT生成）

随着Uds增大，电阻不断增大，与电压的增大保持相关，使得源漏导通的电流几乎可以看作为保持恒定。漏、源之间的电压-电流曲线变化图如下。

预夹断之前，Uds、Ugs共同决定电流大小；

预夹断之后，Ugs决定电流大小。

增强型和耗尽型

上述例子的NMOS，接上Ugs后，仍需要Ugs增加至大于Ugsth后才导通，这种就是增强型NMOS。

耗尽型只需要加上Ugs，即可直接导通。其方法是往绝缘层中加入正电荷，增大电场强度。

耗尽型也有类似Ugsth的值：Ugsoff-截至电压，为负值。当Ugs < Ugsoff，不再导通。