Flash之SM25QH128M、JFM25F32A读写操作FPGA Verilog实现

JFM25F32A Flash写操作流程如图1所示，对于Flash类型的存储器，向已经存在数据的单元写入数据时，直接写入是无法写入的，在写入之前必须先执行擦除命令，再进行写入即可；如果待写入的单元为新的单元（“FF”），则可以直接写入数据。下面为Flash写操作的流程，如果写入的单元为新的数据单元，则写操作中的擦除流程可以取消掉。

1. JFM25F32A操作指令(instruction)的规则

（1） JFM25F32A Flash存储单元的地址为24bit ADDR[23:0]，每一个基本存储单元容量为一个字节；
（2） 数据移位时，高位在前，低位在后；
（3） 页编程命令至少需要一个字节的数据，最多256个字节的数据；
（4） 每一个操作指令通过SPI接口独立的写入，CS#下降沿开始每一个指令的传输，CS#上升沿结束本次命令，执行相应的操作写入相应的指令即可；
（5） 在向存入数据的单元写入数据时，必须先进行擦除操作，再写入相应的数据；

2 指令列表

3. JFM25F32A的状态寄存器

JFM25F32A有两个状态寄存器，状态寄存器1（S7-S0），状态寄存器2（S15-S8）两个，具体的位分布如下：
表2状态寄存器1
S7 S6 S5 S4 S3 S2 S1 S0
SRP0 SEC TB BP2 BP1 BP0 WEL WIP
表3状态寄存器2
S15 S14 S13 S12 S11 S10 S9 S8
R CMP ERR R R LB R SRP1
注：在进行读写操作时，我们只需要读状态寄存器1，判断其中的WEL位于WIP位即可，状态寄存器2以及状态寄存器1的其他位不需要关注。

4 编程注意事项
编写Flash驱动程序时，除了在保证驱动时序正确的情况下，还应该关注相应操作所需的时间条件，即：每一次执行相应的命令至少需要的时间，这些参数告诉我们，即使这个指令发送完毕，也不能立即操作，也需等待这么久的空闲时间才能进行下一次操作，特别是在擦除操作、写操作必须满足相应的时间；这些参数的获取在器件手册的交流参数表中获取。JFM25F32A的关键交流参数如表5。
符号 参数含义 MIN TYP(典型) MAX
Tpp 页编程时间 — 5ms
Tse 扇区擦除时间 300ms
Tbe 区块擦除时间 3s
Tce 全芯片擦除 12s 100s
注：在使用时必须注意这些参数，否则有可能导致读写操作失败，数据写不进去，或者第一个数据写进去。
5 JFM25F32A相应操作时序图
以下的所有时序图，均是在SPI模式下操作Flash的时序图。
（1）读状态寄存器时图

（2）写使能时序图

（3）扇区擦除时序图

（4）页编程时序图

（5）读操作时序图

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