学习笔记-20231023-比较器

1. StrongARM比较器

1.2 工作区域

phase1:复位,CLK=0,S1-S4导通,M7关断,XYPQ复位至VDD;

phase2:放大;CLK=1,S1-S4关断,M7导通;M1-M2工作于饱和区,根据输入相对大小,将PQ点电压以不同的速率下拉,直至一点先下拉至VDD-VTHN使M3-M4其中一个先导通;放大区等效增益为gm1,2·VTHN/ICM;

phase3 :N交叉耦合对导通;进入N管再生过程,时间常数τ1=-C/gm3,4(Gray 389),XY点电压差值VX-VY=VXY0·Exp(-t/τ1)以正指数率增加,将XY点电压以不同的速率下拉,直至其中一点先下拉至VDD-VTHP使M5-M6其中一个先导通;

phase4 :P交叉耦合对导通;进入P管再生过程,和N管构成首尾相连的反相器形成正反馈,XY点不再同时下拉,而是一个继续下拉另一个上拉使电压分离,完成比较。

1.3 各管作用

M3-M4:消除静态直流通路,消除静态功耗;M3-4的尺寸决定了phase3的时间常数τ1∝sqrt(W·L^3);同时M3-4和M5-6在phase4构成首尾相连的反相器,反相器的开关阈值要做低(增大N管尺寸),因为在phase3过程中XY点均下拉,若XY下拉很低,而反相器开关阈值又很高(P管上拉能力很强),可能导致XY均被上拉至VDD,导致比较错误(实际这种情况很难出现,除非P管尺寸>>N管尺寸);M3-M4的失调等效到输出约除以4,M5-6失调等效到输入约除以10;

S1-S2:将PQ点充电至VDD,使M1-M2在比较阶段开始时工作于饱和区,提高放大区(phase2)等效增益,降低失调;是KT/C噪声的主要贡献;比较之前关断,对失调无贡献;

M1-M2:增大输入对管尺寸可以降低失调提升增益,但会提高输入负载,即提高前级预放大器的输出负载;同时使寄生电容Cgd增加,增大回踢噪声

M7:减小钟控尾电流管可以减小放大区共模电流,增加放大区时间,提高VP-VQ差值,提高放大区增益;同时减小寄生电容降低功耗;

2. Lewis-Gray比较器

将时钟管与输入对管隔离,降低回踢噪声。

缺点:比较时输入对管工作于线性区增益小,整体失调大。

参考文献:

B. Razavi, "The StrongARM Latch [A Circuit for All Seasons]," in IEEE Solid-State Circuits Magazine, vol. 7, no. 2, pp. 12-17, Spring 2015, doi: 10.1109/MSSC.2015.2418155.

P. E. Allen, D. R. Holberg. CMOS 模拟集成电路[M]. 北京:电子工业出版社, 2005, 359-600

SAR ADC设计17:LATCH比较器_小生就看看的博客-CSDN博客

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STM32是一款非常流行的嵌入式微控制器系列,它具有强大的性能和丰富的外设资源。在学习STM32时,掌握如何进行Flash读写是非常重要的。 Flash是一种非易失性存储器,可以用来存储程序代码和数据。在STM32中,Flash存储器通常用来存储应用程序代码。下面是一个简单的Flash读写程序的示例: 1.首先,我们需要包含适用于所使用的STM32型号的头文件。例如,对于STM32F4系列,我们需要包含"stm32f4xx.h"。 2.然后,我们需要定义一个指向Flash存储器的指针变量。例如,可以使用如下代码:`uint32_t* flash_address = (uint32_t*)0x08000000;`其中0x08000000是Flash存储器的起始地址。 3.要读取Flash存储器中的数据,我们可以通过以下代码实现:`data = *flash_address;`其中data是一个变量,用于存储读取到的数据。 4.要写入数据到Flash存储器中,我们可以通过以下代码实现:`*flash_address = data;`其中data是要写入的数据。 需要注意的是,STM32的Flash存储器是有写保护机制的,因此在写入数据之前,我们需要禁用写保护。可以使用以下代码禁用写保护:`FLASH->KEYR = 0x45670123; FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;`然后才能进行数据写入。 另外,为了确保数据的完整性,我们可以使用CRC校验来验证Flash存储器中的程序代码的正确性。可以使用库函数来计算校验和,然后将其与预期的校验和进行比较以进行验证。 综上所述,掌握STM32的Flash读写操作对于嵌入式系统的开发非常重要。上述示例代码可以帮助我们快速进行Flash读写操作,同时注意写保护和数据校验可以提高数据的安全性和可靠性。

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