1. StrongARM比较器
1.2 工作区域
phase1:复位,CLK=0,S1-S4导通,M7关断,XYPQ复位至VDD;
phase2:放大;CLK=1,S1-S4关断,M7导通;M1-M2工作于饱和区,根据输入相对大小,将PQ点电压以不同的速率下拉,直至一点先下拉至VDD-VTHN使M3-M4其中一个先导通;放大区等效增益为gm1,2·VTHN/ICM;
phase3 :N交叉耦合对导通;进入N管再生过程,时间常数τ1=-C/gm3,4(Gray 389),XY点电压差值VX-VY=VXY0·Exp(-t/τ1)以正指数率增加,将XY点电压以不同的速率下拉,直至其中一点先下拉至VDD-VTHP使M5-M6其中一个先导通;
phase4 :P交叉耦合对导通;进入P管再生过程,和N管构成首尾相连的反相器形成正反馈,XY点不再同时下拉,而是一个继续下拉另一个上拉使电压分离,完成比较。
1.3 各管作用
M3-M4:消除静态直流通路,消除静态功耗;M3-4的尺寸决定了phase3的时间常数τ1∝sqrt(W·L^3);同时M3-4和M5-6在phase4构成首尾相连的反相器,反相器的开关阈值要做低(增大N管尺寸),因为在phase3过程中XY点均下拉,若XY下拉很低,而反相器开关阈值又很高(P管上拉能力很强),可能导致XY均被上拉至VDD,导致比较错误(实际这种情况很难出现,除非P管尺寸>>N管尺寸);M3-M4的失调等效到输出约除以4,M5-6失调等效到输入约除以10;
S1-S2:将PQ点充电至VDD,使M1-M2在比较阶段开始时工作于饱和区,提高放大区(phase2)等效增益,降低失调;是KT/C噪声的主要贡献;比较之前关断,对失调无贡献;
M1-M2:增大输入对管尺寸可以降低失调提升增益,但会提高输入负载,即提高前级预放大器的输出负载;同时使寄生电容Cgd增加,增大回踢噪声;
M7:减小钟控尾电流管可以减小放大区共模电流,增加放大区时间,提高VP-VQ差值,提高放大区增益;同时减小寄生电容降低功耗;
2. Lewis-Gray比较器
将时钟管与输入对管隔离,降低回踢噪声。
缺点:比较时输入对管工作于线性区增益小,整体失调大。
参考文献:
B. Razavi, "The StrongARM Latch [A Circuit for All Seasons]," in IEEE Solid-State Circuits Magazine, vol. 7, no. 2, pp. 12-17, Spring 2015, doi: 10.1109/MSSC.2015.2418155.
P. E. Allen, D. R. Holberg. CMOS 模拟集成电路[M]. 北京:电子工业出版社, 2005, 359-600