目的
Gm/Id作为基准变量,是对于管子和电路电流效率的考虑,可以理解为多少电流换取多少Gm,通过的电路越大换取的Gm越大,所带来的增益也越高。
因为传统的平方律关系电流I所涉及的参数太多,所以gm/Id作为基准变量(X轴),与L、工艺是无关的。gm/Id实际上就是过驱动电压的倒数。
但同时,还需考虑ft,ft代表管子的速度。随着工艺的迭代,管子的速度可以越来越快,同时管子也越来越像开关,对于数字电路的设计是大大有益的。但是管子的增益会由于工艺的进步而下降,给模拟电路设计带来新的挑战。
主要设计过程
1、先选定Vov
这个参量是一个综合考虑参量,它与速度、增益等有关
2、选定管子长度L
L直接与管子的本征增益和特征频率有关,这里的选取体现了精度和速度的折中思想
3、对不同类型的管子定下Gm/Id
放大管:一般Gm/Id取值是比较大,通常取16。目的是换取更多的gm带来更多的增益
电流镜:Gm/Id尽量取小,通常取10。这样所带来的噪声比较小
gmid图:多少电流换取多大gm x:Vin y:gm/id
GMID图:多少电流换取多大gm x:Vov y:gm/id,只是横坐标不一样
FOM图:FOM=FT*GMID,电流效率和速度的折中取值,一般Vov取0.2V,FOM是最大值
Av=gmr0=self_gain:本征增益
Id/W:电流密度
VGS=VDS,忽略D端对id的影响
实操部分(运放gmid实操展示)
目标:Av>80dB GBW=10MHz CL=2pF PM>60°
Wp,y=gm8/CL 尽量使这个极点向右边移动
Wp,x=1/(rout1(2+Av2)Cc) 尽量使这个极点向左边移动
GBW=Av0*Wp1 保证带内只有一个极点
Wz=gm8/Cc(不考虑R)(x点到y点有一个前馈通路)尽量使这个零点向右边移动
相位裕度
根据零极点图,第一个极点Wp1贡献了90°的相位(近似),因为GBW远远大于Wp1,也就是至少大于10倍的Wp1
第二个极点和零点总共贡献的相位不能超过30°
Wp2一般取3GBW Wz一般取6GBW(可灵活变化)
Wp2=gm8/CL=3GBW=3*gm1/Cc
Wz=gm8/Cc=6GBW=6*gm1/Cc
Cc=1/2*CL=1pF
GBW
Av0=Av1*Av2
GBW=Av0*wp1=Av1*Av2 * wp1=AV1/Rout1*Cc=gm1/Cc(单位是,欧米伽)
所以GBW=gm1/(2Cc)=10.95MHz(单位是Hz)
所以gm1=63us (s跨导单位,西门子),取整数值就可以了
gm8=6*gm1=378us(为了将零极点拉开)
Av
Av0=Av1*Av2>80dB
AV1=gm1*Rout1=gm1(ro2//ro4)
Av2=gm8(ro7//ro8)
所以,AV1=gm1*ro2/2 * gm8*ro8/2(ro2=ro4,ro7=ro8)
=M2self_gain*M8self_gain/4
因为80dB=10000
所以 M2self_gain*M8self_gain/4>40000
w=1u是因为好计算。它能线性增大电流
1、输入管的取值(M1\M2\M8) gm/id取值在10—12之间
定L
M1(M2)、M8管是输入管,取gm/id=10 w=1um
Id1=1/6Id8=6.3uA
Id8=37.8uA
开始扫参,self_gain vs gmid图,
第一级的p管,L1=L2=1.2um,self_gain=174.6
第二级的n管,L8=800nm,self_gain=473.485
两级相乘大于了40000倍,符合条件
定W
对nmos管 扫出gmid vs id的图, 让横坐标gmid=10时,id=2.867uA(w=1um时)
但是我们需要Id8=37.8uA,所以id8/id=13.1≈13
所以w增大13倍,w=13um
对pmos管
扫出gmid vs id的图, 让横坐标gmid=10时,id=-932.629nA(w=1um时,只是电流关系相反所以有负号)
但是我们需要Id1=6.3uA,所以id1/id=6.76≈7
所以w增大7倍,w=7um
2、电流源的取值(M6\M5\M7) gm/id取值在8—10之间
取M6
先假定设置L6、5、7=2um,因为L越大,ro也越大,从而使电流源更接近理想电流源
取gm/id=8 预计给一个理想电流源 idc=2uA
当L=2um, gm/id=8(w=1um)时,id=-793.333nA
但是需要Id6=2uA,所以 2uA/793.333nA=3
所以w6=3um
取M5
因为M1和M2电流之和是6.3+6.3uA ≈ 12uA
所以M5流过电流是Id5=12uA
w5/w6=Id5/Id6 即w5=6*w6=6*3=18um
取M7
因为Id8=37.8uA 所以Id7=37.8uA≈36uA
w7=3*w5=54um
取M3\M4
注意:(gm/Id)3,4==(gm/Id)8,不然可能不处于饱和区 因为在OTA处于共模情况下,M8的栅极电压来自于M3管的漏极电压(对称的两个点相等) gm/Id的实质就是对过驱动电压的取值
如果(gm/Id)3,4≠(gm/Id)8(当L改为1um)
最右边管子进入了线性区,gm变小了
所以,M3\M4\M8的L取值相等 L=0.8um
又因为 Id3,4=6.3uA Id8=37.8uA
所以6*Id3,4=Id8
所以w3,4=1/6*w8=2um
仿真
共模电平取电源电压一半为1.6V , 接地是gnd! (不是GND!)
1、DC仿真,查看直流工作点是否符合条件,符合上面分析的条件后(看region,id,gm等)
2、AC仿真,
仿真完后点击中Phase和dB20,再点击输出端
查看波形
紫色线为幅频图,绿色线为相频图
Av:给一个点在绿色线的最大值上,发现Av=87.2857dB>80dB,符合条件
GBW:GBW=10.3672MHz>10MHz,符合条件
相位裕度: 180°-118.681°=61°>60°,符合条件