2.1 ltspice仿真衬底偏置效应对阈值电压的影响
衬底偏置效应是指当源和体之间加上一个衬底偏置电压时,阈值电压会相应改变的现象(noms VT随着VBS的减小而升高)
在仿真时,我们需要获取阈值电压,查询资料后选择相对最简单的方法:
即将栅端和漏端直接相连并连接一个电流源强制使得流入漏断的电流远远大于流入栅端的电流,此时的VGS=VDS=VT
模型选择: 选择cmosedu_models自带的N_50n 50nm晶体管
‘
方法选择:直流扫描,在体端和源端加一电压源进行直流扫描
横轴为vbs,纵轴为VGS(=VG-VBS)
符合实际
2.2衬底偏置下的i-v曲线
设置vbs=-2.5v仍然按照1.1中的设置绘制i-v曲线
Vbs=-2.5v时的i-v曲线
可以看出此时(Vbs=-2.5v)的id小于vbs=0时的id