亚阈值区MOSFET阈值电压Vth随温度变化曲线仿真【Cadence】

亚阈值区NMOS Vth随温度变化曲线仿真【cadence】

一、测试电路搭建

这里我使用的工艺是SIMC的0.18微米工艺库，电路如下图：

其中NMOS的W/L设为6u/3u，可根据实际情况而定。

二、ADE_L仿真环境设置

Vds的初始值设定为80mV，Vgs的初始值设定为200mV，目的是保证NMOS工作于亚阈值区。

选择使用dc分析，勾选Save DC Opearting point选项后，点击OK。

点击Tools，选择parametric Analysis，扫描温度变量temp，扫描方式随意，点击绿色运行按钮。

返回ADL_X界面，选择Results Browser

在左上角选择dcOpinfo，然后选择NM1，在左下角双击Vth，即可得到Vthy随温度变化的曲线了（如右图所示）。