亚阈值区MOSFET阈值电压Vth随温度变化曲线仿真【Cadence】

亚阈值区NMOS Vth随温度变化曲线仿真【cadence】

一、测试电路搭建

这里我使用的工艺是SIMC的0.18微米工艺库,电路如下图:
测试电路
其中NMOS的W/L设为6u/3u,可根据实际情况而定。

二、ADE_L仿真环境设置

Vds的初始值设定为80mV,Vgs的初始值设定为200mV,目的是保证NMOS工作于亚阈值区。
在这里插入图片描述
选择使用dc分析,勾选Save DC Opearting point选项后,点击OK。
在这里插入图片描述
点击Tools,选择parametric Analysis,扫描温度变量temp,扫描方式随意,点击绿色运行按钮。
在这里插入图片描述
返回ADL_X界面,选择Results Browser
在这里插入图片描述
在左上角选择dcOpinfo,然后选择NM1,在左下角双击Vth,即可得到Vthy随温度变化的曲线了(如右图所示)。
在这里插入图片描述

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