硅像素传感器文献调研（一）

写在前面：

突然想到，精读文献要到怎样一种程度？

自己回答：再看到这篇文献，不借助翻译，看到一些图也能大致说出他要表达的内容。或者借助自己标记的能回想起来，例如在CSDN上边记录的。

1993年的保护环结构

第一步还是先原文翻译吧，试图搞懂他的基础理论知识，全文研究脉络，可以根据自己想法改变叙述顺序。

第一步：原文翻译

无脑用小绿鲸翻译，有好的理论可以在此记录一下。

0.摘要

信息提取：

简单介绍研究内容和结果：

研究内容：针对氧化物电荷和衬底掺杂浓度对具有多个浮动扩散带的分段保护结构的影响。计算机仿真+实验测试

结果：实验与仿真吻合良好：具有浮动扩散带的分段保护结构具有高击穿电压和低漏电流；浮动的中间场板减少了来自氧化物电荷的影响，并使器件稳定以抵抗环境影响。

1.引言

1.1 SSC+LHC应用

SSC+LHC->更先进的硅像素辐射探测器

1.2 高压工作

高压工作：最大化信号并加快信号收集速度。SSC+LHC中的中子辐射会改变耗尽电压，大体积设备会导致不均匀的辐射损伤水平，导致探测器耗尽电压的变化。所以每个探测器应该有固定的工作电压（超过全耗尽电压），设计时应注意高压操作。

1.3 辐射影响之一——氧化物电荷积累

辐射对硅探测器的一个影响：SiO2层中永久氧化物电荷的积累（3e12）。会降低pn结的击穿电压：

机理描述：

带正电的氧化物电荷在界面处吸引了大量带负电的电子，抵消了n区耗尽区缺少的电子，从而使得耗尽区变化。

针对该不利的但无力避免的SiO2累积，保护环结构可以减少该影响，本文主要研究保护环结构如何消除（减小）该不利影响。此外保护环还有其他作用。

1.4 保护环的作用

①通过解耦有源区外产生的电流来减小有源区的暗电流

②消除可能引起雪崩击穿的高场区域

1.5 目前工作需求来源

起源于高达1MeV的电子光谱快速探测器的需求：

①1mm的探测厚度：确保高能电子和正电子的全部吸收

②系统响应时间<2ns：由于漂移速度取决于电场（暂不考虑速度饱和）和迁移率，故提高响应时间可以通过提高电场强度。要求探测器工作电压高于全耗尽电压，同时不提升漏电流或噪声。（根据pn结基本原理，工作电压增大漏电流明显也要增大的，暂时可以解释为耗尽区增大，产生电流增大）。漏电流或者噪声越大就会降低开关电流比，使得探测器性能下降，探测器灵敏度降低。举个例子：可能并没有光照射，但是由于漏电流过大导致误判有光的情况发生。所以该要求是个难点。

如何解决？不可以通过传统保护环结构来实现。所以本文研究新的保护环结构。

1.6 研究内容安排

①section2：研究氧化物内部和顶部电荷对保护环设计的影响，介绍不同设计理念。

②section3：介绍实验用保护环结构和仿真。

③section4：介绍电势的空间分布并呈现实验和计算结果。

④section5：讨论

⑤section6：结论总结

2.保护环设计的考虑

2.1 表面SiO2氧化物对击穿的影响

对于n型掺杂，净正氧化物电荷导致电子在表面积累；对于p型衬底，净正氧化物电荷导致表面空穴耗尽；对于高阻n型硅衬底形成的单边突变结，相比平面体区域或者不存在氧化物电荷的情况时，该电子积累层将会导致沿着表面的耗尽区变窄。有无氧化物电荷的情况如上图所示，假设氧化物电荷与体掺杂浓度无关，该氧化物电荷对高阻硅的影响比低阻硅要大（同等电压变化下高阻硅的耗尽区宽度变化更大）。在耗尽区电势差恒定的情况下，耗尽宽度的减少会增加Si与SiO2界面硅的电场。因此，雪崩击穿更易发生在高阻硅衬底的表面区域中，而不是低阻硅衬底。硅探测器通常用高阻硅制成，因此表面雪崩击穿被认为是硅探测器中最常见的一种击穿机制。

2.2 表面SiO2氧化物电荷影响条件

二氧化硅表面的化学稳定性在很大程度上取决于最终的工艺条件。氧化物的表面通常是亲水性的，并且电荷密度和导电性可以通过环境条件的变化而改变。二氧化硅表面应被认为是化学和电不稳定的。这可能是与封装的集成电路相比具有不充分的环境钝化的硅探测器不稳定的主要原因之一。尽管体氧化物电荷通常被认为是正的，但是氧化物表面上的附加负电荷可以给予净负氧化物电荷，这将使n型硅反型。除了体电荷之外，氧化物表面上的正电荷将比单独的体氧化物电荷更多地减小硅中的耗尽宽度，从而降低雪崩击穿电压。应避免偏置p-n结周围的大的未钝化二氧化硅表面。从硅中的高场区域的高能电子注入氧化物中也可以改变净氧化物电荷并改变浮置电极的电荷状态。

2.3 以往工作

已经开展了许多工作来改进和优化功率器件的设计和性能，其中保护环结构已经被证明是高压工作所必需的。通常使用三种不同的方法来控制耗尽区的终止。

2.3.1 第一种控制耗尽区终端的方法

最简单的方法是在结外的氧化物顶部引入金属场板（下一篇文献阅读1991年的Two-Dimensional Analysis and Design Considerations of High-Voltage Planar Junctions Equipped with Field Plate and Guard Ring），以消除氧化物表面电荷的变化，并减少体氧化物电荷的影响。

2.3.2 第二种控制耗尽区终端的方法

还利用了注入引起的横向掺杂密度的变化[7]。此方法需要几个掩模过程，并且不能避免净氧化物电荷变化的影响。

2.3.3 第三种控制耗尽区终端的方法

我们研究过的第三种方法是用一个或几个不接触或不偏置的p-n结包围中心二极管[8，9]。

2.4 研究内容

本文对高阻n型硅中具有多个浮置p+扩散区的保护环结构进行了计算机模拟和实验研究。我们将图2所示的结构命名为多重保护。偏压被施加到n +背电极，有源区和内保护接地（此处的inner guard接地，类似于电流收集环？）。保护的基本机制如下。当偏压增加时，耗尽区围绕内部接触的保护环扩展。在某一偏压下，第一非接触p+扩散区将充电。这种情况称为穿通。穿通电压取决于体掺杂浓度、两个p+扩散之间的距离以及净氧化物电荷。对于一个给定的掺杂浓度和氧化物电荷的最大场强是，第一阶（低暗电流），由两个p+扩散之间的距离控制。偏置电压的进一步增加将给予第一非接触p+扩散上的电势的部分增加，而耗尽区围绕这两个p+扩散扩展。对其他浮动条重复相同的过程。与单个p-n结的情况相比，这将在更大的距离上分布中心接触二极管外部的电势，并且给予更低的最大场强。因此，在观察到雪崩击穿之前，探测器可以被偏置在更高的电压。虽然可以很容易地定性预测沿着Si/SiO2界面的电势分布，但是需要仿真来进行定量预测，稍后将描述。

图2 实验保护结构详图。衬底厚度为1000 μm。仅对所示部件进行了仿真。

我们还在待处理器件的扩散p+保护环中合并了金属场板。除了这种结构，我们已经调查了两个不同的处理器件上的不同的几何形状的效果。金属场板在所有情况下都保持浮置，并且将获得取决于最接近限定电势的电导率的电势。

3.实验细节和仿真模型

一些感悟：

首先定性分析，便于整体把握原理，有利于仿真的科学性，减少无用功。有助于设计合理的仿真结构，保证科学的同时还简化仿真。

其次，仿真和真实器件不必完全相同，偏压也不用完全一致，能定量说明机理就好，感觉原则是在能说清楚的前提下能简化最简化，越简化越好，那时候得到的才是最本质的。参考一些很伟大的本质：数学之美，爱因斯坦质能方程、欧拉方程等等，本质看起来都是很简单的。还助于理解。

3.1 真实器件参数（实验结构）简述

我们设计了1 cm × 1 cm的方形二极管，由保护结构包围，如图2所示。p+扩散之间的间隙为50 μ m，宽度为25和50 μ m。除了用于探测保护电位的小金属焊盘之外，具有圆角的保护条被氧化物覆盖。所有器件都在具有扩散p和n区的高电阻率硅上处理。晶片约为1000 μ m厚，并且在正面二极管和背面欧姆接触之间施加偏压。

3.2 仿真

3.2.1 仿真模型

为了揭示上述实验结构的本质特征，我们通过图3所示的简化结构对其进行了仿真。在中心保护环二极管和表面中的n+欧姆接触之间横向施加偏置。模拟的保护结构为20 μ m厚，以减少网格点的数量，并集中在氧化物电荷影响电位分布的区域。施加在n +接触上的电势不一定与施加在背侧上的电势相同。当在背接触上施加偏压时，该接触将通过我们已经模拟的电势，并且如果漏电流小，则两个接触之间的电势差将小。

这句话应该可以用我毕设里这幅图来解释

图3 仿真中使用的简化结构。间隙为50 μm，条带为25或50 μm。

3.2.2 仿真器与边界条件、模型设置

我们使用计算机仿真来预测不同衬底掺杂浓度和氧化物电荷的影响下的保护结构的行为。我们使用通用2D器件仿真器PISCES-2B [10]仿真了图3所示的简化结构，该模拟器可求解空穴和电子的泊松方程和连续性方程。浮置金属场板的影响没有通过模拟来研究。在表面电势、电子和空穴浓度固定的欧姆接触中施加狄利克雷边界条件。沿着外部非接触边缘的器件施加均匀（反射）诺依曼边界条件。在沿着这种边缘没有表面电荷的情况下，法向电场分量变为零。不允许电流流入隔离区域。通过指定硅和氧化物之间的界面中的边界条件来间接地施加外氧化物表面上的边界条件。假设氧化物电荷沿着此界面。假设肖克利-里德-霍尔产生和复合，俄歇复合，碰撞电离和浓度和场依赖的迁移率的两个载流子的求解方案。（SRH产生复合模型、俄歇复合模型、碰撞电离、浓度和场依赖迁移率模型）

3.2.3 具体参数设置

仿真中使用的衬底掺杂浓度被选择为接近实验值。由此确定的浓度对于电阻率为8 kΩ cm的晶片为4.3 e11原子/cm 3，对于电阻率大于10 kΩcm的晶片为2.1 e11原子/cm 3。这些掺杂浓度是根据从实验二极管上的C-V测量中提取的耗尽电压计算的。此外，一种情况假设掺杂浓度为1.5 X 1012原子/cm 3，相当于电阻率为3 kΩ cm。所有注入物被认为具有高斯杂质分布，并且仿真了三种不同的氧化物电荷水平，Qf = 1 × 1010 cm-2、Qf = 8 × 1010 cm-2和Qf = 3 × 1011 cm-2。

3.3 实验具体设置

3.3.1 保护环结构实验设置

具有图2所示的保护环设计的测试样品在具有（111）取向和1 mm厚度的n型晶片上制成。晶片的电阻率为8 kΩcm或大于10 kΩcm。参考文献[2]中给出了该过程的描述。

3.3.2 金属场板结构实验设置

还在380 um厚度和（100）取向的n型5 kΩ cm硅晶片上处理测试样品以研究浮动金属场板的效果。该过程与上述过程相同，样品标记为T16-Oct 91 -2。

图4 a保护结构设计，通过测量单个条形电势用来研究浮置金属场板的影响。为了清楚起见，未示出金属场板。尺寸见表1。

表1：测试结构1和2的场板和间隙尺寸。所有尺寸均以um为单位测量

保护环的设计如图4a和4 b与防护条之间的宽或窄浮动金属场板一起使用。窄场板宽度为7.5微米的最小间隙距离和17.5um的较宽的间隙。宽场板被设计为比防护条之间的差距窄10 μ m。然而，当扩散条之间的间隙小于50 μ m时，窄场板和宽场板具有相同的宽度。场板数据汇编见表1。

3.3.3 偏压等实验设置和电压漏电流测量

目视检查所有样品的缺陷，以排除扩散之间短路的样品。用Keithley 487电压源向欧姆背侧接触施加偏压，同时将有源二极管和最里面的宽防护条接地。通过将Keithley 617静电计连接在最内侧的保护环和待测量的浮动条之间来测量条之间的电位分布。用Keithley 617和两个Keithley 487皮安表在电流模式测量泄漏电流。

4.结果

4.1 仿真

4.1.1 普通二极管仿真结果——氧化物影响

沿着与图1所示类似的普通二极管表面的电势，其体掺杂浓度为5.6 × 10 ~（11）cm-2，如图5所示。n+接触上的电势假定为100 V，并且假定在硅和二氧化硅之间的界面中均匀分布的氧化物电荷密度为0 cm-2、8 X 1010和3 X 1011 cm-2。可以看出，用二氧化硅钝化的二极管的表面电势以及由此的耗尽宽度随着氧化物电荷密度而显著变化。如果假定氧化物电荷为零，则所施加的偏压分布在500 μ m上，而对于最高的氧化物电荷密度，所施加的偏压在40 μ m的距离上下降。由于电位分布的不同，最大场强也会有很大的变化。（电场=电势负梯度）

图1的回顾 

图5 图1所示反向偏置台阶结电位沿着表面分布的模拟结果，假设有三种不同的氧化物电荷密度。掺杂浓度为5.6 X 1011原子/cm 3。最左边的曲线是3 X 1011原子/cm 3的氧化物电荷，中间的曲线是8 X 1010原子/cm 3的氧化物电荷，而右边的曲线是没有氧化物电荷。偏压为100 V。

4.1.2  保护环结构表面电势分布仿真研究

图3所示的结构用于研究体掺杂浓度和氧化物电荷密度对分段保护结构中的电势分布的影响。结果如图6所示，偏压为100 V。可以看出，对于低氧化物电荷密度，所有相邻p +扩散之间的电位差几乎相等，而最外侧p+扩散和n +接触之间的电位差较大。相邻条带之间的电位差随着掺杂浓度和氧化物电荷的增加而增加。条带之间的最大电位差的位置和幅度可以看出取决于衬底电阻率以及氧化物电荷。一般的行为是，氧化物电荷的增加将主要的电位降移向中心带，而低氧化物电荷在外部带和n +接触之间产生大的电位降。

图3的回顾

 

图6 图3所示的保护环结构的电位分布沿着表面的仿真结果。这三个图显示了具有不同氧化物电荷密度和衬底掺杂浓度的相同几何结构的结果。绘制真实器件上的测量值（X）以进行比较。误差条是对至少三个相同结构的测量的方差。

学习一下误差条？

4.2 电测量（实际器件实测）

4.2.1 电势变化

测量厚度为1 mm的样品上的单个条状电位，图2中的保护设计也在图6a6b中绘制出了。在图6a中可以比较具有2.2 X 10 11原子/cm 3的估计掺杂浓度的衬底的测量和模拟。图6 b示出了对于4.3 X 1011原子/cm 3的估计掺杂浓度的电势测量和模拟。为了比较测量和模拟，应该使用8 × 10 10 cm-2氧化物电荷的数据。该氧化物电荷密度是从用相同工艺处理的MOS电容器上的C-V测量估计的。测量遵循仿真的一般行为，除了靠近中心的条带的一些差异。误差条是在至少三个相同结构上的测量的标准偏差。发现在相同的处理结构有相当大的相对变化。

图2的回顾 

图4中的防护设计用于研究浮动扩散带之间的金属场板的效果，结果如图7所示。十字代表测量，而线条是用来引导眼睛的。各个防护条的电位是在施加到背接触的偏压下测量的，并且以50 V增量变化。有源区和中心保护电极接地。T16-Oct 91 -2识别的所有测量值和在接下来的段落中提到的值，来自同一晶片，以最小化氧化物电荷密度变化的影响。

图4的回顾 

表1的回顾 

图7  图4所示的具有浮动带间金属场板的多保护结构上的单个保护带电势的测量。画线是为了引导眼睛，而十字（x）代表测量值。

图7示出了在不同偏压下的保护条电势的测量。可以看出，随着背侧上的电压增加，更多的条浮置到与所施加的偏置显著不同的电势。中心带上的电势仅是所施加的偏置的一部分，并且其电势仅随着偏置的增加而微弱地增加，并且永远不会达到全偏置值。外部防护条具有与所施加的偏置电压几乎没有偏差的电势。

图7a示出了具有宽间隙和窄场板的测试结构1上的电势测量，图7b示出了具有宽间隙和宽场板的测试结构1上的电势测量。大部分电位差在内部保护条之间，其中电位随着偏置电压快速增加。图7a和7b比较，在宽场板和窄场板之间没有显著差异。图7c示出了在具有窄间隙和宽金属场板的测试结构2上的电势测量。测试结构2的相邻浮动防护条之间的电位分布几乎是均匀的，并且即使在最低的施加偏压下，几个防护条也具有与施加的偏压值不同的电位。与7a和7b中的情况相比，中心保护条上的电势随偏压增加较少。测试结构2的中心浮动保护条上的电势也比测试结构1的低得多。当比较具有宽间隙的图7 b和具有窄间隙的图7 c时，可以看到电势分布的显著差异。在这两种情况下都应用宽金属场板。

4.2.2 漏电流变化

图8显示了1 cm X 1 cm二极管的保护区和有源区中的漏电流。测量是在7a和7c所示的相同结构上进行的。380 um的硅在90 V下耗尽，并且在400 V的施加偏压下室温有源区漏电流为600 pA。具有宽间隙和窄金属场板的测试结构1（图8a）的保护装置中的漏电流直到400 V没有增加。具有窄间隙和宽金属场板的测试结构2（图8b）的保护装置中的漏电流在350-400V之间增大，但是有源区电流没有相应增加。

图8  （a）具有宽场板的测试结构1和（B）具有窄场板的测试结构2上的漏电流测量。保护环设计如图4所示。

5. 讨论

5.1 总结

我们设计了一种具有多个浮置p-n结的保护结构，将电势分布效应作为其基本功能的一部分。我们利用计算机模拟了这种结构的模型，研究了不同掺杂浓度和氧化物电荷密度的结构中的电势分布。我们在实验样品的保护下？进行了电位测量，以考察仿真模型的正确性，并提高我们对真实器件的理解。本节将讨论的主题相互交织在一起，我们将首先评论和讨论计算机模拟的一般有效性。然后讨论了金属场板在防护设计中的作用。金属场板没有包含在模拟中。最后，我们讨论了我们模拟和测量的一般行为和趋势。我们还将说明如何将结果最好地用于未来优化保护结构的设计。

5.2 计算机仿真的一般有效性

最低掺杂浓度、氧化层电荷密度和保护带间距是决定多重保护结构中电势和最大场强的关键因素。p +扩散具有恒定的电势，并且不会影响击穿行为。我们发现，我们在多保护结构上仿真的电势分布，至少在定性上与我们的直觉预期一致。我们认为这表明仿真模型给出的结果是定性正确的，并产生接近仿真结构所代表的理想情况下的正确值的潜在值。如果假设仿真是正确的，而不是根据直觉预期来解释，那么实验观察到的趋势更容易解释。后者，至少在本讨论中，往往会产生冗长的论点。

上述论点使得找出实验测量的电势分布是否取决于我们在模拟中考虑的因素变得重要。如果其他因素主导了这种行为，那么如果它们的值可以预测的话，我们就必须把它们包括在内。

否则，我们应该理想地消除它们。图6a和6 b可以用作体掺杂浓度故意不同的示例。对于约8 × 10 10 cm-2的氧化物电荷，我们从模拟中预期，当衬底掺杂增加时，从中心开始的第一条上的电势增加（也如图6所示）。从测量中看到的标准差的大小可以看出，为了严格检验任何趋势，它们必须产生相对较大的理论效应。然而，预期差异小于测量值显示的标准差。因此，测量的电位随掺杂浓度的变化与仿真一致。

如果我们考虑图6a和6 b中所测得的电势分布的一般形状。在图6a和6 b中，我们注意到它们类似于假设氧化物电荷约为8 X 1010CM-2时的仿真结果。从中心算起的第一条可能有一种趋势，即平均测量电位高于仿真电位。考虑到有限的统计数据和测量的典型标准偏差的大小，尚不清楚是否存在系统偏差。这显然是一个太弱的倾向，无法证明重新评估这些模拟是合理的。尽管如此，我们认为应该做进一步的工作来评估仿真的电位如何依赖于输入参数，例如体产生率和p+带的深度，我们认为这些因素可以在存在氧化物电荷的情况下影响保护带上的电位。如果体产生率对于电势分布是关键的，那么仿真全保护结构也是很重要的。

5.3 对浮动金属板影响的讨论（消除氧化物电荷影响）

5.3.1 电势讨论

我们现在将描述保护设计中浮动金属板的物理效果。氧化物顶部的金属将消除由于环境变化而引起的氧化物上的电荷变化。此外，外金属表面的高电子浓度将减少环境条件（包括金属外部的电荷）的变化对硅表面中的电荷浓度的影响。在氧化物顶部没有金属场板的情况下，大部分氧化物电荷在下面的硅中镜像。浮动金属场板将通过在金属中提供镜像电荷来减少来自氧化物电荷的影响。这种效应将取决于氧化物中电荷的位置和氧化物的厚度。根据上述论点，我们预测金属场板的存在将类似于减少具有通常为正的氧化物电荷的n型材料的氧化物电荷。这证明了有场板的实验和没有场板的模拟之间的比较，只要记住明显的警告。

从上面我们预计，增加保护结构中的场板宽度将与减少氧化物电荷的作用类似。因此，沿表面的耗尽宽度将增加。原则上，人们可以在具有不同浮动金属场板宽度的结构中观察到这种效应。图7a和图7b分别示出了用于窄场板和宽场板的测试结构I。金属板宽度的影响，如果有的话，在这里是看不到的。首先，如第3节所述和表1所示，应该注意的是，宽度只与第三个板和向外的板不同，不适用最里面的板。从仿真结果来看，我们预计最内层的保护条对氧化物电荷的电势变化有最强的依赖性。我们还注意到图7B中所示的不规则电势分布，可能掩盖场板宽度增加的影响。显然，任意变化仍然大于金属场板对氧化物电荷的影响(如果有的话)。这些任意变化包括诸如氧化物电荷变化、局部表面和体缺陷以及来自未覆盖氧化物区域的环境的电荷的影响。金属板仍然应该具有所描述的有益的保护效果，我们相信这是在设计中保留它们的一个很好的理由。金属板的存在也可以在如下所述的电势分布中起作用。

金属场板的包含改变了p +扩散之间的保护结构和电位分布，这取决于MOS阈值电压、场板电位和硅表面电位分布。浮置场板上的电势将取决于氧化物表面的电导率和附加钝化涂层的体电阻率。氧化物的电导率强烈依赖于环境湿度[3]，在40%相对湿度下，方块电阻可以约为10 18 fl/square。表面方块电阻将影响金属场板的充电时间常数。通过控制金属场板上的电势，或者通过电阻器网络将它们直接连接到限定的电势，或者通过连接到浮置p-n结，可以改善多重保护的操作。

通过减小保护条之间的距离，保护条之间的电势差将减小，在给定的偏置电压下，更多的表面将被耗尽，并且电位降将沿表面分布在更大的距离上。这一点可以通过比较7B(宽间隙)和7C(窄间隙)来看出。在这两种情况下都使用了宽场板，这可以从图3中看出。7C保护环之间的电势差可以通过应用小间隙和宽场板来限制和很好地控制。

5.3.2 漏电流讨论

电位分布的不同将影响高偏压下的漏电流，这一点可以通过考虑单个条形电位和图7a和7c中的电位分布来理解。可以看到，测试结构2的边缘带开始偏离施加的偏置电压，这意味着耗尽区延伸到该带之外。这伴随着图中350V以上的泄漏电流的增加（8B）。我们推测，保护电流的增加可能是由于耗尽区向边缘延伸时产生率的增加所致。另一种解释也是产生电流增加的，假设器件中局部的高场区域会导致雪崩击穿。如果是这样的话，我们预计当前的情况将随着偏压而大幅增加。然而，我们观察到，偏置电压增加50V只会导致保护电流加倍。因此，我们认为耗尽区更有可能延伸到边缘晶体损伤处导致漏电流增加。

5.3.3 设计启示

图6所示的仿真结果表明，在非常低的氧化物电荷密度下，条带之间的电势差将几乎相等，并且耗尽区将到达探测器的边缘。

当耗尽区延伸到边缘时，这种保护设计应该提供较高的击穿电压和增加的泄漏电流。使用更宽的保护区域并包括更多的保护带应该可以解决耗尽区延伸到边缘的问题。中央防护条之间的距离应减小，以避免电势差过大和雪崩击穿的可能性增加。

对于在辐射环境中工作的保护结构，在设计保护结构时应考虑总剂量和氧化物电荷，并为最佳保护结构留出足够的空间。最小保护宽度将是工作电压下的耗尽宽度加上中心偏置后所有p-n结的宽度。净正电荷可以通过沿表面施加更高的电子浓度来减小该宽度。然而，在辐射环境中运行会随时间改变氧化物电荷，从而改变最佳防护设计。通过注入磷来增加掺杂浓度可以用来以可控的方式减小总的保护宽度。浮动金属场板的使用将减少氧化物电荷的影响，并增加在工作电压下向耗尽宽度方向的最小保护宽度。连接到浮动p+扩散的金属场板将根据朝向它们所连接的条的较高或较低电势侧延伸而增大或减小条带之间的电势差。这项工作对于理解、设计和操作硅漂移室器件和硅微带探测器也很重要。

6.总结与结论

我们仿真了电位分布，并测试了一个分段的保护结构与浮动p +扩散带的性能。实验研究了P +结之间的浮置金属场板的作用。结果表明，这种结构可以用来：通过扩展的耗尽区控制（在一定程度上）的耗尽区沿着表面的终止。保护带之间的浮动场板的效果是减少来自氧化物电荷的影响，并且另外减少对二氧化硅表面电荷的环境影响。带金属场板的分立保护环结构可以在非常高的偏置电压下在保护区中给予低的漏电流。

为了设计最佳的多重保护结构，在确定带间间隙、场板宽度、保护环数目和保护环总宽度时，必须考虑体掺杂浓度、氧化物电荷和工作电压。类似于这里提出的模拟将是有价值的优化结构的设计。

写作技巧

论文中既要有仿真又要有实验。二者要有很好地互相符合

感觉仿真结果到讨论的难度简直上升了几个数量级呀？是我学识不够，看不懂作者思维跳跃

（/(ㄒoㄒ)/~~）